Способ определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила
Изобретение относится к методам расшифровки структуры кристаллов. С целью повьшения точности и экспрессности определения координат анионов, измеряют интенсивности дифрагированного рентгеновского излучения для двух соседних анионных рефлексов и координату рассчитывают по их соотношению. 1 табл. а с ьо О5 to
COlO3 СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН (19} (И} (5D4 G 01 1 23/20
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3672904/24-25 (22) 05.12.83 (46) 23.04.86. Бюл. У 15 (71) Иркутский институт инженеров железнодорожного транспорта (72) Ю.А, Розенберг, В.М. Киселев, И.Л. Лунев, Л.И. Клещинский и Л.Г. Андриевская (53) 548.73 (088.8) (56) Уманский Я.С. Рентгенография металлов и полупроводников. М.:
Металлургия, 1969, с. 131-132,.177185 ° (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ
АНИОНОВ В КРИСТАЛЛАХ СО СТРУКТУРОЙ
ТИПА РУТИЛА (57) Изобретение относится к методам расшифровки структуры кристаллов.
С целью повышения точности и экспрессности определения координат анионов, измеряют интенсивности дифрагированного рентгеновского излучения для двух соседних анион— ных рефлексов и координату рассчитывают по их соотношению. 1 табл.
1226208
2 " — =4 cos 2н х, (1)
I 3 где I1> — интенсивность брэгговских
Щ отражений (hkl);
5 x — координата аниона.
Формула (1) получена в кинематическом приближении, оправданном в данном случае малостью интенсивностей используемых анионных рефлексов.
Анионная координата определяется из экспериментально измеренных интенсивностей по формуле х= †„ ° arccos—
1 Т2ю (2)
2 I„, 15 Пример . Определяют координаты анионов в кристаллах со структурой типа рутила: диоксиде олова, диоксиде титана. Интенсивности рефлексов измеряются на дифрактометре
2О ДРОК-2,0 в СиК -излучении. Полученные результаты сведены в таблицу, !
Изобретение относится к методам расшифровки структуры кристаллов °
Целью изобретения является повышение экспрессности и точности определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила, имеет вид:
Материал Интенсивность (имп) 5546 17813
Sn0
0,3113 0,295
0,3819 0,300
Ti0 7874 20615
Погрешность в определении координаты составляет 0,57.
Использование предлагаемого способа сокращает время эксперимента и позволяет уменьшить погрешность определения координаты.
Формула и з о б р е т ения
4О
Способ определения положения анионов в кристаллах со структурой
Сост ав ит ель Т. Владимиров а
Редактор Л. Гратилло Техред Н.Бонкало Корректор Т. Колб
Заказ 2118/36 Тираж 778
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий
113035, Москва, Ж-35„ Раушская наб., д. 4/5
Подписное
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Сущность способа состоит в том, что измеряют интенсивности двух выбранных слабых анионных рефлексов (III) И (210) . Разница в угловых положениях рефлексов (III) и (210) не о превышает 1,5 для СиК-излучения, поэтому различиями в формфакторах и тепловых факторах для этих отражений можно пренебречь. Тогда отношение интенсивностей рефлексов (210) и (III) определяется только структурным множителем, зависящим. только от анионной координаты, и типа рутила, основанный на измерении интенсивности двух брэгговских рефлексов, полученных в результате дифракции рентгеновских лучей на исследуемом кристалле, и расчете координат анионов, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения экспрессности и точности определения координат, измеряют интенсивности двух соседних анионных рефлекс.ов„ а координаты анионов рассчитывают из их соотношения.
