Способ измерения скорости насыщения доменных стенок в тонкой магнитной пленке феррит-гранатов

 

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение точности измерения скорости насыщения доменных стенок в тонкой магнитной пленке (ТМП) феррит-гранатов. В соответствии с предложенным способом воздействуют на ТМП последовательностью импульсов основного и дополнительного магнитных полей. Изменяя задержку между указанными импульсами, формируют в пленке полосовой магнитный домен и перемещают его на фиксированное расстояние. Скорость насыщения Vo определяют по формуле - /-1, где L - расстояние, на которое переместился полосовой домен, /i и /2 - соответственно время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей в начале и после окончания перемещения полосового домена. 4 ил. сл Ю оо 00 ел 4

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

К АBTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3809686/24-24 (22) 06. 1 1.84 (46) 15.06.86. Бюл. № 22 (71) Донецкий государственный университет (72) Ф. Л. Вайсман, Ю. И. Горобец и О. В. Ильчишин (53) 681.327.66 (088.8) (56) IEEE Trans. Magn., V.NAG-15, № 2, 1979, р. 528.

Josephs R. М. AIP Conf. Proc., ¹ !О, 1973. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ СКОРОСТИ

НАСЪ|ЩЕНИЯ ДОМЕННЫХ СТЕНОК В

ТОНКОЙ МАГНИТНОЙ ПЛЕНКЕ ФЕРРИТ-ГРАНАТОВ (57) Изобретение .относится к области вычислительной техники и может быть исполь„„SU„„1238154 А1 зовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) . Целью изобретения является повышение точности измерения скорости насыщения доменных стенок в тонкой магнитной пленке (ТМП) феррит-гранатов. В соответствии с предложенным способом воздействуют на ТМП последовательностью импульсов основного и дополнительного магнитных полей. Изменяя задержку между указанными импульсами, формируют в пленке полосовой магнитный домен и перемещают его на фиксированное расстояние. Скорость насыщения Vp определяют по формуле

V0= L/4 — tn где L — расстояние, на которое переместился полосовой домен, Е1 и t2— соответственно время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей в начале и после окончания перемещения полосового домена. 4 ил.

1238154 пленки. Увеличивают мплитуду импульсов дО пол ".чения . Пух Ветра чных !)ешеток пОлОсовых дом HoB, !)азделенных доменом противоположной .а 4агниченности 9 (фиг. 2 и 4) .

Токами в аппликациях 2 (фиг. и 2) создают периодическую последовательность импульсов дополнительного магнитного поля

Н;, синхронизированного по времени и направленного противоположно основному полю Н„, формирующему РПД. Величина дополнительного поля Н;; roñòàâëÿåò порядка

0,3 От величины основного магнитного поля Н, по линии нулевого градиента. Вводят и чвеличивают задержку между импульсам п генераторов 7 и 8 "Io получения на пулевой отметке окуляра микроскопа 6 полосового домена 10 (фиг. 4а). Фиксируют величину задержки / (фиг. 4в) между импульсами генераторов 7 и 8. Увеличи45

55

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) .

Целью изобретения является повышение точности измерения скорости насыщения доменных стенок в тонкой магнитной пленке (ТМП) феррит-гранатов.

На фиг. 1 приведена блок-схема устройства для реализации предложенного способа; на фиг. 2 — система аппликаций на поверхности ТМП; на фиг. 3 в плоскости Х=О на участке, ограниченном аппликациями, схематически приведены распределения перпендикулярных плоскости пленки cocTBBJlHIollIHõ основного импульсного магнитного поля, формирующего решетки полосовых доменов (кри- I5 вая А), и дополнительного импульсного магнитного поля (кривая Б); на фиг. 4— временные диаграммы, иллюстрирующие предложенный способ.

Устройство для реализации предложен20 ного способа содержит проводниковые апплика,HH кр глого сечения. 1 и 2, наклеенные на предметный столик 3, исследуемую тонкую магнитную пленку 4, поляризационный осветитель 5, поляризационный микроскоп 6, генератор импульсов 7, подключенный к анпликациям 1, генератор импульсов 8, подключенный к аппликациям 2 и синхронизированный по времени с генератором 7.

Система проводниковых аппликаций 1 и 2 (фиг. 2) изображена в плоскости 30 пленки 7=0 с указанием стрелками направлений токов, при этом магнитный момент в решетке полосовых доменов (РПД) обозначен крестом и направлен вниз.

Предложенный способ осуществляют следующим образом. 35

Исследуемую пленку 4 (фиг. 1) освещают поляризованным светом и ее доменную структу.ру наблюда от в микроскопе 6.

Токами в аппликациях (фиг. 1 и 2) создают пе оиодическчю последовательность им40 пульсов основного неоднородного магнитного поля (H„) перпендик тлярного плоскости вают задержку до перемещения полосового домена 10 (фиг. 46) на контрольную отметку окуляра. Фиксируют величину задержки 4. Скорость насыщения VII определяют по формуле

V—

L а 2 где L — расстояние, на которое переместился полосовой домен;

11 — время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей, соответствующее положению полосового домена в фиксированном участке пленки;

t2 — время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей, соответствующее положению полосового домена после его перемещения в пленке на расстояние L.

Время 1з соответствует моменту заполнения решетками полосовых доменов области между аппликациями 1 и образованию полосового домена 9 (фиг. 2 и 4).

Длительность импульсов генератора 7 выбирают в диапазоне 1 — 10 мкс. Длительность импульсов генератора 8 устанавливают порядка 0,1 мкс. Неоднородность дополнительного поля, создаваемого аппликациями 2 в области, ограниченной аппликациями 1, менее 30%.

Погрешность определения скорости насыщения предложенным способом, ограниченная в основном погрешностью определения времени задержки между импульсами генераторов 7 и 8, составляет менее 1%. Способ практически не требует времени на обработку экспериментальных данных и проведения микрометрических измерений.

Наличие дефекта с размерами, не превышающими размер по.чя зрения микроскопа, не влияет на реализацию способа, поскольку влияние дефекта выявляется по искажению формы решетки в месте локализации дефекта, а измерение производится на бездефектном участке. Кроме того, предложенный способ позволяет определять анизотропию скоростей насыщения, обусловленну о наличием в TDHKoH магнитной пленке кубической, ромбической и наклонной компонент анизотропии.

Формула изобретения

Способ измерения скорости насыщения доменных стенок в тонкой магнитной пленке феррит-гранатов, основанный на воздействии на тонкую магнитную пленку поляризованным светом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения скорости насыщения доменных стенок, воздействуют на тонкую магнитную пленку периодической последовательностью импульсов основного йеоднородного магнитного поля, 1238154

2 стиг.2 перпендикулярного плоскости пленки, увеличивают амплитуду основного неоднородного магнитного поля до получения в тонкой магнитной пленке двух встречных решеток полосовых доменов, воздействуют на тонкую магнитную пленку дополнительным импульсным магнитным полем, синхронизированным по времени и направленным противоположно основному неоднородному импульсному магнитному полю, задерживают импульсы дополнительного магнитного поля по отношению к импульсам основного магнитного поля до получения на фиксированном участке тонкой магнитной пленки полосового домена, перпендикулярного одной из решеток полосовых доменов, фиксируют время задержки между импульсами основного и до- )5 полнительного магнитных полей, увеличивают задержку до перемещения перпендикулярного полосового домена вдоль решетки полосовых доменов на фиксированное расстояние, фиксируют время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей, а скорость насы щения доменных стенок определяют по формуле

L о = — 2 1 где Vo — скорость насыщения доменных стенок;

L — расстояние, на которое переместился полосовой домен;

/ — время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей, соответствующее положению полосового домена в фиксированном участке пленки;

4 — время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей, соответствующее положению полосового домена после его перемещения в пленке на расстояние L.

1238154 г,, Составитель 1О Розенталь

Техред И. Всрес Корректор M. Демчик

Тираж 543 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретении и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор А. Гулько

Заказ 3298/53