Способ изготовления терморезистора
Изобретение относится к способу изготовления терморезистора, который может быть использован в устройствах, работающих при высоких температурах. Целью изобретения является увеличение температурного коэффициента сопротивления материала. Поставленная цель достигается за счет того, что используется полупроводниковый материал из оксида висмута. Преимуществом данного способа является значительное повьппение рабочей температуры терморезистивного материала вплоть до 1000 К. отсутствие высоких требований к чистоте материала . 4 ил. со 4; оо со ю 00
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК
„.Я0„„1348928 ()) 4 Н 01 L Э5/00
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ .
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21 ) 3495600/24-24 (22 ) 27.09.82 (46) 30.10.87. Бюл. № 40 (75) T. С. Золян (5;3) 681.327.6(088.8) (56) Патент США № 3206649, кл, 3!7 — 137, опублик. 1966.
Авторское свидетельство СССР
¹ 671033. кл. Н 03 К 19/20. 1977. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРА (57) Изобретение относится к способу изготовления терморезистора, который может быть использован в устройствах, работаю цих при высоких температурах. Целью изобретения является увеличение температурного коэффициента сопротивления материала.
Поставленная цель достигается за счет того, что используется полупроводниковый материал из оксида висмута. Преимугцеством данного способа является значительное повыгцение рабочей температуры терморезистивного материала вплоть до 1000 К, отсутствие высоких требований к чистоте материала. 4 ил.
1348928 формула изобретения
50D
Фиг.1
Изобретение относится к способам изготовления терморезистора, который может быть использован в устройствах, в частности запоминающих, работающих при высоких температурах.
Целью изобретения является увеличение температурного коэффициента сопротивления материала.
На фиг. 1 представлена структура терморезистора; на фиг. 2 — зависимость сопротивления оксида висмута от скорости охлаждения 0,3 С в мин; на фиг. 3 — то же, от скорости охлаждения 25 С в мин; на фиг. 4— то же, от скорости охлаждения 6,7 С в мин.
Терморезистор состоит из таблетки 1, выполненной из полупроводникового материала — оксида висмута (В120з). В таблетку 1 вплавлены термостойкие выводы 2.
Изготовление терморезистора осуществляют в следуюгцей последовательности.
Порошкообразный оксид висмута расплавляют в тигле, придают требуемую форму, вставляют в расплав электрические выводы и охлаждают до комнатной температуры. Электрическое сопротивление оксида висмута в области фазовых переходов зависит при этом от скорости охлаждения. 1-!а фиг. 2 представлена кривая влияния скорости охлаждения (0,3 С) на сопротивление оксида висмута. Здесь АВС вЂ” кривая при нагреве, СВА — кривая при охлаждении.
При 730 С происходит фазовый переход из непроводящего в проводящее состояние.
5 На фиг. 3 представлена зависимость изменения проводимости оксида висмута от температуры, но при скорости охлаждения 25 С в минуту для некоторой промежуточной (между 0,3 и 25 С) скорости охлаждения кривая гистерезиса для оксида висмута представлена на фиг. 4.
Терморезистор может найти применение в устройствах, фиксирующих превышение требуемой температуры при контроле технологических процессов, химических реакций
15 и т. и.
Способ изготовления терморезистора на основе оксида металла, включающий плавление оксида металла и его термическую обработку, отличающийся тем, что, с целью увеличения температурного коэффициента сопротивления материала, он выполнен из двух- трехокиси висмута, которую нагревают в воздушной атмосфере до температуры плавления с последующим охлаждением до комнатной температуры со скоростью 0,3—
25 С в минуту.
ЕОО 7РО 800 С
Фиг. Я
1348928
100 ВОО 900 C
Фиг.З као ю воо с
Фие. Ф
Составитель В. Теленков
Редактор А. Маковская Техред И, Верес Корректор М. Максимишинец
За к а з 4 804/53 Тираж 696 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
I! 3035, Москва, )K — 35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
