Способ пайки выпрямляющих элементов

 

ЛЪ 149506

Класс 21g, 11ез

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа № 97

А. Ф. Волков, О. В. Волкова и В. В. Новиков

СПОСОБ ПАЙКИ ВЫПРЯМЛЯЮ1ЦИХ ЭЛЕМЕНТОВ

Заявлено 28 декабря 1960 r, за № 691038/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете. Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 16 за 1962 г.

Известные способы пайки выпрямляющих элементов не обеспечивают надежности работы силовых диодов и интервала их рабочих температур от — 120 до+ 150 .

Объясняется это тем,. что выпрямляющие элементы находятся в напряженном состоянии, обусловленном разностью коэффициентов термического расширения материала элемента и припоя.

Предложенный способ лишен указанного недостатка.

Сущность изобретения заключается в том, что пайка выпрямляющих элементов производится с применением прокладок из чистого свинца.

Пайка согласно предложенному способу заключается в следующем.

Чистый свинец раскатывается в полосу толщиной 0,3 — 0,5 мм, Контакты выпрямляющих элементов и полоса свинца покрываются электролитическим путем тонким слоем сплава свинца и олова. Из полосы вырезаются шайбы требуемого диаметра.

Пайка с этими шайбами производится так же, как и с прокладками из молибдена и вольфрама при температуре 220 — 240 .

При этом применяются те же флюсы.

Данный способ пайки позволяет расширить предел допустимых минусовых рабочих температур выпрямляющих элементов.

Предмет изобретения

Способ пайки выпрямляющих элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы силовых диодов и расширения интервала рабочих температур (от — 120 до+ 150 ), используют прокладки из чистого свинца.

Способ пайки выпрямляющих элементов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки на воздухе без применения защитных сред
Изобретение относится к области изготовления мощных полупроводниковых приборов и БИС путем безфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формиргазе и др
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки

Изобретение относится к области изготовления БИС и СБИС, имеющих большую площадь кристаллов, путем бесфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формир-газе и др
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем
Изобретение относится к квантовой электронике, полупроводниковой и оптоэлектронной технологии, в частности технологии изготовления когерентных излучателей для систем накачки мощных твердотельных лазеров, создания медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования и других целей
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки

Изобретение относится к технологии приборов силовой электроники на основе карбида кремния
Наверх