Способ определения точки структурного фазового перехода кристаллов

 

Изобретение относится к физике твердого тела. Целью изобретения является создание такого способа определения точки структурного фазового перехода, который позволяет получать информацию о более широком классе веществ , а также облегчить и упростить процесс исследования. Эта цель достигается тем, что из регистрируемых спектров выделяют односимметричные линии спектра при давлениях, лежащих ниже точки структурного фазового перехода, и определяют путем экстра% (Л поляции точку их пересечения, которая и является точкой структурного перехода. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„SU„„72196

А1 (5D 4 G 01 N 21/65

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3909197/31-25 (22) 04.06.85 (46) 23.11.86. Бюл. М"- 43 (71) Азербайджанский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. С.M.Êèðîâà (72) В.И.Тагиров, Н,М.Гасанлы, Н.Н.Мельник и Е.A.Âèíîãðàäîâ (53) 620.186.1 (088.8) (56) Финч А. Применение длинноволно— вой ИК-спектроскопии в химии. — М.:

Мир, 1973, стр. 294.

Jayaraman A. Diamond anvil cell

and high pressure Physical. — Rev.

of Mod. Phys, 1983, v. 55, Ф 1, р. 65-108. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЧКИ СТРУКТУРНОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА КРИСТАЛЛОВ (57) Изобретение относится к физике твердого тела. Целью изобретения является создание такого способа определения точки структурного фазового перехода, который позволяет получать информацию о более широком классе веществ, а также облегчить и упростить процесс исследования. Эта цель достигается тем, что из регистрируемых спектров выделяют односимметричные линии спектра при давлениях, лежащих ниже точки структурного фазового перехода, и определяют путем экстраполяции точку их пересечения, кото- 3 рая и является точкой структурного перехода. 3 ил.

1272196 н системе координат, где по одной оси откладывают величину давления P (кбар), а по другой — частоту колебаний (криные 11-14) 10 соответственно (атмосферное давление), 4, 9, i2 кбар. Через отложенные точки пронодят прямую графически или с использованием 3ВМ (например, методом наименьших квадратов) и затем эти пря10 мые экстраполируют до пересечения, которое и дает точку давления фазового перехода (фиг.2). Односимметричные колебаний В„ 94,8 см и

В 68,2 см имеют зависимости от

1з давления (фиг.3), которые пересекаются при давлении 70+10 кбар.

Изобретение относится к физике твердого тела и может быть использовано для определения и изучения физического и агрегатного состояний веществ.

Цель изобретения — расширение номенклатуры исследуемых материалов и упрощение способа.

На фиг.1 изображены схематический вид ячейки высокого давления и схема исследования; на фиг.2 — спектры KPC монокристалла InS при различных давлениях; на фиг.3 — зависимость чаев тот односимметричных колебаний для монокристалла InS.

Кристалл (InS) 1(фиг. 1) помещают в ячейку 2 высокого давления. Затем в бомбе 3 постепенно увеличивают давление при его значении ниже давления,структурного перехода и при каждой величине приложенного давления кристалл 1 освещают монохроматическим излучением 4 криптононого лазера через окно 5. Рассеянный свет 6 собирают оптической системой 7 сбора рассеянного излучения и направляют н спектрометр 8, где и анализируют рассеянный свет.

Анализ н спектрометре включает выделение односимметричных линий спектра, что осуществляют любым известным способом, например фильтрованием.

По мере повьппения давления следят эа взаимным расположением выделенных однОсимметричных линий до появления устойчивого сближения этих выделенных линий. И в этом интервале устойчивого сближекия определяют частоты ныделенных линий по меньшей мере для двух значений давления. И затем для частот этих линий регистрируют равное соответствующее давление, которое и является давлением фазового перехода.

На фиг,2 приведены спектры КРС зависимости частот одкосимметричкых колебаний В > 68,2 см (кривая 9) и

В, 94,8 I M (криная 10) от измере™нного давления (0-11 кбар)„ На основании этих спектров строят зависимость спектров КРС монокристалла

?п5 нри различных гидростатических давлениях (фиг.3, кривые 11-14). Для этого экспериментальные точки накосят

Затем удается непосредственно замерить точку фазового перехода мето20 дом рентгеноструктурного анализа.Точка фазового перехода равна 70 3 кбар.

Таким образом, используя предлаагемый способ определяют точку фазового перехода при данлениях в семь

25 раз меньших, чем давление перехода.

Формула и з о б р е т е к и я

Способ определения точки структурного фазового перехода кристаллов путем постепенного повышения прикладынаемого к кристаллу давления и освещения монохроматическим световым излучением, регистрации спектров комбинационного рассеяния света для каждого значения давления, по которым определяют точку структурного фазового перехода, отличающийся

40 тем, что, с целью расширения номенклатуры исследуемых материалов и упрощения способа, выделяют и регистрируют частоты двух односимметричных линий комбинационного рассеяния све45 та при по меньшей мере двух значениях давлений, прикладываемых к кристаллу, лежащих ниже точки структурного фазового перехода и обеспечивающих интервал устойчивого сближения частот щ каждой из регистрируемых линий, и по полученным данным находят давление, соответстнующее равенству частот и определяющее точку структурного фазового перехода.

1272196

8 4 р, к6ар

Фиг 2

Ву(9Ч,Всм l О (68,2см l) ЖО 200 ПШ 0

Ус, См-1

Составитель В.Дорофеев

Техред И.Кадар Корректор О. Луговая

Редактор Н.Рогулич

Тираж 778 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Заказ 6331/41

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул. Проектная, 4