Шихта для получения @ -карбида кремния

 

Изобретение относится к области получения карбидов карботермическим восстановлением кремнеземсодержащего материала и позволяет ускорить процесс восстановления, увеличить выход irf-карбида кремния за счет использования в качестве кремнеземсодержащего материала кремнистоуглеродистого сланца. Шихта для получения о(-карбида кремния состоит из следующих компонентов , мас.%: кремнистоуглеродистый сланец 57,6-60,6; нефтяной кокс 29,4- 32,5; поваренная соль 6,0-9,0; древесные опилки - остальное. Получение конечного продукта из шихты осуществляют путем ее термообработки в течение 5 ч. Выход о/-карбида кремния 75- 86%, проидводительнйсть процесса 3,5-4,1 кг/ч. 1 табл. i (Л со СП СХ)

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51) 4 С 01 В 31/36

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К ASTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ.(21) 4062549/31-26 (22) 28.04,86 (46) 15.11.87. Бюл. У 42 (71) Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова (72) В.B.Коломейцев, В.Я.Шевченко, В.Ф.Пономарев, С.В.Блешинскнй, В.П.Виноградов и В.И.Лебедев (53) 546. 281 261 (088 ° 8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 431743, кл. С..01 В 31/36, 1972.

Электротермические процессы химической iåõíoëoãèè /Под ред. В.А.Ершова. Л.: Химия, 1984, с.374-389.

„„SU, 1351 77 A 1 (54) ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ о -КАРБИДА

КРЕМНИЯ (57) Изобретение относится к области получения карбидов карботермическим восстановлением кремнеземсодержащего материала и позволяет ускорить процесс восстановления, увеличить выход -карбида кремния за счет использования в качестве кремнеземсодержащего материала кремнистоуглеродистого сланца. Шихта для получения c(-карбида кремния состоит из следующих компонентов, мас.Ж: кремнистоуглеродистый сланец 57,6-60,6; нефтяной кокс 29,432,5; поваренная соль 6,0-9,0; древесные опилки — остальное. Получение конечного продукта из шихты осуществляют путем ее термообработки в течение 5 ч. Выход o(-карбида кремния 75867, проидводительнбсть процесса

3,5-4,1 кг/ч. 1 табл.

Содержание компонентов шихты, мас.X

Микротвер-, дость, 1

ГПа

Скорость Выход, процесса, мас,X

Квар- Кремнисто- Нефтяной Поварен- Древес- кг/ч цит углеродис- кокс ная соль ные тый сланец опилки

Шихта

Предлагаемая

75 3,05

83 3,08

86 3,10

63 3,03

59 3,04

3,5

3,0

7,0

57,5

3,0

3,9

7,0

31,0

3,0

60,6

3,0

4,0

61,5

2,9

2,0

35,0

Известная

63 3,03 б 56,9

7 53,5

7,0 3,0

7,0 29

3,0

55 3,03

36,5

2,9

13518

Изобретение относится к производству тугоплавких соединений, а именно к получению карбида кремния карботермическим восстановлением кремнеземсодержащего материала, применяемо5 го в абразивной, металлургической, электротехнической промышленности.

Цель изобретения — ускорение процесса восстановления и увеличение выхода о(-карбида кремния.

Пример. Кремнисто-углеродистый сланец и нефтяной кокс измельчают до крупности менее 3 мкм. Полученный продукт, содержащий кремнисто-углеродистый сланец и нефтяной кокс в количестве 57,5 и 32,5 мас.Х соответственно, смешивают с поваренной солью — 7,0 мас.Х и древесными опилками

3,0 мас,X до получения шихты требуе- 2р мой однородности. Синтез карбида кремния проводят в электропечи, где рабочим электродом служит угольная труба. Скорость синтеза карбида кремния оценивают по остаточному содер- 2б жанию непрореагировавших продуктов в шихте. Продукт синтезируют при следующих электрических параметрах: напряжение 100 В, сила тока 2 5 кА и за

5 ч, получая 17,5 кг карбида кремния, Зо в том числе 13,2 -карбида кремния, что составляет 75Х общего веса первоначальной загрузки.

77 2

В таблице приведены выходные результаты процесса получения Ы-карбида кремния из шихты по изобретению и данные сравнительных примеров, Шихта по изобретению позволяет повысить скорость проведения карботермического восстановления на 1636Х при длительности процесса в пределах 5 ч и обеспечивает увеличение выхода о(-карбида кремния на 12-23Х

IIo сравнению с известным при общем выходе 75-86Х.

Формула изобретения

Шихта для получения -карбида кремния карботермическим восстановлением кремнеземсодержащего материала, включающая кремнеземсодержащий материал, нефтянсй кокс, поваренную соль и древесные опилки, о т л и— ч а ю щ а я с я тем, что, с целью ускорения процесса восстановления и увеличения выхода. О -карбида кремния, она содержит в качестве кремнеземсодержащего материала кремнисто-углеродистый сланец при следующем соотношении компонентов, мас.Х.:

Кремнисто-углеродистый сланец 57,5 — 60,6

Нефтяной кокс 29,4 — 32,5

Поваренная соль 6 0 - 9,0

Древесные опилки Остальное

Шихта для получения @ -карбида кремния Шихта для получения @ -карбида кремния 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно способу получения карбида бора B12C3, который может быть использован в качестве поглотителя нейтронов в ядерной энергетике, абразива для шлифовки, а спеченный в виде резцов для обработки твердых материалов, химически стойкого материала в металлургии и химическом аппаратуростроении, высокоомных сопротивлений, полупроводниковых термопар и т.д., а также к новому интеркалированному соединению оксида графита с додекагидро-клозо-додекаборатной кислотой и способу его получения
Изобретение относится к технологии очистки водных и паромасленных сред от механических и токсичных продуктов, газовоздушных смесей от сажи, абразивных частиц, химических парообразных и газообразных соединений и используется для экологической защиты на промышленных предприятиях, являющихся источником промышленных стоков и выбросов в атмосферу газообразных продуктов

Изобретение относится к технологии получения материалов, а именно к технологии получения поликристаллического кремния и его химических соединений - карбида и нитрида - из природных кремнийсодержащих концентратов

Изобретение относится к синтетическим драгоценным камням из полупрозрачного монокристаллического карбида кремния и может быть использовано в ювелирной промышленности
Изобретение относится к ядерной технике

Изобретение относится к монокристаллическому карбиду кремния SiC и способу его получения, в частности к монокристаллическому SiC, используемому в качестве полупроводниковой подложки для светоизлучающего диода и электронного устройства или т.п., и к способу его получения
Изобретение относится к области производства керамических, износостойких, жаростойких и абразивных изделий, в частности к области получения сырьевых материалов для производства указанных изделий, и может быть использовано при получении карбида кремния -модификаций
Наверх