Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов

Авторы патента:

H01L21/268 - с использованием электромагнитного излучения, например лазерного

1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO₂-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10^-6 - 1 10^-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т._пл., но меньше т._пл., где т._пл. - температура плавления полупроводника, К.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при отжиге антимонида индия облучение ведут с плотностью энергии в импульсе 0,9 - 3,5 Дж/см² и частотой повторения импульсов 50 - 100 Гц.

Способ отбора проб и устройство для его осуществления // 1149742

Способ получения п-слоев в антимониде индия // 1017122

Способ отжига полупроводниковых пластин // 880174

Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале // 677597

Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах // 676109

Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах // 631017

Способ электронно-лучевого генерирования рисунков топологии микроприборов и микросхем // 439240

Устройство для удаления поверхностных загрязнений с подложки (варианты) // 2114486

Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением

Способ получения структур кремния-на-изоляторе методом зонной перекристаллизации и устройство для его осуществления // 2133520

Способ изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков // 2242063

Изобретение относится к способу изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков

Система контроля технологического процесса для лазеров, используемых в литографии // 2258253

Изобретение относится к системам контроля и, в частности, к системам контроля работы лазеров

Способ халькогенизации поверхности gaas // 2406182

Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник

Способ формирования эмиттера ионов для лазерной десорбции-ионизации химических соединений // 2426191

Изобретение относится к способам создания подложек, применимых в качестве эмиттеров ионов химических соединений в аналитических приборах, предназначенных для определения состава и количества химических соединений в аналитических приборах, в частности в масс-спектрометрах и спектрометрах ионной подвижности

Способ восстановления порогового напряжения мдп-транзисторных структур после воздействия плазменных обработок // 2426192

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для создания полупроводниковых приборов на основе МДП-транзисторных структур, технология изготовления которых предусматривает использование плазменных обработок на этапе формирования металлизации приборов

Способ получения слоя поликристаллического кремния // 2431215

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов

Способ образования на подложке упорядоченного массива наноразмерных сфероидов // 2444084

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, к нелитографическим микротехнологиям формирования на подложках тонкопленочных рисунков из наносимых на ее поверхность веществ

Способ формирования топологии интегральной микросхемы // 2098885

Изобретение относится к производству микросхем и может быть использовано при формировании функциональных слоев микросхем (в т.ч