Многоустойчивый элемент памяти

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

3 НЮ

РЕСПУБЛИК (1Е (И) ГОСУДа СТВЕННЫй KOMHTET СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTMA

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

4(51) С 11 С 11/00 (21) 3555094/24-24 (22) 21.02.83 (46) 15.02.85. Бюл. Ф 6 (72) Б.Л. Останков (71) Специальное конструкторское бюро пишущих машин (53) 681.327.66(088.8) (56) 1. Горбатов В.А., Останков Б.Л., Фролов С.А.:Регулярные структуры автоматного управления. М., "Машиностроение", 1980, с. 158-171.

2. Авторское свидетельство СССР

9 942143, кл. С 11 С 11/00, 1980 (прототип). (54) (57) МНОГОУСТОЙЧИВЫЙ ЭЛЕМЕНТ

ПАМЯТИ, содержащий десять элементов

И-НЕ, причем выход i-го элемента

И-НЕ (i = 1, 2, ..., 10) соединен с входами (i+4), (i+5), (i+6)-ro элементов И-НЕ и является соответствующим выходом первой группы выходов многоустойчивого элемента памяти, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей многоустойчивого элемента памяти за счет выполнения функций преобразования кодов, выход i-ro элемента И-НЕ является (3i-2)-м выходом второй группы выходов многоустойчиво- + го элемента памяти. 9

М 1140

Изобретение относится к вычисли= тельной технике, а именно к элементам памяти ° используемым в различно-, го рода преобразователях кодов и уп равляющих автоматах с целью оптими зации функций переходов и выходов последних.

Известен четырехфаэный многоустойчивый элемент памяти с десятью выходами Г17.

Если в этом элементе шаг S = --1, то выход в нем i-ro элемента И-НЕ, где i = 1, 2, ..., 10, должен быть соединен с входами (i+4), (i+5) и (i+6)-го элементов. Если требуется

15 получить дополнительно выходы с другим шагом, т.е. расширить функции элемента, то необходим шифратор, состоящий из десяти логических элементов, каждый из которых должен иметь

20 не менее трех входов, что является недостатком элемента.

Известен многоустойчивый элемент памяти с десятью выходами, содержащий пятифазный элемент памяти с шагом

S 1 и одиннадцатью выходами С23.

Если в данном элементе памяти требуется получить еще десять кодов с другим шагом, то необходимо ввести дополнительно десять элементов ИЛИ (ИЛИ-НЕ) для дешифратора и кажлый од30 нофаэный выход дешифратора преобразовать в выход с требуемой фазностью ф и шагом S. И в этом случае расширение функциональных возможностей элемента памяти приводит к его услож 35 нению и снижению его надежности.

Цель изобретения — расширение функциональных воэможностей многоустойчивого элемента памяти эа счет выполнения функций преобразования ко-40 дов.

Поставленная цель достигается тем, что в многоустойчивом элементе памяти, содержащем десять элементов

И-НЕ, причем выход i-го элемента 45

И-НЕ (i 1, 2, ..., 10) соединен с входами (i+4), (i+5) и (i+6)-ro элементов И-НЕ и является соответствующим выходом первой группы выходов многоустойчивого элемента памяти, 50 выход i-го элемента И-НЕ является (3i-2)-м выходом второй группы выходов многоустойчивого элемента памяти.

На чертеже схематически представлен многоустойчивый элемент памяти 55 на десять состояний, позволяющий в каждом состоянии формирователь два .различных кода состояния.

168

Многоустойчнвый элемент памяти содержит элементы И НЕ 1-10, выходы

11-20 первой группы (коды с шагом S=

1 и фазностью Ф = 4), выходы 21-30 второй группы (S - =3, ф = 4). Соответствие кодов приведено в табл. 1.

Элементы И-НЕ 1-10 образуют четырехфазный элемент памяти на десять состояний. Коды его состояний с шагом S = 1 формируются на выходах первой группы с 11-ro и по 20-й и соответствуют левой половине таблицы.

Вторая группа выходов представляет собой десять выходов, таким образом что на них формируются коды с той же фазностью ф = 4, но с шагом S = 3.

Это очевидно из сопоставления каждого кода выходов первой группы с каждым кодом выходов второй группы.

