Устройство с л- образными вольтамперными характеристиками

 

УСТРОЙСТВО С Л-ОБРАЗНЫМИ ВОЛЬТАМИЕРНЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ, содержащее полевой транзистор со встроенным каналом р-типа, затвор которого подключен к стоку полевого МДП-транзистора со встроенньм каналом п-типа, затвор которого соединен с шиной управления, исток полевого транзистора со встроенным каналом р-типа соединен с истоком полевого МДП-транзистора со встроенным каналом п-типа, отличающееся тем, что, с целью расширения области применения за счет увеличения рабочих токов, в него введен полевой транзистор с индуцированным каналом п-типа большей площади, чем у полевых транзисторов со встроенным каналом , и резистор, причем сток полевого НДП-транзистора со встроенным каналом п-типа соединен со стоком полевого транзистора с индуцированньм каналом п-типа большей плсмцадн и шиной питания, сток полевого транзистора со встроенньм каналом р-типа подключен к затвору полевого транзистора с индуцированным каналом п-типа большей площади и через резистор к стоку полевого транзистора с индуцированньш каналом п-типа большей плрщади и шине. СО Ю ю

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„„5U„„1195422

A (51) Ф Н 03 К 3 28

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTHA

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ЗСЕСОР =; р, g

13, 13 аВЛК0Т

Н ASTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

CO (21) 3720201/24-21 (22) 26.01.84 (46) 30.11.85. Бюл. В 44 (71) Смоленский филиал Московского ордена Ленина и ордена Октябрьской

Революции энергетического института (72) В.П.Дьяконов и О.В.Семенова (53) 621.373(088.8) (56) Кано Г. и др.Ляибда-диод — многофункциональный прибор с отрица« тельным сопротивлением.- Электроника, 1975, Р 3, с.52, рис.б а.

Дьяконов В.П., Семенова О.В. Переключающие устройства на Л-транзисторах. ПТЭ, 1977, Ф 5, с.97, рис. 1 r. (54)(57) УСТРОЙСТВО С Л-ОБРАЗНЫИИ

B0JfbTANIfEPHblNH XAPAKTEPHCTHKANH, c0держащее полевой транзистор со встроенным каналом р-типа, затвор которого подключен к стоку полевого

ИДП-транзистора со встроенньм каналом д-типа, затвор которого соедИнен с шиной управления, исток полевого транзистора со встроенным каналом р-типа соединен с истоком полевого

ИДП-транзистора со встроенным каналом п-типа, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения области применения за счет увеличения рабочих токов, s него введен полевой транзистор с индуцированным каналом и-типа большей площади, чем у полевых транзисторов со встроенным каналом, и резистор,.причем сток полевого ИДП-транзистора со встроенньве каналом и-тика соединен со стоком полевого транзистора с индуцированным каналом и-типа большей площади и шиной питания, сток полевого тран- 3 зистора со встроенным каналом р-типа подключен к затвору полевого транзистора с индуцированньак каналом

q-типа большей площади и через резисЮ\ тор к стоку полевого транзистора с Я индуцированньм.каналом и-типа большей лощади и общей шине. вша

1195422 2

Изобретение относится к импульсной технике и может быть, использовано для построения релаксационных генераторов, триггеров, пороговых устройств и т.д.

Целью изобретения является расширение области применения за счет увеличения рабочих токов.

На фиг.1 приведена принципиальная схема предлагаемого устройства; на фиг.2,3 н 4 — соответственно графические построения, поясняющие процесс образования Л-образной вольтамперной характеристики (ВАХ)iустройства; семейство Л-образных ВАХ для случая

Е 0 и семейство Л-образных ВАХ для случая R = 7,5 кОм. ! i

Устройство содержит полевой транзистор 1 со встроенным каналом р-типа, нолевой МДП-транзистор 2 со встроенным каналом -типа, полевой транзистор 3 с индуцированным каналом большей площади, резистор 4, ши" ну 5 питания и шину 6 управления.

Стоки транзисторов 2 и 3 соединены с шиной 5 питания. Шина 6 управления соединена с затвором транзистора 2, исток которого соединен с истоком транзистора 1. Сток транзистора 1 соединен с затвором транзитора 3 и резистором 4. Резистор 4 и сток транзистора 3 соединены с общей шиной.

Рассмотрим процесс образования

Л-образной ВАХ предлагаемого устройства. для случая подключения затвора транзистора 2 к стоку транзистора 1 (фиг.1). ВАХ устройства определяет зависимость тока I равного сумме токов Е„ и Е > от напряжения U в точке,5 схемы.

Из графических построений (фиг.2), соответствующих Л-образной ВАХ двухполюсника на транзисторах 1 н 2 положениям линии нагрузки резистора 4 для ряда значений напряжения U a точке

5 схемы фиг.1 (a координатах I +—

U ) ВАХ резистора 4 с сопротивлением

R (в координатах I — U>), передаточной характеристике(в координатах E —.

U „g и семейству выходных ВАХ тран.зйстора 3 (в координатах Š— Uz

HRHpH®BHHB U,". и TOlCDB Ip H Ig) При напряжении U = U = U и равном суиф ме напряжений перекрытия каналов транзистопов 1 и 2 последние закрываются, и ток I состоит из обратных токов утечки указанных транзисторов и остаточного тока стока транзистора

3. В результате зависимость тока

I = Е„+ Е от напряжения U имеет ЛЪ образный характер. Форма и параметры этой зависимости (ток пика, раствор и дифференциальное сопротивление на падающем участке ) могут регулироваться изменением сопротивления резистора 4.

Отключение затвора транзистора 2 от стока транзистора 1 и включение, между точкой 6 схемы фиг.1 и истоком транзистора 3 источника -управляющего напряжения создают возможность управления формой и параметрами Л-об+ разной ВАХ изменением величины указанного напряжения.

Для устройства, выполненного на полевых транзисторах КП305И, КП 103 Ж и КП902А, на фиг.3 и 4 представлены семейства экспериментальных

ВАХ для разных значений сопротивления резистора 4 и управляющего напрякения Е.

Применение дополнительного ИДПтранзистора и включение в цепь его затвора резистора, позволяет расширить функциональные возможности предлагаемого устройства за счет больших рабочих токов и возможности получения требуемой Формы и параметров ВАХ изменением сопротивления указанного резистора. положительной полярности растут напряжения U u U снимаемые с резистора

4 и двухполюсника на транзисторах 1 и

2. В результате увеличиваются ток I и ток стока I транзистора 3, для которого U< является управляющим напряжением отпирающей полярности. Рост токов I и Е происходит до значений, соответствующйх значению напряжения

10 U = U при котором линия нагрузки резистора 4 пересекает Л-образную

ВАХ двухполюсника в пиковой точке 2 (фиг.2), Дальнейшее увеличение напряжения U сопровождается уменьшением

1195422

1195422

I,ì

Е,м

6 U,8

ВНИИПИ Заказ 7422/57 Тираж 871 Подписное филиал ППП "Патент", r.Óæãîðîä, ул.Проектная, 4