Неразрушающий способ определения толщины покрытия на кристаллической подложке

 

С целью повышения экспрессности и упрощения способа определения толщины покрытия на кристаллической подложке с использованием дифракции рентгеновских лучей предложено осуществить измерение брэгговского угла дифракции любого отражения для исследования образца и эталона, который выполняется из материала подложки. Толщину покрытия определяют по разности измеренных брэгговских углов о Расчетные соотнощения для определения искомой толщины различны для случаев рентгеносъемки с фокусировкой по Брэггу-Брентано и по Зееману-Болину. (Л ГС j; со 4

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5D 4 ° О! | 23/20.ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3705329/24-25 (22) 01.03.84 (46) 07.08.86. Бюл. 11 29 (71) Ленинградское научно-производственное объединение Буревестник (72) Н, Ф. Дроздова, А, А. Евграфов, Н. Х. Назарян, Ю. И. Погиэктов и Г. Г. Чирков (53) 621.386(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 270259, кл. G 01 В 12/03, 1968, Авторское свидетельство СССР

В 420919, кл, G 01 N 23/2?, 1974.

Авторское свидетельство СССР

Ф 851211, кл, G 01 N 23/20, 1980, Чайковский 3. Ф. и др, Рентгено— графическое определение толщины эпитаксиальных кристаллических пленок:—

Сб, АМРА, 1967, вып. 1, с. 186-195.

„„SU„, 1249414 А1 (54) НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЪ| ПОКРЫТИЯ НА КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ (57,) С целью повышения экспрессности и упрощения способа определения толщины покрытия на кристаллической подложке с использованием дифракции рентгеновских лучей предложено осуществить измерение брэгговского угла дифракции любого отражения для исследования образца и эталона, который выполняется из материала подложки. Толщину покрытия определяют по разности измеренных брэгговских углов, Расчетные соотношения для определения искомой толщины различны для случаев рентгеносъемки с фокусировкой по

Брэггу-Брентано и по Зееману-Болину, (т

}}зобре -:ение т

\ (, ЛОЖКИ С 1тОК В)Т.:и : IHc ТО" и .)д; Ож: i

Fi s i )>,>ч

) C0c g! (..;.- )!! . i ;i" (:)iPl: т

НОСтРУКтУРНОМУ -!H.i:.и=., =-ия на Kp>I() (>1(>)()(-)е(.(О может быть исполь.;0) ..В:. (.

ШаЮ}()ЕГО КОНТ(>О:lя ) С:Л)т т„(:l зпитаксиальных и т)С ПОЛН Зт,ТЕМЫ.:,. В-..E - Г, —, т

В ОДНИКОВЬ)(Х 1;, >ИОО 00!.

СХИМ E D;=,П(нт".

Ii

ЦрЕДЛВГС(т-;-,)Вт((! С т>(. (, „-;, ->;. (JIPä0Â3Í}- И т - = - . > ° >,т трубопроводов и д,),,; та:", —.0. !

)ССЛЕДОВ : т)!.. .": ., тс)-:(". т)РИ КООООЗ)) 1

ЦЕт1-.. ИЗобр- : -ЕН)-::-)

ЦРЕСС)то ТИ )10Е1!Е();-. . -!Я . )(! т ИЯ Н у T); Îf;<.. т)(С) >

Сущность способ:;. з (лед >л(>ще)(, НрН дифрак-,ии ге.i (ãt lo):ñ

)ей от какой — либо сoз:;ии кристалличсской }(0,00:)!ê-,:: E

Вии покpb!Tия прОис; >.О,:".)-. ч яжеcòè,öHôpE кциoн;-;::, HЗМЕ; —;ЕНИЕ ОO- т .-0>-,. „.-т";,. (Л Е Д C "." В т, E 0 .- Р

ДИфракцнн ПЛОС .ОС ",: 0-.(т -,: ...С

I;одложки -смеЩВ; ы с ..;:тс»-.>)c из>т)1(>,i-..-.: ности. На Hзме}!еп}!}-, В.-.—..-: и : —:-.: } (> P 3 Г Г (> В C К О Г О;.т Г тт i " -(Г;; = К )" .; i,. либо сеои"т Г то с к )("-- "-:;); .— -; крытием от изме-..ен !о="

ГовскогÎ угл» дт})(т;))..-. ;П>ПЛОСКОСТСЙ -)HC O T -)(т- . -т(т.-т.

МЕтОДИКа ИЗМЕРЕН)(Я .>;):.,:т,); ((--;:..

В предлага смоib О.тес с;::,-HH)() OP9E: 0E KC1 „>, )а .(т,,>-, щения Kpис . алли I: ° (УСИРУЮЩОЙ ОКРУ )т)(0 >З-, голщине покрыт:-я i!::: C

:СРИС ТВЛЛИ()Е К )iÍ . >: ... ОЕ.четные соот}!0)))е)!т,-;-:,.- л}т толщины (;, :..GK pblт}Iÿ на Kp . ..), С . - =

КОЙ подложке различ:-.:b".. ) i pH .> !, графировании по схеме :-. » -.! - -. -.. - -. ):i.

ГДЕ ", — раДИуC фОКуС})ру)т!!))Е)1(()Kp ;".i;El(C ТИ бра ГГОВСК>ти) у ГО));CIÎp())(. )>З)>: подло:KKH Р— величина ."."!е))10))ия бр.-;Гт т.

): )l l;

l> -, -, . т

3 )>,>З .. (.) .l; l т:0(Г:т т! >,.т:.(т.:т-;. :

i O (,:! .Г!;, !) -; а т,: >: i; -,,,; i- P Å)(i: п4

СОСта IHтЕЛ! F. r СндОХИ!.

Техрел ? . Оле и н -« ." Сррек i

Редактор Е. Пап.-.

Заказ 4228/44

Тираж 778 ОД!11:С Н С Е

ВНИИПИ Государстве!иного ко:.!Итe-т,.;а -СССР по делам изобретений 1! or êp I-,чгй

113035, Москва., iK-35, Раущская 1«аб .. ц, - :, 5

Производственно-по-!играфическое предприятие, ;. Ужгород. ;.. †., !. Роект.:., — :, что в этом случае метод является более грубым по сравнению с пре.ыдущим, .так как точность его составляет

17 мкм. Но поскольку он реализует"ÿ". на стандартной дифрактометрической аппаратуре, то может быть успещно применен для контроля толщинаi субмикронных покрытий. ф о р м у л а и з о б р е — е 1! H &i

Неразрушающий способ огре Eerie!!HI: толщйны покрытия на крис гал7ической подложке, включающий обл Hrii ие opIIHца, установленного в держате7е !ИЬрактометра с фокусировкой:;с Б эг ;—

Бре1г! ано или Зееману — Бо:!Ину., учком

3 рентгеиовских лучей и регистра 7!а излучения, дифрагированного попло: — :.— кой 0 т 7 и ч а ю щ и 1.! я е.=. -. что, с целью повышения экспрес! ности и упрощения способа, измеряют брэ"а IpÿæåEIHH пля;-;бра -,--.а полненного и"- : =: Topi!ä-. с -...-;-; -бспокр .тия. и -с разнос . и глс-:: л,:.:: HакEiHE R образца и эта-rîH7 нахопят тс!!—

"1!н, .вг„.ожки из сост::сз .е: л7я рент ге11осъекки с фокусировкой 110

Брэ-гу-Бре-тл:! и

I 1

Г э 7

° ° - 1

Зе е ;!с ну-О О.. :!! 1 е — Гс- 1" " !ñ ë " сир . юЦсй ОкружнОс . и; < — б !1э I-т о1!Ок11й (:I .ИфчаКЦИИ Ма. ЕРИа.!1а 1 ог110;!:.ë1I; угол падения ре! .тгеновского излу:;r !!!!я -а ооразец