Устройство для контроля критической скорости нарастания напряжения тиристоров в закрытом состоянии

 

Изобретение относится к электронной технике, может быть использовано для измерения критической скорости нарастания напряжения тиристоров в закрытом состоянии и для классификации по этому параметру. Целью изобретения является обеспечение нераэрушающего контроля тиристоров. Поставленная цель достигается тем, что в устройство, содержащее формирователь 1 трапецеидальных импульсов испытательного напряжения с регулируемым фронтом и амплитудой полки, дополнительно введены электронный ключ 2, источник 3 тока, датчик 4 состояния испытуемого тиристора и уснлитель-формкрователь 5 импульсов управления. Все устройство подключается к испытуемому тиристору 6. Определение величины критической скорости нарастания анодного напряжения испытуемого тиристора производится методом проб по сигналам Брак, Годен, поступающим от датчика 4, и параметрам настройки формирователя 1 . 2. ил.

СОЮЗ СОНЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУ БЛИН (19) (И) дР 1 G 01 К 31/26

ГОСУД Ч СТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ! (21} 3712623/24-21 (22) 20.03.84 (46) 15.09.86. Бюл. у 34 (7 1) Научно-исследовательский институт Производственного объединения

"Таллинский электротехнический завод ии. М.И.Калинина" (72} Е.А.Грицевскнй и В.В.Синицын, (53) 621,382.2(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 429384, кл. G 01 В 31/26, 1975.

Авторское свидетельство СССР

Ф 771577, кл. (01 R 31/26, 1980. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ КРИТИЧЕСКОЙ СКОРОСТИ НАРАСТАНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ТИРИСТОРОВ В ЗАКРЫТОМ СОСТОЯНИИ (57) Изобретение относится к электронной технике, может быть использовано для измерения критической скорости нарастания напряжения тиристоров в закрытом состоянии и для классификации по этому параметру. Целью изобретения является обеспечение неразрушающего контроля тиристоров. По-. ставленная цель достигается тем, что в устройство, содержащее формирователь 1 трапецеидальных импульсов испытательного напряжения с регулируе мым фронтом и амплитудой "полки", дополнительно введены электронный ключ 2, источник 3 тока, датчик 4 состояния испытуемого тиристора и усилитель-формирователь 5 импульсов управления ° Все устройство подключается к испытуемому тиристору 6.

Определение величины критической скорости нарастания анодного напряжения испытуемого тиристора производится методом проб по сигналам "Брак", "Годен", поступающим от датчика 4, и параметрам настройки формирователя 1. 2.ил.

1257585

Изобретение относится к электрон- 1 ной технике и может быть использовано для измерения критической скорости нарастания напряжения тиристоров в закрытом состоянии и для классификации их по этому параметру.

Целью изобретения является обеспечение неразрушающего контроля тиристоров, что позволяет предотвратить необра1 имый пробой тиристоров при испытаниях, в частности разрушение испытуемого тиристора при переключении его по аноду, на фронте и на "полке" испытательного импульса как при определении критического значения dU/dt, так и при определении времени выключения.

На фиг. 1 приведена схема устройства для контроля критической скорос.ти нарастания напряжения тиристоров в закрытом состоянии; на фиг. 2 принципиальная схема одного иэ вариантов построения предлагаемого устройства.

Ф

Устройство состоит иэ формирователя 1 трапецеидальных испытательных импульсов напряжения с регулируемым фронтом и амплитудой полки, электронного ключа 2, источника 3 тока, датчика 4 состояния испытуемого тиристора, усилителя-формирователя 5 импульсов управления. Все устройство подключено к испытуемому тиристору.

Формирователь 1 испытательных импульсов через электронный ключ 2 соединен с испытуемым тиристором.

Параллельно ключу 2 подсоединен источник 3 тока с датчиком 4 состояния тиристора. Выход датчика состояния подключен к входу усилителя-формирователя 5, выход последнего подсоединен к управляющему входу испытуемого тиристора, к запирающему входу формирователя 1 испытательных импульсов напряжения.

Устройство работает следующим образом.

Формирователь 1 испытательных импульсов вырабатывает трапецеидальный импульс напряжения с заданными параметрами (скорость нараатания переднего фронта, амплитуда н т„д.). .Этот импульс поступает на испытуемый тиристор. Если скорость нарастания напряжения ниже критической для испи— туемого тиристора, то последний не открывается, а ключ 2 остается открытым. От датчика 4 состояния в форми%

25 за

50 рователь поступает сигнал Годен т.е, испытуемый тиристор выдерживает напряжение с заданной скоростью нарастания. При поступлении сигнала

Годен" формирователь можно перестроить на другие параметры (более высокую скорость нарастания напряжения}.

