Устройство для укрытия технологических ванн

 

1. УСТЮЙСТВО ДЛЯ УКРЫТИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ВАНН, содержащее моноспой по1Шавков, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективиости защиты окружающей средь от вреднь1х веществ, поплавки имеют форму пирамиды с основанием в виде правильного треугольника.. 2. Устройство по п. 1, о т л я ч а ю щ е е с я тем, что поплавки имеют форму тетраэдра или пирамиды, высота ко торой меньше высоты тетраэдра. 2 W

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЯИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

4 (51) С 25 D 2 04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3523402/22-02 (22) 27.12.82 (46) 23:05.85. Бюл. N 19 (72) М. И. Шалкаускас, Д. П. Кимтене и В. Ч.. Данинис (71) Ордена Трудового Красного Знамени институт химии и химической технологии

АН Литовской ССР (533 621.357.7 (088.8) (56) 1, Левин А. И., Номберг М. И, Злектролитическое рафинирование меди. Металлургиздат, 1963, с. 70 — 71, рис. 20.

2. Хаин И. И. Теория и практика фосфатирования металлов. Л., "Химия", 1973, с. 139.,а .ый71и . А (54) (57) 1. УСТРОЙСТВО ЙЛЯ УКРЬП ИЯ

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ВАНН, содержащее монослой ноайавков, о т л и ч а ю щ cе с я тем, что, с целью повышения эффективности защиты окрумающей среды от вредных веществ, поплавки имеют форму пирамиды с основанием s виде правильного треугольника.

2. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что поплавки имеют форму тетраэдра или пирамиды, высота которой меньше высоты тетраздра.

1157i4">

Составитель И. Саакова

Texp ;2, С.Легеэа

1<др12ектор М. Пожо

Редактор С). Черниченко

Тира>к . 637 Подписное

ВН11ИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 3292/27

Филиал ППП "Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к электрохимической и химической обработ.<е изделий, в частности к устройствам для укрытия технологических ванн.

Многие процессы химической и злектрохимической обработки иэделий проводят в открытых ваннах, заполненнь1х разли1ными растворами кислот, щелочей, солей и их смесями, чаще всего при повышенных температуОах. От зеркала ванны одновременно с парами16 воды выделн1отся и вредные вещества, Известно устройство для укрытия тсхнол<2гических ванн, выполнепное в виде поплавков лицэообразной формы (i 22 .

Наиболее близким к изобретению по технической сущности 11 достигаемому результату являетe,"I устройство для 3t кпытия технологических ванн, вьшслнсннос в виде полых предметов любой формы (шарики, цилиндрики и тд.) (21. фQ

Недостатком известных устройств является

ТО, ЧТО 11 ОП10СТЬ ИХ МОНОСЛОЯ НВ МОЖЕТ превысить 8О%.

Целью изобретения является повышение эффективности зашиты окружа1ощей среды от эч вредных веществ.

Поставлегп1ая. ие!12 дсстигаетсн тем,:.2о в устт2О .1ст;1» длс укр11тия те ;-;or,о1 1г"еск -; вэьэ1. сод.,p ra::aerr м01гослой ПОЛ11авков, поплавки имею-т. форму пирамиды с сс11оваи2е1," в виде правильного тчеуго11Ы1И1са.

1 .роме т-:го, поплавки имеют форму тетраэдра или ..Ирамиды, высот. которой меныпе высоты: етцаэдра.

На фиг. 1 изображено ук12ылие ванны монослоем поплавков в форме тетраэдров: на фи1. 2 — поплавок в виде треугольной пирамиды с высотой, мень1ией высоты тетраздра.

Устройство рабо1гет следующим образом.

Ванну укрывают поплавками, которые укладываются на поверхности раствора TaK) что грани coceg)!Hx пирамид плотно прижимаются одна к другой, не оставляя непокрытых зазо ров. Поплавки данной формы имеют тенденцию более. быстрого упорядочения после

onepàöMè погрузки- выгрузки деталей.

Степень укрытия поверхности раствора монослоем поплавков предлагаемой формы достигает 98 — 9922, а монослоем поплавков шарообразной формы — 77-78%.

Наиболее целесообразно при1ленять пир=" мидь1 формы теграэдров с размером rparrrr

1О-.iOO мм, в зависимости от размеров самой ванны, обрабатываемых деталей и применяемых растворов. При меныцих размерах поплавков они:астично могут быть вынесены с деталями. При больших размерах Ironлавков увеличиваются и размеры открытых треугольников" по краям ванны, что приводит к снлжению эффективности предлагаемого способа.

Поплавки формы пирамиды, в частности тетраэдра, изготавливаю;ся легче и проще, че1л п<2п11а12ки ч12ОО1лы IИ11pr!KOB 1 етраэдОы

::азных размеров можно изготовить,,например, иэ поливечилхло011дных, полиэтиленовых ичи фтороплас;.овых труб оответству1о:цего дпаметра путем лх поперечного сваривания, р:.:..полагая места сварки под прямым углом друг к другу (по принципу изготовления тетраэдровых пакетов длн молока).

Устройство для укрытия технологических ванн Устройство для укрытия технологических ванн 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области нанесения покрытий электрохимическим способом и может найти применение в устройствах для нанесения гальванических покрытий и технохимической обработки деталей

Изобретение относится к области нанесения покрытий электрохимическим способом и может найти применение в устройствах для нанесения гальванических покрытий и технохимической обработки деталей

Изобретение относится к оборудованию для обработки деталей в ваннах с токсичными жидкостями

Изобретение относится к оборудованию для обработки в ваннах для жидкостной обработки

Изобретение относится к области нанесения гальванохимических покрытий, в частности к устройствам для ограничения и удаления вредных выделений

Изобретение относится к оборудованию для обработки деталей в ваннах с токсичными жидкостями и растворами для химической и электрохимической обработки, а также горячей промывки

Изобретение относится к вентиляции и может быть использовано для управления экранированием и удалением газов, аэрозолей и испарений, образующихся в процессе гальванохимической обработки и горячей промывки деталей погружением на автоматизированных (автоматических) и механизированных линиях гальванопокрытий и очистки
Наверх