Устройство для измерения времени рассеяния мощности транзисторов

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

ГООУДА ОТРЕННЫй НОМИТЕТ ССОР пО делАм изОБРетений и ОтнРытий

1 (46) 07. 08. 91. Бюп, 9 29 (21) 3591850/21 (22) 18.05,83 (72) E.З.Рыскин (53) 621.382(088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

11 251094, кл. Q 01 B 31/26, 1967.

Байэдренко А.А. Вторичный пробой в транзисторах и методика неразрушающих испытаний на вторичный про" бой, Севастополь, 1972, ЦОСИФ ЦНИИ .

Электроника. (54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ

ВРЕМЕНИ РАССЕЯНИЯ МОЩНОСТИ ТРАНЗИСТОРОВ, содержащее источник напряжения, первую, вторую и третью клеммы для подключения измеряемого транзистора и генератор тока, выход ко" торого соединен с первой клеммой, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности измерений, оио снабжено клеммой пуска, счетчиком; дешифратором, схемой И, схемой ИЛИ, первым транзистором, резистором, вторым транзистором, тип проводимости которого противоположен первому, токовым ключом и (51) 5 С 01 R 31/26 генератором импульсов, вход которого соединен с входом генератора тока, а выход соединен с входом счетчика, выходы которого соединены с соответствующими входами дешифрачора, выход которого соединен с первым входом схемы И, выход которой соединен с первым входом схемы ИЛИ, выход которой соединен с входом генератора импульсов, а второй вход схемы И соединен с выходом токового ключа, вход которого соединен с коллектором первого транзистора, база которого соединена с коллекторам второго транзистора, эмиттер которого соединен с выходом источника питания, а база второго транзистора соединена с первым выводом резистора, второй вывод которого соединен с эмит1ером первого транзистора и второй клеммой для подключения измеряемого транзистора, при этом третья клемма для подключения измеряемого транзистора соединена с общей шиной, а клемма пуска Соединена с вторым входом схемы ИЛИ, Изобретение относится к полупроВодниконой электронике и может быть использоняно для определения диапазона надежной работы транзисторон

ПО МОЩНОСТИ КЯК ПРИ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИ»l»

2 Як и )IPH и(-Г10пьзон BHHH У по "PPб1 e = лей. рассеяния мощности зя счет ноны((ения чунстнительности устройства н части фикся11ии нячяля нтОричнОГО пробоя и пифрОВОЙ ОбрябОткн рез 131!c атон измерения.

Схема устройстня приБеденя нд че :.*. теже .

Ус 1 рОЙс тн 0 соде рж1ат Гeнера пульсон ), счетчик 2, ден1ифрд

ГЕНЕрдтар тОКа 4,, СХЕМУ И, И «)1

IГу }»1 3 ) ТОКООГраНИЧИНЯЮЩ)ЬЙ р>Е

7, Отсекяющий транзистор 8,, и

Вторую и третью клеммы 9.)0,1

ТО)З ИМ

ТО} 4 -. с

Д Л>Я подклю ения измеряемого трди".истора„ измеряемый транзистор )2, змитт рИЫЙ ПОВТОРИТ ЕЛЬ ) 2 ТОКОНЬ)й КЛ1>>"-". источник напряжения )5, клемму пус1. а 1 2 } Рс}>g f ) (",ВОДИ „сoi". 1 и 0 TCe >. Зсс- ссф> ) ."РДНЗИСТОРЯ В ПРОТИВОПОЛОЖЕН «Ипj цронодимост-. Транзистора

ГO ПОВТОРИТ ЛЯ, БЬГХОД Г}«НЕРЯТОРД Ис. пуль, ОБ I соединен с ВхОДОм счет и

Импулс»Ь>СОВ ВЫХОДЫ КО ) Оро=1 -О О единены с н»ходами дещифраторд 3 ) БВ »

Х О Д КОТОРОГ 0 С 0 Е Д ИН Е Г С сл Е В Н Ь}М: =1 }»Х ОДОМ СХЕМ)>1 с 1 -: „. ВЬГКОД 1(ОТОрОЙ Чe Oeз схему ИЛИ =; соедин=-н с упрянля1нщим

ВХОДОМ СЕНЕDa: ОРЯ сссс ТНЬГЕ HMI,УЛ» ".* =

И УПРЯВЛЯЮЩ)П"i ВХОДОМ ГЕНЕ " рдторя тока 4, Выход которого соединен с перно 1 клеммой 9 с (, для подключения змиттера:}1З;.1еряе>

QO > O Тряиз и>с с. О О я ) сс 1 2)торяя КЛ.:=-МНЯ } О 1 НЛЯ П>ОД1(2Т}2ЧЕНИЯ баЗЫ;-1ЗМ(>НЯ

НОГO ТРЯНЗ>ЯСТОРД) С>ЗЕДИНЕНЯ С :МИТ* с теpoj! ЛОВ ТОрителя l 3:»1 чере 3 токо " огрдничиндюв;ий резистор 7 с бдз(;ОтсекяющеГО т -янзисторя Я-, з:»я."т""ep которого соединен с Вьгкодо}я яст IH— ника ндг1ря2ке1()1я ) 5 Коплек op

1(ЯЮЩЕ ГО -.>2Я}.) З}Я С TOV a 8 СО>:>Д "фн Е «» зой змиттерного понторителя 1 3, -0-".«

11еКТор КОторого соединен с Bxopo i i oKoH0 j.0 К2тючя ) -., Выход котоно гc

l .OePHHeH С Н ТОРЫМ ВХОДОМ СХЕ:"Гс>1 )1:3 с

11р>1 Это>,1 тр.>Ь>» )(qej>ji»q 1 ) для )1р)кл;с)чения коллектора измеряемого

}рянзисторя )2) соединена = общ:>Й

i точкой ток оБОГО ключа . 4 ) а JjeNNB

ЦЕ с(Ь}(2 Hc}OQ Peтсиия Ян»ПЯЕ с C H Пс }Н:Я= щенке точности измерения времени

:.В >2 СОЕДИНЕНЯ С Вто>)ЫМ Нх,)дом

;хс }сь} H)5) 1 1 О 1С. . =1;2 1) Я ) С) с Я сз i с.ДЕДУЮ}1>)с», с б

;: """ I Gi 3 с с,. ,—,Я с>Е - :Сиф)2Д-"с-,= PP C TaHaBI-Ина}>2 с. с-} Внял- отсутстнуе-::.. т,к. Ня нтоэом с

Входе схемы ) о отсутстнует сигнал.

: С "У1>ЯЮ >Ий = БЫКА - Я -ОКОВ>>«> "1>с"

/ тс, 1)

:: с) 11 ГНДЛ >:УСК (:т НН(1}}}НЕ ГО 2 Т120Й

-. !;-}Я„ЗД ПУСК Д ПО т гl! Я)}2111>>ий На H Т,2 Рой

:З- сp, CХЕ1;Ы . :- =11)с ) . - ipH 12 i Cj(3 .- I«. ->>МНСОД . ;с< Г}оянлсе}1111(2 1}д НЫс (»ДЕ =., Ой

-„-. >

- И Hc . Яс Ic " Oiс,)ЫЙ ВС! 3 1С и TF:"

"с с 1>Г)яНЛ>1с-1дсс»1> )2 . 2 } e jeep «}»Oj) a >6>ПУЛЬ>. 0}з 2 с>с>. с}и)IДЮ 1 110 С с сслсс}.! сс 1}улс Ь> С 1: алнбООНaHI>)>}с) ПЕрнодон

-.ле 1 2->aHHя Однанременно сигнал с

ЗЬ},.адя СХЕ} Ы И1)И:, ВК}1Ю- -Е"- Гp c>"-a-> О!. Т j(„Ц с> В Эм)(Т2 j 0>- )>>(2 ЦЕ>П 1-" З! (Е j" uÃ Э ТР.= }НЗИ,.ТС)PB I с. 3 ДДЯЕ T(Я

-О. " .-, : Я . 1-: —:)Сс )-ЕКДЯ, )ÅPe З П»с DHХОД

:с:,,с, -.,>p р-.бсср-, .—. И ЗМЕ r>c-e)10;0 -1 —.,2я}1 "«1 0—

Н>а > Т: Ко .ГР =..Н}ГЬ>F ЯЖЩИЙ ЭEЗHС ТОР с И

ТН-:HHH:TCOH 11 -1, НЯСЫЩЯЕТ т с НЗH("С: —:.