Если скорость нарастания напряжеHHH выше критической для данного йспытуемого тиристора, то последний начнет включаться и через него .потечет ток. Когда ток через испытуе" мый тиристор превысит значение тока, определяемого параметрами источника 3 тока, электронный ключ 2 закроется и последовательно испытуемому тиристору 6 окажется включен источник 3 тока. При этом сработает датчик 4 состояния испытуемого тиристора 6, причем это произойдет в момент начала включения последнего (иа фронте или на полке испытательного импульса напряжения) . Датчик 4 состояния запускает усилитель-формирователь 5, который выработает импульс управления, который подается на управляющий электрод испытуемого тиристоГ ра и надежно включает его. Кроме того, от датчика состояния в форийрователь 1 поступает сигнал "Брак", по которому формирователь 1 можно перестроить на менее высокую скорость нарастания напряжения.

Таким образом, определение величины критической скорости нарастания анодного напряжения испытуемого тиристора производится методом проб по cBrHBJlaM нБракв„ "Годен"у поступающим от датчика 4, и параметрам настройки формирователя

В качестве электронного ключа на фиг. 2 используется полупроводниковый диод 6, В качестве источника тока — источник напряжения 7 с резистором 8, шунтированный диодом 9 и индуктивностью 10, Индуктивность 11 служит для выработки сигнала запуска усилителя-формирователя 5 . Схема последнего не раскрыта, так как она тривиальна.

Устройство согласно фиг. 2 работает следующим образом,.

По цепи: диод 6 — индуктивности 10, 11 — источник 7 — резистор 8, постоянно протекает ток Е, величина которого определяется параметрами исто шика 7 н резистора 8 (внутренними сспротивленнями нндухтивностей 10

585

Составитель С. Гуменюк

Техред А.Кравчук Корректор А.Зииокоеов

Редактор И.Келемеш

Тирах 728 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 4915/45

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæroðîä, ул.Проектная, 4

3 1257 и 11 пренебрегают). Как только испытуемий тиристор начинает включаться на индуктивностях 10 и 11, начнет подниматься напряжение. Этот цодъем напряжения запустит усилитель-формирователь 5, который выработает мощный импульс запуска испытуемого тиристора (улучшит ему условия включения) и одновременно выработает сигнал для эапирания формирователя 1 испытательных импульсов.

Применение предлагаемого устройства позволяет обеспечить возможность неразрушающего контроля при определении критической скорости нарастания напряжения тиристоров в закрытом состоянии, повысить процент выхода годных тиристоров, повысить надежность тиристоршв.

Формула изобретения

Устройство для контроля критической скорости нарастания напряжения тиристоров в закрытом состоянии, содерлшае формирователь трапецеидаль-. д ных импульсов испытательного, напряжения, о т л н ч а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения вероятности разрушения тиристоров при контроле, оно снабжено электронным ключом, источником тока, датчиком состояния испытуемого тирнстора и усилителемформирователем, при этом вход электронного ключа подключен к выходу формирователя трапецеидальных импульсов испытательного напряжения и через источник тока — к первому входу датчика состояния испытуемого тиристора, второй вход которого соединен с выходом электронного ключа и клеммой для подключения анода испытуемого ти" ристора, а выход датчика состояния испытуемого тиристора соединен через усилитель-формирователь с выключающим входом формирователя трапецеидальных импульсов испытательного напряхения и с клеммой для подключения управляющего электрода испытуемого тиристора, клемма для подключения катода которого соединена с общей шиной., Ё

Устройство для контроля критической скорости нарастания напряжения тиристоров в закрытом состоянии Устройство для контроля критической скорости нарастания напряжения тиристоров в закрытом состоянии Устройство для контроля критической скорости нарастания напряжения тиристоров в закрытом состоянии 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам диагностического контроля теплового сопротивления силового полупроводникового прибора (ПП), которые используются, например , для контроля теплопередачи от силового ПП к охладителю

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к технике измерения и контроля параметров полупроводниковых приборов

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к устройствам для коррекции характеристик управления полевых транзисторов, варикапов и других нелинейньпс элементов (НЭ) с повьпленной нелинейностью и температурной стабильностью в широком динамическом диапазоне коррекции и может быть использовано в качестве образцовых, управляемых электронным путем проводимостей при автоматизации измерений и других технологических процессов

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике

Изобретение относится к технике измерений на СВЧ и может использоваться для измерения полных входного и выходного сопротивлений СВЧ-транзисторов (т) в режиме болыпого сигнала

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх