Устройство для контроля теплового сопротивления тиристоров

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

Устройство для контроля теплового сопротивления тиристоров, содержащее источник постоянного напряжения, источник опорного напряжения, первый выход которого соединен с общей шиной устройства, три шины для подключения соответственно катода, анода и управляющего электрода контролируемого тиристора, вольтметр, первых вход которого соединен с шиной для подключения катода контролируемого тиристора, а второй вход вольтметра соединен через размыкающий контакт реле с шиной для подключения анода контролируемого тиристора, шина для подключения управляющего электрода которого соединена с выходом источника тока управления, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено двумя резисторами, тремя замыкающими контактами реле, при этом первый замыкающий контакт и размыкающий контакт реле выполнены в виде переключающего контакта, источник тока управления выполнен в виде операционного усилителя, инвертирующий вход которого соединен через первый резистор с шиной для подключения катода контролируемого тиристора и через второй замыкающий контакт реле - с положительным полюсом источника постоянного напряжения, отрицательный полюс которого соединен через первый замыкающий контакт реле с шиной для подключения анода контролируемого тиристора, шина для подключения катода которого соединена с общей шиной устройства через параллельно соединенные второй резистор и третий замыкающий контакт реле, второй выход источника опорного напряжения соединен с неинвертирующим входом операционного усилителя.

Устройство для измерения напряжения на тиристорах при включении // 1212172

Изобретение относится к области контроля готовых полупроводниковых приборов и может быть использовано при исследовании процессов напряжения на включающихся тиристорах

Устройство для обнаружения коротких замыканий и обрывов в полупроводниковых приборах // 1211675

Устройство для измерения времени рассеяния мощности транзисторов // 1204039

Устройство для исследования процессов релаксации емкости полупроводниковых диодов // 1196784

Устройство для подключения мощных диодов // 1195307

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в процессе производительного контроля мощных полупроводниковых приборов

Способ диагностики двумерной проводимости в полупроводниковых материалах // 1190315

Устройство для измерения параметров тиристоров // 1187113

Устройство для измерения параметров мдп-структур // 1179232

Устройство для визуальной индикации характеристик полупроводниковых приборов // 1164637

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим