Способ предотвращения налипания материала на стенки емкости

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (SD 4

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

7S g

tlute. 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3768360/27-11 (22) 12.07.84 (46) 30.04.86. Бюл. № 16 (72) М. С. Захарян (53) 621.867.82 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹ 698871, кл. В 65 G 53/16, 1978. (54) (57) 1. СПОСОБ ПРЕДОТВРАЩЕНИЯ

НАЛИГ1АНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА СТЕНКИ ЕМКОСТИ, включающий воздействие на стенку емкости электрическими зарядами

„„SU„„1227574 A1 от источника электрических зарядов, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности предотвращения налипания и расширения области использования, заряды создают на внутренней поверхности стенки емкости путем импульсного изменения величины емкости конденсатора, одной из обкладок которого является указанная стенка.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что изменяют плотность зарядов на поверхности стенки емкости, 1227574

Изобретение относится к хранению и выгрузке сыпучих и жидких материалов и может быть использовано преимущественно для выгрузки порошкообразных и вязких жидких материалов из емкостей в химической, пищевой и др. отраслях промышленности.

Цель изобретения — повышение эффективности предотвращения налипания и расширение области использования.

На фиг. 1 схематично показано устройл во при зарядке конденсатора; на фиг. 2— ..о же, при разрядке конденсатора.

Устройство, реализующее способ, состоит кз емкости со стенками 1 и 2 (являющимися одновременно и обкладками конденсатора), материала 3, обкладок 4 и 5 конденсаторов, диэлектрических покрытий (слоев) 6, 7, 8 и 9, источников 10 и 11 электрической энергии, коммутаторов 12 и !3.

Сущность способа заключается в следующем.

После включения источника 10 электри еской энергии замыкается коммутатор 12 (фнг. 1). Замыкание коммутатора 12 обеспечивает зарядку конденсатора, образованного обкладками 1 и 4 (обкладка 1 одновременно является стенкой емкости), от источника 10 электрической энергии, в результате чего на внутренних поверхностях обкладок 1 и 4 распределяются заряды противоположных знаков, причем величина зарядя, распределенного на каждой из обкладок, определяется из известного соотнон енкя и=с . и, где ci — емкость конденсатора; и -- напряжение источника !О электрической энергии.

11я внешних поверхностях обкладок 1 и 4 заряды и поле практически отсутствуют (ф.i. 2), т. е. заряды и поле на поверхности стенки 1 емкости, с которой соприкасается .,галерка,i 3, практически отсутствуют.

Г1осле зарядки конденсатора коммутатор (2 размыкают и тем самым обрывают связь стенки 1 емкости (обкладки 1) с источником 10 электрической энергии. Обкладку 4 с нанесенным на нее диэлектрическим покрытием 6 удаляют от стенки 1 с диэлектрическим покрытием 7 (фиг. 2). После удаления обкладки 4 первоначальная емкость ci конденсатора значительно уменьшается и в результате этого примерно половина заряда q (но меньше — ) с поверхности стенки 1 емЧ г кости, соприкасающейся с диэлектрическим покрытием 7 (с внутренней поверхности обкладки 1), переходит на поверхность стенки 1 емкости, с которой соприкасается материал 3, и напряженность поля на поверхности стенки емкости, соприкасак)щейся с материалом 3, резко возрастает. При этом материал 3 у стенки 1 заряжается зарядом того же знака, что и стенка и в результате этого возникают кулоновские си20

55 лы, отталкивающие материал 3 от стенки 1, т. е. возникают кулоновские силы, противодействующие адгезии материала 3 со стенкой емкости. Затем возвращают обкладку 4 с диэлектрическим покрытием 6 в первоначальное положение.

После возвращения обкладки 4 !3 первоначальное положение емкость конденсатора восстанавливается до первоначального максимального значения с к конденсатор снова заряжается, в результате чего на поверхности обкладки 1 вновь распределяется заряд

После зарядки конденсатора коммутатор

12 снова размыкают и вновь удаляют обкладку 4 от стенки 1 емкости и т. д.

Поверхностная плотность зарядов на поверхности стенки емкости периодически восстанавливается в результате увеличения и уменьшения емкости конденсатора. образованного обкладками 1 и 4.

Величина кулоновсккх сил отталкивания материала от стенки емкости с увеличением поверхностной плотности зарядов на стенке емкости возрастает. Поэтому адгезионное взаимодействие материала со стенкой емкости можно регулировать путем изменения поверхностной плотности зарядов на стенке емкости. В свою очередь поверхностная плотность зарядов на стенке емкости зависит от напряжения источника электрической энергии. Поверхностную плотность зарядов на стенке емкости можно регулировать путем изменения уровня напряжения источника 10 электрической энергии.

Напряженность поля на поверхности стенки 1, соприкасающейся с материалом 3, может превышать пробивную прочность воздуха (30 кВ/см), что позволяет воздействовать на материал у стенки емкости большими по значению кулоновскими силами отталкивания по сравнению с прототипом.

Причем при истечении из емкости сыпучего материала 3 в случае превышения напряженности поля 30 кВ/см на поверхности стенки 1, соприкасающейся с матерка IoM 3, заряд частицам сыпучего материала 3 будет сообщаться под действием 1Bу» известных механизмов зарядки — контактной зарядки и конной зарядки (в результате осаждения на частицы ионов из объема газа между частицами сыпучего материала).

Емкость конденсатора можно уменьшать также путем поступательного псремегцения обкладкк 4 в направлении, параллельном обкладке 1, Процесс противодействия адгезии жидкостей предлагаемым способом яна lol ичен процессу проткводекстьия ядгсзик сыпучих материалов.

Пограничный слой жидкости, прилегающий к стенкам емкости, несмотря на малый объем, играет весьма с; гцественную роль в движеник жидкости, приче л влкянкк

1227574

Составитель М. Персова

Техред И. Верес Корректор А. Обручар

Тираж 833 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, >К вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал Г1ПП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор M. Петрова

Заказ !996/23 пограничного слоя на движение жидкости возрастает с увеличением вязкости. Поэтому предлагаемый способ преимущественно используют для противодействия адгезии вязких жидкостей со стенками емкости.