Способ изготовления многослойных структур n+pnpp+ типа

 

1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров тиристора за счет повышения однородности подлегирования бором шунтов и управляющего электрода со стороны катода и создания неоднородного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, на анодную сторону осаждают раствор, содержащий 6 - 50 мас.% соединения бора, а на катодную сторону дополнительно осаждают раствор, содержащий 0,25 - 3,0 мас.% соединения бора, и складывают пластины одноименными сторонами одна к другой.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на анодную сторону осаждают раствор, содержащий компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%: Этиловый спирт (96o) - 10 - 39 Вода - 5 - 15 Алюминий азотнокислый, гидрат - 4,5 - 24,9 Триэтоксибор - 6 - 50 Катализатор (кислота азотная, концентрированная) - 0,1 - 0,5 Тетраэтоксисилан - 15 - 30 а на катодную сторону осаждают раствор, содержащий компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%: Этиловый спирт (96o) - 40 - 60 Вода - 5 - 15
Алюминий азотнокислый, гидрат - 4,5 - 19,6
Борная кислота - 0,25 - 3,0
Катализатор (кислота азотная, концентрированная) - 0,15 - 0,5
Тетраэтоксисилан - 15 - 37



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано как при разработке и изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем, так и при разработке и изготовлении дискретных полупроводниковых приборов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании СВЧ-транзисторов и интегральных схем на их основе

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур
Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора

Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ)

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к установкам для легирования полупроводников при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения полупроводниковых структур с высокой равномерностью степени легирования диффузионных слоев
Наверх