Способ фотохромной записи оптической информации на аморфных пленках высших оксидов переходных металлов с адсорбированным на их поверхности демитилформамидом
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51)4 G 03 G 5/04, Г 03 С 1/74
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АBTGPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Изобретение относится к области микроэлектронике и может быть использовано в репрографии, фотолитографии, ,оптоэлектронике и т.п.
Цель изобретения — повышение чув.ствительности записи.
Сущность предложенного способа заключается в том, что аморфные пленки высших оксидов переходных металлов с адсорбированным на их поверхности диметилформамидом помещают в замкнутый объем, откачивают его до давления 10 " — 10- мм рт.ст.,затем ,заполняют инертной газовой средой, содержащей пары воды, при парциальном давлении 1-20 мм рт.ст,, которое поддерживают во время освещения пленок актиничной спектральной областью.Откачка позволяет десорбировать с поверхности пленок оксидов адсорбированный кислород и избежать нежелательного окисления отщепленного от диметилформамида водорода адсорбироГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ, КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 3803648/28-12 (22) 05,10.84 (.46) 23.10.89. Бюл, N - 39 (71) Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе (72) А.И.Гаврилюк, А,А.Мансуров и Ф.А.Чудновский (53) 772.93 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
N- 115118, кл. G 03 С 1/74, 1983.
Авторское свидетельство СССР
Ф 970939, кл, G 03 G 5/04, 1981. (54)(57) СПОСОБ ФОТОХРОМНОЙ ЗАПИСИ
ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ НА;АМОРФНЫХ
„„SU„„3259848 А 1
ПЛЕНКАХ ВЫСШИХ ОКСИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ
МЕТАЛЛОВ С АДСОРБИРОВАННЫМ НА ИХ ПОВЕРХНОСТИ ДИМЕТИЛФОРМАМИДОМ,включающий освещение пленок актиничной спектральной областью, о т л и ч а ю- шийся тем, что, с целью повыше; ния чувствительности записи, пленки помещают в, замкнутый объем, откачивают его до давления 10
-3
10 мм рт,ст., затем заполняют его инертной газовой средой, содержащей пары воды, при парциальном давлении
1-20 мм рт.ст,, которое.поддерживают во время освещения пленок. ванным кислородом под действием света во время освещения пленок. При от-1 качке до давления большего 10 мм рт.ст. адсорбированный кислород не де-сорбируется полностью, При откачке до давления меньшего 10 мм рт.ст.на- l© чинает десорбироваться диметилформа- фГ мид, что приводит к уменьшению фото- {, ф хромной светочувствительности пленок оксидов переходных металлов.
При парциальном давлении паров во- р1 ды меньшим 1 мм рт.ст. увеличение фотохромной светочувствительности незначительно. При парциальном давлении паров воды большем 20 мм рт.ст, пленки оксидов переходных металлов а отслаиваются от подложки.
Парциальное давление паров воды необходимо поддерживать в пределах
1-20 мм рт.ст. именно во время освещения пленок. Предварительная выдержка в парах воды до освещения не дает положительного результата, так как
1259848
Со с тавитель В, Аксенов
Техред A. Кравчук
Корректор А.Обручар
Редактор А.Бер, Заказ 6883 Тираж 412 Подписное
BHHHIIH Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 на воздухе или в вакууме происходит быстрая десорбция паров воды с поверхности пленок оксидов.
В результате адсорбции молекул воды и связывания их с молекулами диметилформамида посредством водородной связи происходит ослабление С-Н связей в молекулах диметилформамида.
Ослабление С-Н связей приводит к тому, что молекулы диметилформамида
: более эффективно отщепляют водород при передаче им возбуждения от поверхности оксидов, активированной квантами света, что и приводит к росту фотохромной светочувствительности.
TI р и м е р 1. Аморфные пленки триоксида вольфрама с адсорбированным диметилформамидом облучают в кювете с кварцевым окном, откачанной до дав-20 ления Р = 10 мм рт.ст. при парцнальном давлении паров воды Р н <=—I 0 мм рт.ст. 1 в 1,0 мкм, Б
3 10 ì /Дж.
Пример 2, Облучают аморфные пленки триоксида вольфрама в кювете с кварцевым окном.
Пример 3 (прототип). Аморфные пленки триоксида вольфрама,триоксида молибдена и пятиоксида ванадия облучают светом ртутной лампы
ПРК-4. На поверхности пленок был адсорбирован диметилформамид. Облучение приводят в нормальных условиях на воздухе. Длины волн регистрации фото35 индуцированного перепада оптической плотности dD/оптическую плотность измеряют с помощью спектрофотометра
С >-8/: для пленок триоксида вольфрама Д = 1,0 мкм, два триоксида молибдена Д = 0,8 мкм, для пятиоксида ванадия Ь = 1 1 мкм, Величина фотохромной чувствительности для аморфных пленок триоксида вольфрама S
l0 м /Дж, для пленок триоксида
-6 1
1 молибдена $ = 5 -10 м /Дж, для пленок пятиоксида ванадия $ = 10 м /Дж.
Р„„= 3 10 мм рт.ст., Р о= 10 мм рт.ст., Б = 6 -10 M /Дж.
Пример 4. Облучают пленки триоксида вольфрама. Р, -2 — 10 мм pTocTo Р = ?0 MM рт.ст. о
$ = 4 10 м /Лж.
Пример 5. Облучают аморфные пленки триоксида молибдена с адсорбированным диметилформамидом. Длина волны регистрации фотоиндуцированного перепада оптической плотности
Л = 0,8 мкм. Р„т, = 10 мм рт.ст., Р н о = 1 мм рт.ст., $ = ? 10 м /Дж.
П р и м е. р 6. Облучают пленки триоксида молибдена. Ро, = 3 х г х 10 мм рт.ст., Р = 10 мм рт.ст.
$=4 10 м /Дж.
Пример 7, Облучают пленки триоксида молибдена. Р, 10 мм рт.ст, Р, = 20 мм рт.ст., - 7 .Я=310 м/Дж, II р и м е р 8, Облучают аморфные пленки пятиоксида ванадия с адсорби-I рованным диметилформамндом. Длина волны регистрации фотоиндуцированного перепада оптической плотности
Л = 1,1 мкм, Р „-, = 10 мм рт.ст., Ри o = 1 мм рт.ст., $ = 4 "10 "м /Дж.
Пример 9, Облучают пленки пятиоксида ванадия, Р» 3 х х 10 мм рт ст Р О= 10 мм Рт ст
S = --10 м /Дж.
Пример 10, Облучают пленки пя тиок сида в ан адия „Р „
= 10 2 мм рт.ст.Ф Р Н 0= 20 рт.ст., Б = 3 -10 м /Дж.
