Способ создания металлизации интегральных микросхем

 

Способ создания металлизации интегральных микросхем, включающий нанесение на полупроводниковую пластину с активными и пассивными областями металлических слоев, преимущественно алюминия, формирование разводки, термообработку, осаждение диэлектрического слоя и его травление в области контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем, термообработку осуществляют в инертной среде после травления диэлектрического слоя, при этом нагревают полупроводниковую пластину до температуры 363-383 K, выдерживают при этой температуре 4-6 мин, нагревают до температуры 473-823 K, выдерживают 20-30 мин, охлаждают со скоростью 60-80 град/мин до температуры 363-383 K и выдерживают 4-6 мин.