Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур
Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур, содержащее блок подключения измеряемой структуры, генератор смещения, генератор синусоидального напряжения, усилитель, первый выход которого соединен с первым входом регистратора, второй вход которого соединен с первым выходом генератора смещения, второй выход генератора смещения, третий вход регистратора, вторые выходы детектора и усилителя соединены с общей шиной устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено режекторным фильтром, двумя трансформаторами, двумя конденсаторами и катушкой индуктивности, при этом генератор смещения выполнен в виде генератора трапецеидального напряжения, а усилитель выполнен с симметричным входом, который подключен к вторичной обмотке первого трансформатора, первый вывод первичной обмотки которого соединен со средней точкой вторичной обмотки трансформатора, а второй вывод его первичной обмотки соединен с первым выходом режекторного фильтра и через последовательно соединенные катушку индуктивности и первый конденсатор соединен с общей шиной устройства, которая соединена с вторым выходом режекторного фильтра, вход которого соединен с первым выходом генератора смещения, выход генератора синусоидального напряжения соединен с первичной обмоткой второго трансформатора, первый и второй выводы вторичной обмотки которого соединены с общей шиной устройства соответственно через второй конденсатор и блок подключения измеряемой структуры.
