Патент ссср 138788

Авторы патента:

C25D7/12 - полупроводники

C25D3/46 - серебра

Бесцианистый электролит для гальванического серебрения // 106154

Способ бесцианистого серебрения изделий гальваническим путем // 80532

Способ изготовления металлических сеток // 54601

Способ электролитического осаждения серебра из органических растворителей // 33135

Способ серебрения // 11995

Элемент кристаллизатора для непрерывной разливки металлов, способ нанесения покрытия на наружную поверхность охлаждаемой стенки элемента кристаллизатора и способ восстановления серебряного покрытия (варианты) // 2181315

Изобретение относится к непрерывной разливке металлов, а именно к элементу кристаллизатора для непрерывной разливки металлов, содержащему охлаждаемую стенку из меди или медного сплава, контактирующую с жидким металлом и имеющую на своей наружной поверхности металлическое покрытие

Электролит серебрения // 2323276

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для получения блестящих серебряных покрытий из безцианистых электролитов

Способ электролитического серебрения // 2006530

Изобретение относится к технологии электролитического серебрения и может быть использовано в любой отрасли техники для получения тонких твердых беспористых покрытий с декоративным эффектом

Способ серебрения // 2013470

Изобретение относится к электролитической обработке металлов, в частности к гальваническому серебрению из раствора электролита с использованием электропроводной подложки, преимущественно для изготовления ювелирных изделий

Способ электролитического серебрения деталей сложного профиля из алюминия и его сплавов // 145101

// 168572

Электролит для серебрения деталей // 199621

Электрохимический способ серебрения в нецианистых электролитах // 203423

Способ электрохимического серебрения // 212689

Способ электролитического серебрения // 212690

// 138789

Способ золочения каршдлизобретение относится к тезшологии получения невыпряшшющюс (омических^контактов на полупроводниковых материалах.известные способы получения таких контактов требовали после.щгющей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого кристалла.описываемый способ золочения карбида кремния il - типа позволяет получать невыпрямлящие (омические) контакты к этому полупрово.днику без последующей термообработки кристалла, что дает возможность точно контролировать его удельное сопротивление. достигается зто тем, что контакт с карбидом кремния получают путем нанесения на его поверхность слоя золота гальваническим путем. // 138790

Изобретение относится к тезшологии получения невыпряшшющюс (омических^контактов на полупроводниковых материалах.Известные способы получения таких контактов требовали после.щгющей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого кристалла.Описываемый способ золочения карбида кремния IL - типа позволяет получать невыпрямлящие (омические) контакты к этому полупрово.днику без последующей термообработки кристалла, что дает возможность точно контролировать его удельное сопротивление

Способ палладирования карбида кремния // 139175

Способ присоединения выводов к полупроводниковым приборам // 208134

Электролит и способ осаждения меди на тонкий проводящий подслой на поверхности кремниевых пластин // 2510631

Изобретение относится к гальванотехнике и может быть использовано в технологии микроэлектроники, в которой слой меди необходимо нанести на тонкий подслой кобальта или его сплавов (кобальт-фосфор, кобальт-вольфрам-фосфор) или меди, находящейся на поверхности кремниевых пластин. Электроосаждение меди проводят из электролита меднения, содержащего сульфат меди, спирт этиловый, этилендиамминтетрауксусную кислоту (ЭДТУ), лаурилсульфат аммония и аммиак в виде водного раствора. Электролит меднения не содержит ионов щелочных металлов и пригоден для нанесения слоев меди на подслой меди, кобальта или его сплавов. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 4 пр.