Н j!Q 11K Я)К >с ННЬ}1„; K >c)a e З) лт-;.1))»; —,—,* с с," с,-:=:,, >21!»e}-iИЕ 1-.1: то «Я":СК Я

>" с

)»С".: -.;, С; .}Лс.",.; () P --,OН:ГС РИ (>!IЯ с= с го. »1(1 НДЛ С ВЫХОДЯ т Я(ОНс-)Го

} >Ы )" >2 ПОЯНЛ ЯЕ ) С Я с" НГ1}ЯЛ . . .., O -;«О;)Ый — ТСКД - ° И ГHHi PaTÑ>P «ГЯПУ1>Ь СОВ «:=1(Э -сpHHO} I "ОстОЯКИИ j a HÇI.eO -e—

""212 ТраНЗИСТОрЕ ВЯС 1 Н ЯЕ т(Я 1>1<,Щ—

МОМЕНТ ИЯЧЯ> .a ПЕДБОЙ (()ЯЗЫ) ПрО 10рд1-.:- );:.>ЯЛЬНОЕ Мдс((. }Мaj;1- -IO)?y ..-:, : —:.:-.енн ра сеНННН мощности, С :гналом с>, с. (HP""ЧИК Н)лПУ с)Ь СОВ 2 )rr -}; Я В ЯН = .:. .iCi-->heòñ Я B;I »iЛЕН}. .. 1 )с" 1 (2ЯНИ Е- : }i pH

1 )} .-.;-Том нд выходе дещифрдторд > 120ЯВ OR . .-: —; я ()нгнял, .который пос "уi}дет -ra, Р..2-:: СХЕМЫ 1> 6» В ВЫХОДЕ:- ХЕМЬ> ii >

1204039

ЭНИИПИ Заказ 3436 Тираж 409 Подписное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород ул. Проектная, 4 вторичного пробоя, характеризующийся плавным снижением напряжения коллектор-база измеряемого транзистора

12, напряжение на базе измеряемого транзистора снизится до величины. где 0 р — падение напряжения на переходе база-эмиттер отсекающего транзистора 8. При этом прекратится ток через переход база-эмиттер отсекающего транзистора 8, он запирается, что вызывает прекращение тока через переход база-коллектор повторителя 13 и токовый ключ выключаетг.я.

При выключении ключа 14 сигнал на его выходе исчезает и одновременно исчезает сигнал с выходов схемы

И б и схемы ИЛ1 5, что приводит к отключению генератора тока 4 и гене-, ратора импульсов I. При этом на счетчике 2 фиксируется время рассеяния мощности. Если время рассеяния мощности измеряемого транзистора 12 превышает заданное в дешифраторе 3 значение, то по достижении количеством импульсов, накопленных счетчиком 2, числа, установленного в дешифраторе 3, сигнал с его выхода исчезает, что ведет к отключению генераторг тока 4 и генератора импульсов

1. При этом на счетчике импульсов 2 фиксируется заданное время рассеяния мощности. Чувствительность устройства в части фиксации начала вторичного пробоя определяется разность падения напряжения на переходах база-эмиттер отсекающего транзистора 8 и повторителя 13 и достигает 50100 мВ.

Устройство для измерения времени рассеяния мощности транзисторов Устройство для измерения времени рассеяния мощности транзисторов Устройство для измерения времени рассеяния мощности транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля толщины слоев при изготовлении полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в процессе производительного контроля мощных полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в процессе производительного контроля мощных полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Наверх