Каждая последующая строка кодов выходов первой и второй группы отличается от предыдущей строки кодов расположением одного нуля (три нуля совпадают). Такая последовательность кодов позволяет менять состояния памяти с наименьшими затратами — подачей установочного сигнала на вход только одного элемента И-НЕ (на чертеже установочные входы условно не показаны)..Непосредственной проверкой легко убедиться, что если на выходах второй группы необходимо получить последовательность кодов, в которой каждая следующая строка отличается от предыдущей сдвигом нулей и единиц вправо на один розряд, необходимо коды состояний многоустойчивого элемента па-. мяти изменить так, как показано в табл 2.

Перекоммутация выходов многоустойчивого многофазного элемента па-: мяти с шагом кодов 8 1 в другой шаг при четном числе выходов этого элемента памяти Р возможно только для таких значений S при которых наибольший общий делитель S u P равен единице, т.е. когда S u P— взаимно простые числа. Это утверждение можно доказать при помощи теории чисел. Так для P = 10 можно получить шаг S 1 и S = 3, так как в пределах до 10 все остальные числа имеют с 10 общий делитель больший, чем единица .

Предложенный многоустойчивый элемент памяти для получения кодов с шагом S = 1 и S = 3 не требует дополнительных затрат логических элементов и по сравнению с прототипом содержит, как минимум, на двадцать логических элементов меньше.

1140168 о о о о о о о о о о о о о о о о о о о о о о

1

I о о о о о о о о - — »

1 ь

CV о о о о

О1!

I — — 4 о о

I 1

1 сО

»

1 (I л

I - 1 о о о о о о о о ф о (5! 1

I I

I о 1

1 - I —

Щ !

I I о о о о о о о о о

I 2 4 I

I I

1 с 1 I

I - 1

I I

I I

1- !

1 ) ° 3

»

I о о о о.! о о о о о о о

Ж ) I

М Ж и 1 оэе

I» g М I

Q Ф X о )". е

CJ A М 1

1

1

1

Х

I

I

1

1

I

6 (»

9» (»

>Ж о

I Р

I. o

1 E

1 Р

1 ф о

I à

I Ф3

I !

1

I

I !

I

I

1

I

I

1

1

1 (1

1 1 ! о

1 с) °

3- -»

I ch

СЧ

1.— — -Л

I . 1

I C0 1

1 с4

1

I л

I с 4

I I

) (1 чР 1

< 4

1 1

-4

1 сч

Г (I

1 см

1 — 5

1 CV

1 сч

1 — »

l - I ! з

o - - - - о о о - — — о о о (З и О а о

f140168 (1

1

1)

1 сч

1

I ! 00

1 сч

3 — -3

1 л

1 cv

1 — —.1 о о

3О с4 !

I c

Р Ь вЂ” — )

4 1

>X I

О -4 а 1 сч

О I

3 1 — — 3

Ф 1 1

I I

1 м 1 сч о I д

Ь вЂ” — 3

1 сс! 1 1 ! w

I сч 1 о о о о о о с с в I

o3 I

1 I

3- — 3

I I 1 о о

o — o о о о о

1 м

1 1

l 1

1

1 CV

I

3 3

1 I

1 1

1 )

1 !

Ю о о! 1 ! О 1

1 I

11 ! I

I I

1 ao I

I - I

I 1

I 1

1" 3

Й I

1 — 1

;ь! 1 а 1 1

3 3 — — 3 ! 1

Ф ) О 1 о)й! I I а I (U I

Й 3— л

33 3

5I сс\ 1 -Ф I

3 3

l

1

1

1

I !

<б - х ж

p,OeI.

Ф )3 X

CJ Э Е со о а М о — - о o - — о о о о — - о

1 ! ! !

1

I

1

1

I. !

1

I

1

I

1

1

1

1

I

I

I

1

1140168

Составитель А. Дерюгин

Редактор Л. Алексеенко Техред С.Мигунова Корректор В. Бутяга

Заказ 266/40 Тираж 584 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 ° Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4

Многоустойчивый элемент памяти Многоустойчивый элемент памяти Многоустойчивый элемент памяти Многоустойчивый элемент памяти Многоустойчивый элемент памяти 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для обработки информации в вычислительных системах
Наверх