Устройство для отбраковки мощных транзисторов

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

Устройство для отбраковки мощных транзисторов, содержащее клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, соединенную с выходом стабилизатора тока, клемму для подключения базы испытуемого транзистора, соединенную с общей шиной, клемму для подключения коллектора испытуемого транзистора, вольтметр, измерительный вход вольметра соединен с выходом генератора линейно нарастающего напряжения, а вход синхронизации вольтметра подключен к последовательно соединенным формирователю импульсов и дифференцирующей цепи, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности отбраковки транзисторов, в него введены аналоговый сумматор, генератор низкой частоты, усилитель низкой частоты в выпрямитель, причем один из входов аналогового сумматора соединен с выходом генератора линейного нарастающего напряжения, а второй вход - с выходом генератора низкой частоты, выход аналогового сумматора соединен с клеммой для подключения коллектора испытуемого транзистора, вход усилителя низкой частоты соединен с клеммой для подключения эмиттера испытуемого транзистора, выход усилителя низкой частоты соединен с входом выпрямителя, выход которого подключен к входу дифференцирующей цепи.

Изобретение относится к устройствам для коррекции характеристик управления полевых транзисторов, варикапов и других нелинейньпс элементов (НЭ) с повьпленной нелинейностью и температурной стабильностью в широком динамическом диапазоне коррекции и может быть использовано в качестве образцовых, управляемых электронным путем проводимостей при автоматизации измерений и других технологических процессов

Устройство для идентификации нелинейных элементов по параметрам вольт-амперных характеристик // 1241166

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике

Способ определения тепловой постоянной времени кристаллов биполярных транзисторов // 1238007

Способ определения полных входного и выходного сопротивлений свч-транзисторов // 1238006

Изобретение относится к технике измерений на СВЧ и может использоваться для измерения полных входного и выходного сопротивлений СВЧ-транзисторов (т) в режиме болыпого сигнала

Характериограф // 1238005

Изобретение относится к области автоматики и измерительной техники

Устройство для испытания полупроводниковых приборов // 1234793

Изобретение относится к полупроводниковой (ПП) технике

Способ комплектования в пары изделий,преимущественно фотоэлектрических пар "излучатель-приемник // 1234792

Изобретение относится к области приборостроения и позволяет уменьшить разброс контролируемого параметра у комплектуемых п.ар и сократить число некомплектных изделий в способе комплектования в пары изделий

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках // 1232029

Устройство для разбраковки силовых полупроводниковых приборов // 1231478

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к устройствам для испытаний силовых полупроводниковых приборов

Устройство для контроля теплового сопротивления тиристоров // 1215492

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим