Кислый раствор для химического никелирования
КИСЛЫЙ РАСТВОР ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО Щ КЕЛИРОВАНШ1, содержащий хло„рид ,|гикеля, гипофосфит натрия, ян , .,.. fupHo-кислый натрий и глицин, о тличающийся тем, что, с целью повьппения адгезии никелевого слоя к кремнию и снижения переходного электрического сопротивления на границе металл - полупроводник, он содержит дополнительно хлорид или сульфат марганца при следующем соотношении компонентов, г/л: Хлорид никеля 25-35 Гипофосфит натрия 10-20 Янтарно-кислый натрий . 20-30 Глицин12-15 Хлорид или сульфат марганца (в пересчете на марганец) 0,03-0,15
СОЮЗ COBETCNHX
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСГ1УБЛИ К (51)4 С 23 С 18/36
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ
Н ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3538893/22-02 (22) 10.01.83 (46) 23.09.85. Бюл. и 35 (72) Я.М. Пинчук, В.Я. Зайцев, В.И. Рюмшин и Е.И. Минков (71)- Всесоюзный электротехнический институт им. В.И. Ленина (53) 621.793.3.669.24(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
11р 775168, кл. С 23 С 3/02, 1971.
Авторское свидетельство СССР
Ф 429483, кл. Н 01 L 21/306, 1970. (54)(57) КИСЛЫЙ РАСТВОР ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО БИКЕЛИРОВАНИЯ, содержащий хло«рид уикеля, гицофосфит натрия, ян— тарас-кислый натрий и глицин, о т„„Я0„„1180404 A личающийся тем, что, с целью повышения адгезии никелевого слоя к кремнию и снижения переходного электрического сопротивления на границе металл — полупроводник, он содержит дополнительно хлорид или сульфат марганца при следующем соотношении компонентов, г/л:
Хлорид никеля 25-35
Гипофосфит натрия 10-20
Янтарно-кислый натрии 20-30
Глицин 12-15
Хлорид или сульфат марганца (в пересчете на марганец) 0,03-0,15
1180404
Содержание компонентов раствора, г/л
Переходное электрическое соАдгезия между покрытием и кремнием, кг/см
Состав
Натрий янтарнокислый
Глицин
Марганец соляно кислый рН
Марганец сериокислый
Гипофосфат натрия
Хлорид никеля противление покрытия, Ом см2 ° 102
1 25 10 20
2 30 15 25
3 35 20 30
4 25 ° 10 20
5 30 15 25
12 0,03 4,82 137
13,5 0,01 — 4,90 124
0,83
0,76
0,90
О, t5 — 4,95 119
0,03 4,85 129
0,67
4,92 126
0,78
0,1
13,5
0,70
5,0
131
0,15
6 35 20 30
1,06
108
5 0
25
7 25 25
Составитель В. Скопинцев
Редактор Н. Гунько Техред Ж.Кастелевич Корректор M. Пожо
Заказ 5855/23
Тираж 899 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал IUIII "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к нанесе-, нию металлических покрытий, в частности никелевых, на диэлектрики химическим восстановлением из растворов и может быть использовано при осаждении контактных слоев никеля на полупроводниковые структуры.при изготовлении полупровоДниковых приборов.
Цель изобретения — повьппение адгезии никелевого слоя к кремнию и снижение переходного электрического сопротивления на границе металл— полупроводник.
Составы опробованных растворов, представленных в таблице, приготовляют последовательным растворением компонентов при перемешивании в подогретой до 50 — 55 С депонизованной воде, взятой в количестве 757.
Переходное сопротивление определяют двухзондавым манипулятором по компенсационной мостовой схеме. Прочность сцепления определяют на динамоот номинального объема. После раст ворения компонентов объем раствора доводят до заданного и необходимое значение рН устанавливают с помощью щелочи и янтарной кислоты.
Проводят никелирование кремниевых структур, в качестве которых выбирают силовые диоды В-7-320 с диаметром пластины 30 мм. Время никелирования составляет 4,5-5 0 мин.
Толщина никелевого покрытия, определенная с помощью высокочастотного индуктивного измерителя типа ВИТИ-ЗП, составляет при этом 2,0 — 2,6 мкм, а средняя скорость осаждения 0,46—
0,52 мкм/мин.
Составы использованных растворов и полученные характеристики покрытий приведены в таблице. метрической разрывной установке путем отрыва припаянных к покрытию медных проводов с фиксированной площадью спая.
