Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа aii bvi aiv и их твердых растворов

 

Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа A^II B^VI A^IV B^VI и их твердых растворов в шихте, включающий приготовление активирующей шихты, погружение подложек с нанесенными пленками в объем шихты, термообработку пленок в шихте, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения однородности фотоэлектрических свойств по поверхности пленок, при приготовлении шихту фракционируют, затем в процессе термообработки шихту подвергают воздействию вибрации при частоте 50-100 Гц и амплитуде 1-2 мм, причем используют фракцию шихты с однородным гранулометрическим составом.