Способ синхронной передачи информации в тонкой магнитной пленке с плоскими магнитными доменами

 

1. СПОСОБ СИНХРОЕШОЙ ПЕРЕДАЧИ ИНФОРМАЦИИ В ТОНКОЙ МАГНИТЕЮЙ rUIEHKE С ПЛОСКИМИ МАГНИТНЫМИ ДОМЕНАМИ , основанный на воздействии на тонкую магнитную пленку импульсами продвигающего, стирающего и удерживающего магнитных полей, отличающийся тем, что, с целью . повьпиения надежности передачи информа1и1и в тонкой магнитной пленке, воздействие на тонкую магнитную пленку импульсом удерживающего магнитного поля осуществляют до начала воздействия на нее импульсом продвигающего магнитного поля.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (191 (11) 11 с(G 11 С i l/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТ0РСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ну, ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3747979/24-24 (22) 30.05.84 (46) 15.12.85. Бюл. № 46 (72) С.Л. Добрынин, А.Г. Еэупов и Г.А. Тарабанов (53) 681.327.66 (088.8) (56) Патент США № 3562722, кл. 11 С 19/00, опублик. 1971.

Авторское свидетельство СССР № 347795, кл. G 11 С 1 1/14, 1970. (54)(57) 1, СПОСОБ СИНХРОННОЙ ПЕРЕДАЧИ ИНФОРМАЦИИ В ТОНКОЙ МАГНИТНОЙ

ПЛКНКК С ПЛОСКИМИ МАГНИТНЫМИ ДОМКНАМИ, основанный на воздействии на тонкую. магнитную пленку импульсами продвигающего, стирающего и удерживающего магнитных. полей, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью .повьпвения надежности передачи информации в тонкой магнитной пленке> воздействие на тонкую магнитную пленку импульсом удерживающего магнитного поля осуществляют до начала воздействия на нее импульсом продвигающего магнитного поля.

1198378

2. Способ по

С особ по,п.1, о т л и ч а ю- ку импульсом стирающего магнитного шийся тем, что по окончании поля уменьшают величину импульса воздействия на тонкую магнитную плен- удерживающего магнитного поля.

° Ф ; 1, Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использрвано при реализации запоминающих и логических устройств, в которых передача информации осуществляется в виде физического продвижения магнитных доменов.

Цель изобретения — повышение надежности передачи информации в тонкой магнитной пленке.

На чертеже изображены эпюры импульсов продвигающего, стирающего и удерживающего магнитных полей, необходимых для продвижения информационных доменов по предлагаемому способу.

Первоначально управляющие воздействия отсутствуют. Информационные домены имеют максимальные размеры, определяемые конфигурацией низкокоэрцитивной области тонкой магнитной пленки и конструкцией системы управления. На чертеже этому моменту соответствует точка 1 на оси времени.

В момент времени 2 к тонкой магнитной пленке прикладывается общее стирающее магнитное поле Н, направленное противоположно йамагниченности доменов, и локальное удерживающее магнитное поле Н „ в областях вспомогательных позиций удержания, направленное в сторону намагниченности доменов. Действие поля Н приводит к уничтожению доменов в низкокоэрцитивной области тонкой магнитной пленки за исключением вспомогательных позиций удержания, где поле Н, компенсируется противоположно направленным полем Hz, .

В момент времени 3 оканчивается воздействие на тонкую магнитную пленку магнитным полем Н и для ст предотвращения записи ложных доме1 нов в позициях удержания уменьшается величина импульса удерживающего магнитного поля Н до уров 31 ня, достаточного для предотвращения случайного коллапса информационных доменов под действием их суммар5 ного магнитостатического поля рассеяния.

В момент времени 4 к тонкой магнитной пленке прикладывается общее продвигающее магнитное поле Н„ направленное в сторону намагниченности доменов. Под действием поля

Н „ происходит рост информационных доменов и заполнение ими основных позиций удержания. Ограничение

15 распространения информационных до.менов и задание направления их преимущественно роста осуществляется одним из известных способов: специальной конфигурацией низкокоэр20 цитивной. области, подачей локальных стоп-полей, полей; направленных под углом к оси легкого намагничивания тонкой магнитной пленки и др.

В момент времени 5 оканчивается воздействие на тонкую магнитную пленку импульсом поля H

Таким образом, по окончании воздействия на тонкую магнитную пленку импульсом поля Н,(момент времени 3) и до начала воздействия импульсом поля Н,„ (момент времени 4) на информационные домены оказывается воздействие полем Н>

В промежутке времени между моментами 3 и 4 поле Н 1 компенсирует стирающее действие суммарного магнитостатического поля рассеяния информационных доменов, предотвра40 щая случайные коллапсы доменов и искажение информационной последовательности, В момент времени 6 оканчивается

45 воздействие на тонкую магнитную пленку импульсом поля Н„ . К этому пр моменту информационные домены имеют размеры, достаточные для их устойчи

1198378

Составитель |0. Розенталь

Техред А.Ач Корректор Л. Патай

Редактор М, Петрова

Заказ 7712/41

Тираж 583 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная,4 вого существования в отсутствие управляющих воздействий ка тонкую магнитную пленку (промежуток времени между моментами 6 и 7) ° Наличие промежутка времени между моментами 6 и 7 не является обязательным, т.е. момент времени 6 и 7 могут совпадать.

В момент времени 7 к тонкой магнитной пленке прикладывается второй импульс стирающего магнитного ноля

Н и импульс удерживающего магнитного поля Н„, локально действующего в областях основных позиций удержания.

В промежутке времени между моментами 7 и 11 на тонкую магнитную пленку оказываются воздействия, аналогичные воздействиям между моментами времени 2 и 6. Процессы, проходящие в тонкой магнитной пленке между моментами времени 7 и 11, подобны процессам, происходящим между моментами времени 2 и 6. При этом моменты 2, 3, 4, 5 и 6 аналогичны соответственно моментам 7, 8, 9, 10 и 11. Отличие заключается в том, что во время воздействия на тонкую магнитную пленку импульсом поля Н „ и до начала воздействия вторым импульсом продвигающего магнитного поля Н „ (промежуток времени между моментами 7 и

9) информационные домены сохраняются в основных, а не во вспомогательных позициях удержания и рост информационных доменов под действием второго импульса продвигающего магнитного поля Н „р (промежуток времени между моментами 9 и 11) осуществляется преимущественно в сторону следующих вспомогательных позиций удержания.

По окончании воздействия на тонкую магнитную пленку вторым импульсом поля Н „к моменту времени 11 информационные домены занимают положение, соответствующее исходному, ео сдвигом на один шаг в направлении продвижения информации по тонкой магнитной пленке.

Состояние тонкой магнитной пленки в момент времени 12 аналогично состоянию в момент времени 1 и щ является исходным для следующего цикла передачи информации.

Таким образом, в приведенном примере для продвижения информационной последовательности доме-нов на один шаг осуществляется подача двух импульсов продвигающе.го магнитного поля Н (промежутАР. ки времени между моментами 4 и 6, 9 и 11), двух импульсов стирающего магнитного поля Н, (промежутки времени между моментами 2 и 3, 7 и 8), импульса удерживающего магнитного поля Нч,, действующего локально в областях вспомогательных

25 позиций удержания промежуток вре мени между моментами 2 и 5), импульса удерживающего магнитного поля Н„,, действующего локально в областях основных позиций удержа- . ния (промежуток времени между моментами 7 и 10). Величина импульса поля Н, уменьшается в момент времени 3, импульса поля Н, - в момент времени 8. Ограничение распространения информационных доме35 нов и задание направления их преимущественного роста осуществляется одним из известных способов.

Приведенный пример не исчерпывает всех случаев применения предлагаемого способа, а является лишь его иллюстрацией. На практике могут быть использованы и другие вариан- ты беэ нарушения основной идеи

45 технического решения.

Способ синхронной передачи информации в тонкой магнитной пленке с плоскими магнитными доменами Способ синхронной передачи информации в тонкой магнитной пленке с плоскими магнитными доменами Способ синхронной передачи информации в тонкой магнитной пленке с плоскими магнитными доменами 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх