Мощный транзистор
Мощный транзистор, содержащий базу, коллектор с электродами, профилированный по глубине эмиттер с расположенной над ним металлизацией и выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочего тока коллектора, быстродействия и устойчивости к вторичному пробою, эмиттер состоит из чередующихся между собой участков разной глубины, причем участки большей глубины по крайней мере частично охвачены участками меньшей глубины.
Похожие патенты:
Планарная транзисторная структура // 1272927
Биполярный планарный мощный свч-транзистор // 1256616
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и направлено на создание мощных СВЧ-транзисторов
Биполярный транзистор // 1091783
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании биполярных транзисторов
Биполярный транзистор // 1005607
Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым приборам, имеющим, по крайней мере, два p-n-перехода
Интегральный биполярный транзистор // 865081
Полупроводниковый прибор // 789019
Мощный свч-транзистор // 2226307
Изобретение относится к конструированию и производству мощных СВЧ-транзисторов
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии
Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления // 2279733
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области создания интегральных схем (ИС) с использованием биполярных транзисторов
Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам
Транзистор // 2062531
Мощный биполярный транзистор // 2065643
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к конструкции мощных биполярных транзисторов с увеличенной областью безопасной работы
Мощный свч-транзистор // 2089014
Изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ транзисторов
Полупроводниковый прибор // 2045111
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, а также биполярных транзисторов