Способ устранения влияния фотоэффекта на электрические параметры полупроводникового прибора

 

!/

Класс 32Ь, ф ) о ),чэя

СССР! ! ! !

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

С. М. Ашавский

СПОСОБ УСТРАНЕНИЯ ВЛИЯНИЯ ФОТОЭФФЕКТА

НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ HAPAMETPbi ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

ПРИБОРА..!аив:II kJQ 24 .IIISI 1957 г за . !в 573)54, 26 в Ко. !!1нiti IIG «еi;1)! II300pI. тонн!! и открытий при Сове.!е й1иннстров CCCP

Опубликовано в «!)к)плетено нзооретенин )!е !9 з.) 19,)9 г.

Предмет изобретения

Способ устранения влияния фотоэффекта на электрические параметры полупроводникового прибора с корпусом, выполненным пз свинцового стекла, основанный на создании темного слоя на поверхности стекла, отл и ч а ю щ и Й с я тем, что, с целью повышения сопротивления создаваемого темного слоя и упрогцения последуlощей х1131ической Очисти)1 поверхности стекла. корпус прибора подвергают нагреву, Известен способ устранения влияния фото=-ффектя ня электрические параметры полуп)роводнпкового прибора с корпусом, выполненным из стекла, основанныи на создании темного слоя путем покрытия стеклянной поверхности светонепроницаемой эмалью илп краской.

Недостаток подобного способа состоит в том, что прп его использовании ухудшаются электрические хярактерпстшеи полупроводников, так как сравнительно низкое сопротиьлеппе слоя эмали приводит к шунтированию участков эмиттер-коллектор и база-коллектор полупроводника. вследствие чего требуется химическим путем производить очистку поверхности стекла в области выводов.

В описываемом способе этот недостаток устранен тем. что корпус полупроводникового прибора, выполненньш пз свинцового стекла, подвергают нагреву в атмосфере водорода. При этом восстанавливаются окислы, в результате чего происходит потемнение стеклянной поверхности.

При использовании для изготовления корпусов полупроводниковых приборов из стекла типа ЗС4 отжиг ведут при температуре 360 — 400 .