Способ изготовления рельефа на поверхности кремния

Авторы патента:

Журавлев В.А.

Киреев О.А.

H01L21/311 - травление

№ 149835.

Класс 21g, 11ю

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Г1одпасна» группа Л 9I

В. А. Журавлев и О, А. Киреев

СПОСОЬ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ .КРЕМНИЯ

Заявлено 15 августа 1961 г. аа ¹ 7-12315/26-9

l5 1(огиитет ио лелаги иаооретений и ()TKpL|Tll3I llpII Совете Министров СССР

Оиубликовано в <;Бюллетс llc иаобрстений» № 17 ла 1962 г.

Известные способы получения рсльефа на поверхности кремниевой заготовки нри изготовлении полупроводниковых приборов, основанные на применении фотолитографии с защитой поверхности кремния искусственно образованной окисной пленкой, не дают возможности получить достаточно четкое воспроизведение рельефа при вытравлив",íèè щелочью нанесенного на поверхность кремния рисунка.

По описываемому способу повышение четкости воспроизведения рельефа достигнуто созданием окисной пле11ки одновременно с вжиганисм в кремний ранее нанесенного никелем рисунка с последующим вытравливанисм эвтектики кремний вЂ” никель до получения углублений требуемой конфигурации.

В соответствии с описываемым способом Hà поверхность кремниевой заготовки диффузи<и примесей создают слой, проводимость которого противоположна проводимости материала заготовки. На поверхность полученного слоя химическим путем осаждают никель, который покрывают слоем желатина и фотоспособом вытравливают с пробельных мест никель до кремниевой подложки, получая рисунок заданной конфигурации. г1ля травления используют раствор, состоящий нз 1 части НМОа, 1 части HqSO4 и 8 частей СН;СООН, не РазРУ1пающий желатинового покрытия. После удаления оставшегося на поверхности желао типового слоя заготовку обрабатывают при температуре около 1000 .

В процессе термообработки происходит вплавление рисунка в кремнии и образование на незашишенной поверхности кремния окисной пленки. Затем заготовку обрабатывают в шелочном травителе, напри-. мер в кипящем 30%-ном растворе К01-1. В процессе обработки стравливается эвтектика крем 1ий вЂ” никель до получения рельефа требуемой конфигурации без разрушения поверхности кремния, защищенного окисной пленкой. № 149835

Предмет изобретения

Способ изготовления рельефа на поверхности кремния фотолитографическим путе4 с защитой поверхности кремния от травления окисной, пленкой при производстве полупроводниковых приборов, о т л ич а ю щ и Д с я тем, что, с целью получения более четкого воспроизведения рельефа структуры на кремнии при вытравливании рисунка в щелочи, указанную окисную пленку создают на незащищенной поверхности кремния при термообработке его на воздухе при температуре порядка

1000 одновременно с вжиганием ранее нанесенного рисунка никеля В кремний, а затем вытравливают в щелочном травителе образовавшуюся эвтектику кремний вЂ” никель до получения углублений требуемой конфигурации без разрушения поверхности кремния, защищенной окисной пленкой.

Составитель описания Г. Г. Фридолин

Редактор Н. С. Кутафина Техред А. А, Кудрявиикая Корректор Н. В. Щербакова

Поди к печ 10 3 11-62 г. Формат омм. ОХ 108 /16 Объем 0,18 изд. л.

Зак. 7450 Тираж 1100 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер. д, 2/6.

Типография ЦБТИ. Москва, Петровка, 14.

Способ изготовления рельефа на поверхности кремния

Изобретение относится к способам защиты полиимидных материалов при травлении, применяющихся при конструировании радиоэлектронной аппаратуры для самолето- и вертолетостроения, в частности к способу производства полупроводниковых систем, изготавливаемых на основе полиимида, например гибких печатных плат с открытыми выводами

Способ вскрытия локальных участков в окисленной поверхности полупроводниковой пластины // 668510

Способ получения отверстий в пленочных композициях // 764557

Способ изготовления масок // 784636

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технике получения микросхем, и может быть использовано при получении требуемой топологии резисторов, емкостей, токопроводящих элементов микросхем, выполняемых методами нанесения через маски пленок в вакууме, а также для получения диэлектрических профильных подложек для вакуумной микроэлектроники

Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов // 814175

Фотоактивированная композиция для травления пленок нитрида кремния // 2507219

Изобретение относится к области производства интегральных микросхем и других электронных устройств, использующих планарную технологию их изготовления, основанную на фотолитографических процессах. Фотоактивированная композиция включает полимерную основу и фоточувствительный компонент. В качестве полимерной основы композиция содержит полиметилметакрилат, в качестве фоточувствительного компонента фторид аммония. Дополнительно композиция содержит протофильный реагент - α-нафтиламин и растворители - ацетон и трифторуксусную кислоту. Соотношение компонентов следующее, мас.%: полиметилметакрилат - 11,8; фторид аммония - 4,7-7,1; α-нафтиламин - 18,3; ацетон - 8,3-10,7; трифторуксусная кислота - 54,5. Использование композиции позволяет упростить технологический процесс получения фотолитографического рисунка в слое кремния, при этом исключаются стадии проявления, задубливания и жидкостного химического травления. Упрощение технологического процесса при использовании предложенной композиции позволяет также существенно уменьшить дефекты получаемых изделий. 3 пр.

Способ химического травления полупроводников // 2524137

Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС). Сущность изобретения заключается в том, что химическое травление поверхности полупроводников проводят в травителе, состоящем из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO3) и уксусной (CH3COOH) кислот в соотношении 1:6:3. Технический результат: полное удаление образовавшегося оксида на поверхности полупроводников и сокращение времени обработки.

Способ изготовления полупроводниковых свч приборов // 2546856

Изобретение позволяет значительно упростить способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью, в частности ограничительного элемента на основе p-i-n диодов. Способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью на основе p-i-n структур заключается в равномерном утонении центральной части полупроводниковой пластины, создании на обеих сторонах центральной части пластины пар локальных углублений с плоским дном в местах расположения меза-структур, легировании выделенных областей на обеих сторонах пластины акцепторной и донорной примесями, формировании балочных выводов на противоположных сторонах пластины с областями взаимного перекрытия и получении парных меза-структур приборов. Техническим результатом является повышение процента выхода годных приборов за счет упрощения способа их производства. При этом электротехнические параметры приборов не ухудшаются, а идентичность их повышается. 2 ил.