Способ управления продвижением магнитных доменов и устройство для его осуществления

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических маг- ; нитньк доменах. Целью изобретения является повьшение быстродействия --.J устройства для создания управляющего магнитного поля. Управление продвижением магнитных доменов осуществляют воздействием на доменосодержащую пленку магнитным полем путем приложения к ней сверхвысокочастотных стоячих волн и изменяют их распределение , регулируя фазу СВЧ-колебаний. Устройство содержит щелевую линию передачи, соединенную с генератором и с фазовращателем отражательного типа. Устройство может содерж ать дополнительные последовательно соединенные генератор, щелевую линию передечи и фазовращатель отражательного типа, причем основная и дополнительная щелевые линии передачи развернуты одна относительно другой на 90°. 2 с. и 1з. п. ф-лы, 2 ил. СО с го ю ;о 00 tc со

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОцИАЛИСТичЕСНих

РЕСПУБЛИН

1 у 4 G 11 С 11/14

/ .В(„„

ГОСУДАРСТЯЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

Ilo делАм изОБРетений и ОтнРитий (21) 3790916/24-24 (22) 20.09.84 (46) 07.05.86. Бюл. Ф 17 (72) Е.П.Паринов, В.П.Сондаевский и С.И.Ольховский (53) 681.327.66(088.8) (56) Заявка Франции В 2280183, кл. G 11 С 19/08, опублик. 1976.

Авторское свидетельство СССР

Ф 428451, кл. G 11 С 11/16, 1973. (54) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОДВИЖЕНИЕМ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ

ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройстб на цилиндрических маг» нитных доменах. Целью изобретения

1 является повышение быстродействия.Л0„„229823 А1 устройства для создания управляющего магнитного поля. Управление продвижением магнитных доменов осуществляют воздействием на доменосодержащую пленку магнитным полем путем приложения к ней сверхвысокочастотных стоячих волн и изменяют их распределение, регулируя фазу СВЧ-колебаний.

Устройство содержит щелевую линию передачи, соединенную с генератором и с фазовращателем отражательного типа. Устройство может содержать дополнительные последовательно соединенные генератор, щелевую линию передечи и фазовращатель отражательного типа, причем основная и дополнительная щелевые линии передачи развернуты одна относительно другой на

90 . 2 с. и 1з. п. ф-лы, 2 ил, 1229823

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦИД). S

Целью изобретения является повы..ение скорости продвижения магнитных доменов, а также повышение быстро-. действия устройства для создания управляющего магнитного поля. 10

На фиг. 1 и 2 изображены конструкции устройства для создания управляющего магнитного поля для реализации предложенного способа.

В соответствии с предложенным 13 способом управление продвижением магнитных доменов осуществляют воздействием на доменосодержащую пленку магнитным полем, причем это воздействие осуществляют путем приложения к ней 20 сверхвысокочастотных стоячих волн и изменяют их распределение, регулируя фазу СВЧ-колебаний.

Управление магнитными доменами в пленке осуществляют непосредственно через магнитный компонент СВЧ-колебаний ортогональной поверхности пленки. Под воздействием этого компонента локально в плоскости пленки изменяется величина постоянного магнит- 30 ного поля Н, т.е. в соответствии с распределением СВЧ-колебаний относительно поверхности пленки. Вследствие этого результирующее поле в локальных зонах уменьшается до величины, соответствующей стабильному существованию магнитных доменов. Перемещение таких локальных эон вместе с магнитными доменами, если они в этих зонах находятся, происходит при 40 изменении фазы СВЧ-колебаний, которую можно варьировать со скоростью большей, чем СВЧ-колебаний.

Устройство для создания управляющего магнитного поля содержит (фиг.1) магнитосвязанную с доменосодержащей пленкой 1 щелевую линию 2 передачи, соединенную с одной стороны с генератором 3, а с другой стороны с фазовращателем 4 отражательного типа. Ис- 0 точник 5 постоянного магнитного поля

И расположен вблизи пленки 1.

Устройство для создания управляющего магнитного поля может содержать (фиг. 2) дополнительные последовательно соединенные генератор 6, щелевую линию 7 передачи и фазовращатель 8 отражательного типа, причем основная и дополнительная щелевые линии передачи развернуты одна относительно другой на 90 .

Первое устройство (фиг. 1) может быть применено в ЗУ на магнитных носителях информации, например ЦМД, вертикальных блоковских линиях, уп-. равляемых с помощью сканирующего магнитного поля.

Второе устройство (фиг. 2) можно применять в ЗУ для управления отдельными ЦИД или потоками, в частности по траекториям, образованным доменопродвигающими структурами (ферромагнитными, ионно-имплантированными и др.) посредством вращающегося магнитного поля.

Первое устройство (фиг. 1) работает следующим образом.

Источник 5 постоянного магнитного поля Н воздействует на пленку 1 постоянным полем определенной величины, соответствующей требуемому состоянию магнитных доменов — в форме полосовых или цилиндрических. При подаче колебаний генератора 3 в щелевую линию 2 в ней образуется магнитное поле в виде СЬЧ стоячей волны. Фаза этого поля, задающая скорость переме-. щения магнитных доменов в пленке регулируется с помощью электрических сигналов, подаваемых на отражательный фазовращатель 4. В устройстве, содержащем одну щелевую линию, образуется сканирующее магнитное поле, воэ. действующее на магнитные домены в пленке 1.

Второе устройство (фиг. 2) работает следующим образом.

Источник 5 постоянного магнитного поля воздействует на пленку 1 постоянным полем определенной величины, соответствующей требуемому состоянию магнитных доменов — в форме полосовых или цилиндрических. При подаче колебаний генераторов 3 и 6 в щелевые линии 2 и 7, развернутые на 90 одна относительно другой, в каждой из них образуется соответствующее магнитное поле в виде СВЧ стоячей волны. В этом устройстве управление магнитными доменами в пленке 1 осуществляется посредством вращающегося магнитного поля, распределение которого изменяется регулированием фазы

СВЧ-колебаний с помощью фаэовращателей 4 и 8 при подаче на них электрических сигналов, сдвинутых на 90

1229823

Предложенные способ и реализующие его устройства способны обеспечить рабочие частоты до 1000 ГГц.

Формула изобретения

1. Способ управления продвижением 5 магнитных доменов, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку магнитным полем, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повышения скорости продвижения магнитных доменов, воздействие на доменосодержащую пленку магнитным полем осуществляют путем приложения к ней сверхвысокочастотных стоячих волн и изменяют их распределение, регулируя фа- 15 зу СВЧ-колебаний.

2. Устройство для создания управляющего магнитного поля, содержащее генератор, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия устройства, оно содержит последовательно соединенные щелевую линию передачи и фазовращатель отра- жательного типа, причем вход щелевой линии передачи подключен к выходу генератора.

3. Устройство по п. 2, для создания управляющего магнитного поля, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что оно содержит дополнительные последовательно соединенные генератор, щелевую лйнию передачи и фазовращатель отражательного типа, причем основная и дополнительная щелевые линии передачи развернуты одна относительно о другой на 90

1229823

Составитель Ю.Розенталь

Техред И.Попович Корректор А.Обручар

Редактор Л.Гратилло

Тираж 543 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 2454/52

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ управления продвижением магнитных доменов и устройство для его осуществления Способ управления продвижением магнитных доменов и устройство для его осуществления Способ управления продвижением магнитных доменов и устройство для его осуществления Способ управления продвижением магнитных доменов и устройство для его осуществления 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к запоминаюпщм устройствам, и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при исследовании и контроле магнитных интегральных схем (МИС) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении магнитных интегральных схе.м на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх