Устройство для измерения толщины магнитных материалов

 

№ 123716

Класс 42b, 12оз

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В, И, Гуков и М. Б. Халамейзер

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ МАГНИТНЫХ

МАТЕ Р ИАЛО В

Заявлено 8 февраля 1958 г. за М 591809т25 в Когиитет ио: елани изобретений и открытий при Совете Ми1игетров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ЪЪ 21 за 1959 г.

Предметом изобретегп1я является устройство, предназначенное для измерения индукционным методом толщины магнитных материалов, в

1астпости ленты приборов магнитной записи. Принцип действия устройства ocHQBBH HB использовании изменения индуктивностп электромагнитной системы переменного тока, в зазоре магнитопровода которой перемещается измеряемая лента.

Особенность предложенного устройства заключается в том, что вторичная обмотка его электромагнитной системы настроена 3 резонанс с частотой питающего устройства переменного тока и включена в цепь фазового детектора, а управляющее напряжение этого детектора сдвинуто по фазе на 90 относительно напряжения вторичной обмотки. Сдвиг этот осуществлен таким образом, чтобы напряжение на выходе детектора появлялось лишь при расстройке контура в результате изменения индуктивности системы, вызываемого изменением толщины измеряемой ленты.

На фиг. 1 изображена электрическая схема устройства; на фиг. 2— схема его электромагнитной головки с дискриминатором, Схема устройства состоит в основном из электронного блока А, олока Б индикатора и блока В электромагнитной головки с фазовым дискриминатором.

В схеме устройства используется кварцевый генератор, резонатор которого включен между сеткой и анодом лампы. В результате генерации на выходе каскада действуют синусоидальHûå колебания. Для снмметрирования напряжения между усилителем и кварцевым генератором помещен фазоинверторньш каскад на второй половине лампы . 7ь создающий противополярные колебания на сопротивления Ri u R .

Синусоидальные колебания подаются на сетку лампы .7 через o1.раничивающее сопротивление Лз. На выходе фазопнверторного каскада № 1237i6 появляются сигналы, поступающие в противофазе на сетки лампы Л» представляющие усилительный каскад, собранный по балансной схеме с трансформаторным выходом. Эти сигналы, помимо ограничивающих сопротивлений, дополнительно ограничиваются сеточными токами и нижним срезом сеточных характеристик. Таким образом, на первичную обмотку трансформатора TP-1 с анодов лампы Л2 поступают колебачия прямоугольной формы, мало зависящей от изменения напряжения питания. Основной частью схемы является фазовый дискриминатор, сравнивающий фазы двух напряжений: измеряемого — е2 (фиг. 2) и опорного — Uy. При появлении на входе схемы напряжения U в первичной обмотке 1. электромагнитной головки ЗМГ появляется его составляющая е» обычно пе совпадающая по фазе с напряжением U. В результате переменного магнитного поля, проходящего большей частью по магни. топроводу МГ1, в обмотке L2 индуктируется э.д.с. е той же частоты.

При резонансе во вторичной обмотке L» когда контур представляет собой активное сопротивление, фаза колебаний напряжения е2 совпадает с фазой колебаний напряжения е,. Элементами резонансного контура является индуктивность обмотки L» величину которой можно изменять, внося в воздушный зазор 6 ферромагнитную ленту, и конденсаторы С„С и Сз с переменной емкостью, служащей для подстройки контура в резонанс.

Колебания с резонансного контура с напряжением е> поступают противофазно на детекторы Д. Одновременно на детекторы синфазно поступает опорное напряжение Ui<, фаза которого на 90 отличается от фазы напряжения е» Это объясняется тем, что обмотка L намотана относительно точки 0 в противоположные стороны и наводящиеся в ней колебания полностью компенсируются на ее выходных концах. Поэтому величина импенданса между точками 0 и Г определяется входными сопротивлениями детекторов и является активным .опротивлением. Следовательно, фаза опорного напряжения Ц> в точках 0 и Г отличается GT фазы напряжения е, и совпадающего с ним по фазе напряжения е на 90 .

При строгом сохранении фазовой симметрии на входы обоих детекторов поступают симметричные колебания с противоположными знаками, поочередно заряжая конденсаторы С и С . Эти колебания образуют постоянные потенциалы, поступающие на сетки мостового лампового усилителя Лз.

В случае изменения величины индуктивности вследствие изменения магнитной проницаемости воздушного зазора д, например, при введении в зазор ферромагнитной ленты, происходит изменение величины индуктивности обмотки L2 и фазовое соотношение напряжений е и Up нарушается. Одновременно нарушается баланс постоянных напряжений на выходе детекторов.

Разность потенциалов усиливается ламповым мостом и фиксируется стрелочным прибором.

Настройка нуля устройства осуществляется симметрированием плеч моста посредством потенциометра R> при одинаковом потенциале на сетках, что достигается замыканием ключа Кь Чувствительность прибора регулируется потенциометром R» В качестве индикатора в устройстве применен микроамперметр МКА с нулем в центре шкалы. Питание всей схемы осуществляется выпрямителем с электронной стабилизацией. Регулирующая лампа Л4 шунтирована сопротивлением Ra, предохраняющим лампу от перегрузки. Лампа Л5 выполняет функцию управления лампой Л4. В качестве эталонного напряжения использовано напряжение на газовом стабилизаторе Л6.

¹ 123716

Предмет изобретения

Устройство для измерения толщины магнитных материалов, в частности ленты приборов магнитной записи, индукционным методом, основанное на использовании изменения индуктивности электромагнитной системы переменного тока, в зазоре магнитопровода которой перемещает"я измеряемая лента, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышения чувствительности устроиства, вторичная обмотка электромагнитной системы настроена в резонанс с частотой питающего устройство переменного тока и включена в цепь фазового детектора, управляющее напряжение которого сдвинуто на 90 по фазе относительно напряжения вторичНоН обмотки таким образом, чтобы напряжение на выходе детектора появлялось только при расстройке контура, в результате изменения индуктивности системы под действием изменения толщины измеряемой ленты.

¹ 123716

Г

1 ! !

1

1 !

1

1 ! !

1

1 !

1

1

8.

1

1

1

1 !

1 !

1

1

1,.( г

Подп. к печ. 22.Х-59 г.

Тираж 930 Цена 50 коп.

Информационно-издательский отдел.

Объем 0,34 п. л. Зак. 86!1

Типография Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14.

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор P. А. Гальцева Гр. 164

Устройство для измерения толщины магнитных материалов Устройство для измерения толщины магнитных материалов Устройство для измерения толщины магнитных материалов Устройство для измерения толщины магнитных материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может найти широкое применение в системах неразрушающего контроля и измерений толщины пленочных покрытий

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для контроля толщины металлических покрытий в процессе их образования, например, на металлических деталях, в частности, при нанесении покрытий из паровой фазы пиролитическим способом

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для определения деформирующей способности технологических остаточных напряжений в поверхностном слое изделий из металлов и сплавов с различными электромагнитными свойствами

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля качества и геометрических размеров изделий и может быть использовано для измерения толщины проводящих покрытий
Изобретение относится к электронной технике и электротехнике и может быть использовано, в частности, в качестве датчиков магнитного поля или тензодатчиков

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для измерения толщины различных покрытий на цилиндрических металлических основах

Изобретение относится к измерительной технике, а более конкретно к методам и техническим средствам для контроля толщины твердых и полутвердых защитных покрытий, изоляционных слоев, жировых отложений, смазочных и лакокрасочных пленок на электропроводящей, в частности, металлической основе
Наверх