Сегнетоэлектрические монокристаллы

 

Мо 143477 .Класс 21g, 11в2

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа JH 97

М. Л. Шолохович и А. Л. Ходаков

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МОНОКРИСТАЛЛЫ

Заявлено 8 декабря 1960 г. за № 688328/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 24 за 1961 г.

Известны сегнетоэлектрические монокристаллы, изготовленные на основе титаната бария. Недостаток подобных монокристаллов состоит в том, что они имеют малую нелинейность характеристики и относительно пологую петлю гистерезиса. Это не позволяет использовать монокристаллы в качестве запоминающих устройств.

Для увеличения нелинейности характеристики и повышения прямоугольности петли гистерезиса предлагается к титанату бария добавлять

1,2 /о гафната бария.

Описываемые монокристаллы имеют вид плоских прозрачных треугольных пластин с длиной ребер в среднем 0,5 сп, Толщина пластинок от 100 до 50 мк. Кристаллы не поглощают влаги. Петля гистерезиса кристалла отличается хорошей прямоугольностью. Насыщение наступает при напряженности поля в 5 кв/ся. Кристаллы обладают высокой зависимостью диэлектрической проницаемости от величины напряженности поля. Ее максимум достигается в поле напряженностью 1 кв/сл

1 и превышает 10з. Электропроводность кристалла составляет

10" олю. слю

Характеристики монокристалла показывают, что его можно применить в качестве элемента памяти в счетно-решающих устройствах.

Предмет изобретения

Сегнетоэлектрические монокристаллы, изготовленные на основе титаната бария, о т л и ч а ю щ и е с я тем, что, с целью увеличения нелинейности характеристики и повышения прямоугольности петли гистерезиса, к титанату бария добавляют 1,2 /О гафната бария.