Растровый электронный микроскоп

 

Изобретение относится к области микрозондовой техники. Может быть использовано при анализе микропотенциалов на поверхности объектов. Цель изобретения - повышение точности измерения микропотенциалов достигается путем обеспечения коррекции погрешностей при отклонении зонда и при изменении расстояния от исследуемой поверхности до вытягивающего электрода . Микроскоп содержит электронно-оптическую систему 1 с блоком питания II, отклоняющую систему 2, соосный электроанализатор с тормозящим 3 и вытягивающим 4 электродами, регулируемые источники 5 и 6 напряжения . Схема визуализации изображения содержит преобразователь 7 тока вторичных электронов, усилитель 8, индикаторный блок 9, а также синхрос низирующий задающий генератор 10. На электронно-оптической оси установел лен объектодержатель 12. Усилитель выполнен с возможностью коррекции ;вторично-эмиссионного сигнала. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) (59 4 Н 01 J 37/28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ,.;

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTPM (21) 3657436/24-21 (22) 27.10.83 (46) 07.12.86. Бюл. 11 45 (71) Московский институт электронного машиностроения (72) В В.Рыбалко. и А.Н.Тихонов. (53) 62!.385,833(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 693483, кл. H 01 3 37/26, 1976.

Фазекас П. Исследование кристаллов СВИС с помощью РЭМ. — Электроника, 1981, Р 14, с. 24-30. (54) РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП (57) Изобретение относится к области микрозондовой техники. Может быть использовано при анализе микропотенциалов на поверхности объектов. Цель изобретения — повышение точности измерения микропотенциалов достигается путем обеспечения коррекции погреш— ностей при отклонении зонда и при изменении расстояния от исследуемой поверхности до вытягивающего электрода. Микроскоп содержит электронно-оптическую систему 1 с блоком питания ll отклоняющую систему 2, соосный электроанализатор с тормозящим 3 и вытягивающим 4 электродами, регулируемые источники 5 и 6 напряжения. Схема визуализации изображения содержит преобразователь 7 тока вторичных электронов, усилитель 8, индикаторный блок 9, а также синхронизирующий задающий генератор 10.

На электронно-оптической оси установлен объектодержатель 12. Усилитель выполнен с возможностью коррекции

;вторично-эмиссионного сигнала. 2 ил.

1275586

Изобретение относится к области микрозондовой техники, в частности к растровой электронной микроскопии, и может быть использовано при анализе микропотенциалов на поверхности объектов.

Целью изобретения является повышение точности измерения микропотенциалов поверхности объектов за счет обеспечения коррекции погрешностей при отклонении зонда и при изменении расстояния от исследуемой поверхности до вытягивающего электрода.

На фиг.l показана схема растрового электронного микроскопа (РЭМ); на фиг.2 — зависимость вторйчно-эмиссионного сигнала I от положения зонда на поверхности объекта (D— диаметр отверстия вытягивающего электрода) для ряда значений переднего рабочего отрезка 0 формирующей линзы РЭМ.

РЭМ содержит (фиг.l) электронно-оптическую систему (ЭОС) 1, отклоняющую систему 2, энергоанализатор с тормозящим 3 и вытягивающим

4 электродами, которые соединены с регулируемыми источниками 5 и 6 напряжения соответственно. Схема визуализации изображения включает посчедовательно соединенные преобразователь 7 тока вторичных электронов, усилитель 8 и индикаторный блок 9 °

Выходы задающего генератора 10 соединены с отклоняющей системой 2, усилителем 8 и индикаторным блоком

9. Блок 11 питания ЭОС соединен с третьим входом усилителя 8, а второй выход последнего соединен с входом источника 5 регулируемого напряжения тормозящего электрода 3. На электронно-оптической оси Р3М установлен объектодержатель 12. В качестве усилителя 8 может быть использован цифровой измерительный блок ВР5521 . с программируемым устройством, например, типа "Электроника-60".

Устройство работает следующим образом.

Электронный зонд, сформированный ЭОС, воздействует на исследуемый объект. Вытягивающим электродом 4 формируется поток вторичных электронов. С помощью тормозящего электрода 3 вторичные электроны фильтруются по энергиям с разрешением

0,01-0,2 эВ. Прошедшие электроны попадают на преобразователь 7, сигнал с которого усиливается и поступает на индикаторный блок 9. Задающий генератор 10 синхронизирует от5 клонения электронного зонда и электронного луча трубки индикаторного блока, При отклонении зонда величины вторично-эмиссионного сигнала имеет характерную зависимость от величины переднего рабочего отрезка E и от положения зонда на поверхности объекта относительно электронно-оптической оси. Для коррекции этой зависимости, которая должна иметь вид прямоугольника, на дополнительные второй и третий входы усилителя 8 подаются корректирующие сигналы от блока 11 питания ЭОС для компенсации изменения сигнала от ве. личины Г и от задающего генератора

1О для компенсации изменения сигнала от положения Х зонда, Корректирующие сигналы заносятся в память программируемого устройства в виде табличных данных, получаемых экспериментальным путем. В результате обеспечивается повышение точности Н3Мере. ний микропотенциалов поверхности объекта.

Формула изобретения

Растровый электронный микроскоп, 1

З5 содержащий соосно установленные электронно-оптическую систему с блоком питания, отклоняющую систему и энергоанализатор с кольцевым вытягивающим и тормозящим электродами, элек4О трически соединенными с регулируемыми источниками напряжения, и схему визуализации изображения, включающую последовательно соединенные преобразователь тока вторичных электронов, 45 усилитель, второй выход которого соединен с источником напряжения тормо. зящего электрода, и индикаторный блок, а также задающий генератор, выходы которого соединены с отклоняу» ющей .системой и индикаторным блоком, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения микропотенциалов поверхности объектов, выход задающего генератора соу единен с вторым входом усилителя, а второй выход блока питания электронно-оптической системы соединен с третьим входом усилителя.

1275586

Составитель В.Гаврюшин

Техред М.Ходанич. Корректор Л.Пилипенко

Редактор Л.Гратилло

Эаказ 6572/48 Тираж 643 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

ll3035, Москва, И-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-. полиграфическое предприятие, r.Óèãîðîä, ул.Проектная, 4

Растровый электронный микроскоп Растровый электронный микроскоп Растровый электронный микроскоп 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к системам формирования электронного зойда в растровых электронных микроскопах

Изобретение относится к растровым электронным микроскопам и микроанализаторам

Изобретение относится к растровой электронной микроскопии

Изобретение относится к спосо- ,бам получения изображения в растровом электронном микроскопе (РЭМ) в режиме вторичной электронной эмиссии

Изобретение относится к сканирующим устройствам воспроизведения изображения образца, облучаемого пучком заряженных частиц и может быть использовано в малокадровых телевизионных установках

Изобретение относится к электронным вакуумным приборам, в частности к эмиссионным микроскопам и видеоусилителям, и раскрывает способ визуализации и увеличения изображений исследуемых объектов

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а более конкретно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а именно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности в многоигольчатом комплексном режиме работы

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах в условиях сверхвысокого вакуума и в широком диапазоне температур

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а именно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, изменение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в режиме сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) или атомно-силового микроскопа (АСМ)
Наверх