Способ получения цезия

 

Способ получения цезия разложением в вакууме монокристаллов соединений цезия и индия при нагревании в ампуле с поддержанием перепада температур на холодном и горячем концах ее и при комнатной температуре холодного конца, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и увеличения выхода конечного продукта при сохранении его чистоты и повышения точности дозирования, процесс ведут с использованием в качестве монокристалла соединений CsIn₃ или Cs₂In₃ в течение 60 - 65 мин при поддержании температуры горячего конца ампулы 540 - 550^oC или 590 - 600^oC для CsIn₃ и Cs₂In₃ соответственно.