Накопитель информации и способ считывания информации из накопителя

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств ЭВМ, Целью изобретения является упрощение накопителя информации , а также повышение быстродействия способа считывания информации из этого накопителя. Накопитель информации содержит слой магнитоодноосного материала 1 с осью анизотропии, пер-, пендикулярной его поверхности, в котором сформирована матрица запоминаю щих ячеек в виде монодоменных областей 2, первую группу координатных шин 3, выполненных из магниторезистивного материала, изолирукнций слой 4 и вторую группу координатных шин 5, причем координатные шины обеих групп выполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых окружностей, магнитосвязанных с монодоменными областями соответствующих строк и столбцов матрицы . Для считывания информации из данного накопителя подают импульсы тока в выбранные координатные шины первой и второй групп одновременно и в противополо:кных направлениях и регистрируют считанную информацию путем фиксации изменения активного сопротивления соответствугацей координатной шины первой группы. 2 а.п. ф-лы, 2 ил. § (Л ФвИ

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) А1 (5D 4 С 11 С 11 14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И Д BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОГНРЫТИЙ (21) 3992823/24-24 (22) 22.10.85 (46) 23.02.87. Бюл. У 7 (72) С.Л.Куперман, А.С.Болдырев, Б.В.Мощинский, М.И.Чельдиев и Б.К.Костромской (53) 681.327.66(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР и 486375, кл. G 11 С 11/14, 1974.

Авторское свидетельство СССР

Р 1221661, кл. G 11 С 11/14, 1984. (54) НА1(ОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ И СПОСОБ

СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ И3 НАКОПИТЕЛЯ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств ЭВМ. Целью изобретения является упрощение накопителя информации, а также повышение быстродействия способа считывания информации из этого накопителя. Накопитель информации содержит слой магнитоодноосного материала 1 с осью анизотропии, пер-, пендикулярной его поверхности, в ко-, тором сформирована матрица запоминаю щих ячеек в виде монодоменных областей 2, первую группу координатных шин 3, выполненных из магниторезистивного материала, изолирующий слой

4 и вторую группу координатных шин

5, причем координатные шины обеих групп выполнены в виде последователь. но соединенных участков в форме разомкнутых окружностей, магнитосвязанных с монодоменными областями соответствующих строк и столбцов матриць(. Для считывания информации из данного накопителя подают импульсы тока в выбранные координатные шины первой и второй групп одновременно и в противоположных направлениях и регистрируют считанную информацию путем фиксации изменения активного сопротивления соответствующей координатной шины первой группы. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

1292038

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств 3ВМ.

Целью изобретения является упрощение накопителя информации, а также поньш ение быстродействия способа считывания информации из этого накопителя °

На фнг. 1 изображена конструкция накопителя информации, на фиг. 2 направления токов в координатных шинах и направления намагниченности ячеек памяти.

Накопитель информации содержит

15 слой магнитоодноосного материала 1 с осью анизотропии, перпендикулярной его поверхности,:н котором сформирована матрица запоминающих ячеек в виде монодоменных областей 2, первую группу координатных шин 3, выполненных из магниторезистивного материала (например, 80 Ni, 20 Pe), .изолирующий слой 4 и вторую группу

25 координатных шин 5, причем координатные шины обоих групп выполнены н виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых окружностей, магнитосвязанных с монодо- менными областями соответствующих строк и столбцов матрицы, причем зазор между одноименными участками координатных шин составляет 1-2 полупериода полосовой доменной структуры магнитоодноосного материала. 35

Накопитель информации работает следующим образом.

Пусть в ячейку А (фиг. 2) записывается и из ячейки А считывается код информации "1", а в ячейку Б записывается и из ячейки Б считывается код информации "0". Направление намагниченности в ячейке памяти, соответствующее хранению кода

"1", обозначено на фиг. 2 O+, направ- "5 ление намагниченности ячейки памяти, 31 1I соответствующее хранению кода 0 обозначено на фиг. 213 .

Для записи "1" в ячейку А по ши- 50 не 5< подается имульс тока Х5 в направлении оси У, по шине 31 подается импульс тока в направлейии обратном оси,Х.

Дла записи "0" в ячейку Б импульс тока I ïîäàåòñÿ по шине 5 в направленйи оси У и импульс тока I по шине 3 - в направлении оси Х.

Считывание информации из накопителя в соответствии с рассматриваемым способом осуществляют следующим образом.

Для считывания информации из ячейки памяти подают импульс тока в выбранные координатные шины первой и второй групп одновременно и в противоположных направлениях и регистрируют изменение магнитного поля рассеяния монодоменной области путем фиксации изменения активного сопротивления соответствующей координатной шины первой группы.

Допустим, что считывается информация из ячейки А (фиг, 2 ), которая охвачена шиной 3 первой группы и шиной 5, второй группы. При считывании импульс тока ?„ подают по шине 3 в направлении, противоположном оси Х, импульс тока I подают по шине 5, н направлении, противоположном оси У. При этом зона 6 материала намагничивается в направленииО, т.е, н напранлении намагниченности и ячейке А. Участок шины 3, охватывающий ячейку А, намагничивается вдоль шины и его активное сопротивление возрастает.

Если информация считывается из ячейки Б, то подачу импульсов тока по шинам 3 и 5 осуществляют так, как в случае считывания информации из ячейки А. Однако н этом случае направления намагниченности н ячейке

Б и зоне 6 около ячеики Б противоположны, участок шины 3, охватывающий ячейку Б, намагничивается поперек шины 3 (радиально) и его активное сопротивление не изменяется. По изменению активного сопротивления шины первой группы распознают информацию.

Предлагаемый способ считывания информации обладает по сравнению с известным более высоким быстродействием, так как отпадает необходимость в переключении запоминающей ячейки, т.е. разрушении информации и ее восстановлении в цикле считывания, и в связи с этим более высокой надежностью.

Таким образом, предлагаемый накопитель информации позволяет упростить конструкцию накопителя и повысить его надежность, а рассматриваемый способ считывания — повысить быстродействие накопителя информации в цикле чтения.

92038 4 второй группы равным 1-2 полупериодам полосовой доменной структуры магнитоодноосного материала.

3 12

Формула изобретения

Составитель Ю. Ps енталь

Техред А,Кравчук Корректор В.Бутяга

Редактор А.Ворович

Заказ 277/51 Тираж 590 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4»

1. Накопитель информации, содержащий слой магнитоодноосного материала, в котором сформирована матрица запоминающих ячеек в виде монодоменных областей, и две группы координатных шин, расположенных на слое магнитоодноосного материала и изолированных друг от друга, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощения накопителя, координатные шины обеих групп выполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых окружностей, магнитосвязанных с монодоменными областями соответствующих строк и столбцов матрицы, причем указанные участки координатных шин первой группы выполнены из магниторезистивного материала и расположены с зазором по отношению к одноименньпа участкам координатных шин

5 2. Способ считывания информации из накопителя, оснсванный на подаче импульсов тока в выбранные координатные шины первой и второй групп и ре:гистрации изменения магнитных полей рассеяния монодоменных областей, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия способа, подачу импульсов тока в выбранные координатные шины .первой и второй групп осуществляют одновременно и в противоположных направле, ниях, а регистрацию изменения магнитного поля рассеяния монодоменной области осуществляют путем фиксации

20 -изменения активного сопротивления соответствующей координатной шины первой группы.