Одновибратор

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СЮЛЧЛФОН

РЕСПУБЛИК,SU.,!ДЯДЯ A

4(51 Н 03 К 3/284

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

00 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬПЪЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ;:,;- " /

e as orcmoses ca a. (21) 3401695/24-21 (22) 18.01.82 (46) 30.01.85. Бюл. В 4 (72) В.И.Турченков (53) 621.373(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

В 560324, кл. Н 03 К 3/284, 1973.

Г

I

I !

1

I

I

L (54) (57) ОДНОВИБРАТОР, содержащий источник командного напряжения, соединенный с анодом прибора с Я-образной вольт-амперной характеристикой, первый транзистор, коллектор и база которого через второй и третий .резисторы соответственно соединены с отрицательной шиной первого источника питания, база первого транзистора соединена с катодом первого диода, анод которого соединен с отрицательной шиной регулируемого источника напряжения, а змиттер †с первым вьи|одом первого конденсатора, второй дйод, нагрузку, о т л и ч а ю щ и й-с я тем, что, с целью уменьшения

Ф длительности выходного задержанного импульса, в него введены второй, . третий, четвертый транзисторы, второй. конденсатор, база второго транзистора соединена с катодом прибора с 6-образной вольт-амперной характеристикой и коллектором первого транзистора, змиттер второго транзистора соединен с эмиттером первого транзистора, коллектор второго транзистора через четвертый резистор соединен с базой третьего транзистора, эмиттер третьего . транзистора соединен с положительной шиной второго источника питания, коллектор третьего транзистора через пятый резистор соединен с базой четвертого транзистора, эмнттер четвертого транзистора соединен с общей у

Ф шиной, а коллектор четвертого транзистора соединен непосредственно с выходной шиной, через шестой резистор — с вторым выводом первого конденсатора и через нагрузку — с общей а шиной, база четвертого транзистора через второй конденсатор соединена с ® общей шиной, причем второй диод М« включен встречно-параллельно переходу фф база-эмиттер четвертого транзистора. «

1137570 2

Изобретение предназначено для работы в устройствах импульсной техники.

Наиболее близким к изобретению является адновибратор, содержащий ис, точник командного напряжения, соеди ненный с анодом прибора с 5 --образной вольт-амперной характеристикой, транзистор, коллектор и база которого, через второй и третий резисторы 1Î соответственно соединены с отрицательной шиной первого источника питания, ба а транзистора соединена с катодом первого диода, анод которого соединен с отрицательной шиной регу- 15 лируемаго источника напряжения, а эмиттер через конденсатор — с общей шиной, второй и третий диоды. аноды которых соединены с катодам прибора с 5 -образной вольт-ампернай харак- щ теристикай а катоды — с коллектором

) и эмиттерам транзистора соответственна, и нагрузку (1).

Однако в известном устройстве длительность импульса тока заряда 25 конденсатора, формируемого с задержкой относительно входного, сущест-" венно ограничена снизу.

Цель изобретения — уменьшение длительности выходного задержанного щ мпульса.

Поставленная цель достигается тем, чта в одновибратар., содержащий источник командного напряжения сое1 диненный с анодам прибора5 -образной З5 вольт-амперной характеристикой пер) вый транзистор, коллектор и база которого через второй.и третий резисторы соответственно соединены с отрицательной шиной первого источника О питания, база первого транзистора соединена с катодом первого диода анод которого .соединен с отрицательной шиной регулируемого источника напряжения, а эмиттер — с первым .

1 выводом первого конденсатора, второй ,диод, нагрузку, введены второй, третий, четвертый транзисторы, второй конденсатор база Второго транзиста ра соединена. с катодам прибора с ™

5-образной вольт-амперной характеристикой и коллектором первого транзистора, эмиттер второго транзистора соединен с эмиттерам первого транзистора, коплектор второго транзистора 55 через четвертый резистор соединен с базой третьего транзистора„ эмиттер третьего транзистара соединен с положительной шиной второго источника питания, коллектор третьего транзистора через пятый резис ар соединен с базой четвертого транзистора, эмиттер четвертого транзистора соединен с общей шиной, а коллектор четвертого транзистора соединен непосредственно с выходной шиной, через шестой резистор — с вторым выводом первого конденсатора и через нагрузку — с общей шиной, база четвертого транзистора через второй конденсатор соединена с общей шиной, причем второй диод включен встречно-параллельна переходу базаэмиттер четвертого транзистора.

На чертеже схематически изображен предлагаемый одновибратор.

Схема включает источник командного напряжения 1, например, в виде тиристорнога ключа, прибор 2 с -образной ВАХ, включенный между коллек-. тором первого транзистора 3 и источником командного напряжения 1; первый конденсатор 4, второй и третий резисторы 5 и 6, соединяющие коллектор и базу транзистора 3 с отрицательной шиной 7 первого источника питания, первый диод 8, включенный между шиной

9 регулируемого источника напряжения и базой транзистора 3; второй диод

10, второй, третий и четвертый транзисторы ii, 12 и 13, соединенные между собой через резисторы 14 и 15,. шестой резистор 16„ соединяющий конденсатор 4 с коллектором транзистора 13, второй конденсатор 17, соединяющий базу транзистора 13 с общей шиной, положительная шина 18 второго источника питания и выходная шина 19, Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии на выходе источника командного напряжения 1 присутствует "единичное" напряженйе, прибор 2 открыт, конденсатор 4 заряжен примерно до напряжения на шине питания 18. Отрицательный перепад сигнала источника командного напряжения 1 или короткий импульс с его выхода запирает прибор 2. Начинается процесс формирования задержки импульса. При этом происходит перезаряд конденсатора 4 па цепи "общая шина"— диод 10 — транзистор 13 — резистор

16 — транзистор 3 — резисторы 5 и 6шина 7. Перезаряд происходит да тех

11375

Составитель С. Агеев

Редактор М, Келемеш Техред(Т.Иаточка- Корректор О.Билак .

Заказ 10539/41

Тираж 871

Подписное

ВН!ИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и-открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб. ° д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 пор, пока напряжение на базе транзистора 3 не стает меньше напряжения на шине 9. диод 8 открывается и фиксирует потенциал базы транзистора 3. Последний переходит в активный режим потенциал его коллектора резко уменьшается и при превышении напряжения срабатывания прибора 2 переводит его,,в открытое состояние.

Отрицательный потенциал левой об- 10 кладки конденсатора 4 прикладывается через открытый прибор 2 к выходу источника командного напряжения 1 °

Формирование задержки импульса заканчивается. Поскольку время пере- 15 заряда конденсатора определяется напряжением на шине 9, длительность. задержки может регулироваться изменением этого напряжения,. Начинается формирование задержанного им- Zo пульса на нагрузке (шина 19). При этом происходит заряд конденсатора 4 по цепи: выход источника 1 — прибор 2 — переход база-эмиттер транзистора 11 — резистор 16 — нагрузка — 25 общая шина. Одновременно открыва70 4 ются транзисторы 11, 12 и начинается заряд конденсатора 17. Нараста- ющее напряжение на конденсаторе 17 открывает транзистор 13, и он шунтирует нагрузку, ограничивая длительность формируемого задержанного импульса. Дальнейший заряд конденсатора 4 осуществляется через транзистор 13, минуя нагрузку. По окончании заряда конденсатора 4 устройство переходит в исходное состояние.

Таким образом, в изобретении за счет введения новых элементов удается уменьшить длительность выходного задержанного импульса по отношению к времени восстановления заряда конденсатора, определяющего длительность аналогичного импульса в одновибраторе-прототипе, который можно принять за базовый объект. При этом имеется возможность проводить в более широких пределах регулировку задержки и длительности импульса, обеспечивая соотношение Т /Т (где

Т1 — длительность задержки импульса, Т2 — длительность импульса).