Фототиристор

 

Фототиристор, содержащий по крайней мере четыре слоя чередующегося типа проводимости с катодным и анодным контактами на главных поверхностях, первый и четвертый слои которого являются эмиттерами, а второй и третий - базами, причем первый эмиттерный слой n-типа проводимости разделен на две области - основной и вспомогательный эмиттеры, а вспомогательный эмиттер содержит область зажигания и вспомогательный контакт, расположенный на нем и на периферийной области р-базового слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности фототиристора к световому сигналу управления при сохранении стойкости к эффекту du/dt, вспомогательный контакт выполнен в виде двух контактов, при этом первый из этих контактов состоит из двух омических связанных частей, одна из которых расположена на вспомогательном эмиттере, а другая - на близлежащем к нему участке р-базового слоя, образуя замкнутый контур, охватывающий участок р-базы, а основной эмиттер вблизи первого вспомогательного контакта соединен с периферией р-базового слоя вторым вспомогательным контактом.