Мощный транзистор

 

Мощный транзистор, содержащий базу, коллектор с электродами, профилированный по глубине эмиттер с расположенной над ним металлизацией и выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочего тока коллектора, быстродействия и устойчивости к вторичному пробою, эмиттер состоит из чередующихся между собой участков разной глубины, причем участки большей глубины по крайней мере частично охвачены участками меньшей глубины.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и направлено на создание мощных СВЧ-транзисторов

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании биполярных транзисторов

Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым приборам, имеющим, по крайней мере, два p-n-перехода

Изобретение относится к конструированию и производству мощных СВЧ-транзисторов

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области создания интегральных схем (ИС) с использованием биполярных транзисторов

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам

Изобретение относится к полупроводниковой электронике

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к конструкции мощных биполярных транзисторов с увеличенной областью безопасной работы

Изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ транзисторов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, а также биполярных транзисторов
Наверх