Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов

Авторы патента:

Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов, включающий нанесение слоя нитрида кремния на кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем, вскрытие в нем окон под контакты, травление кремния и локальное окисление, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборов, окна в нитриде кремния травят в виде узких полос шириной 0,5-1,5 мкм с отношением ширины полосы к расстоянию между ними, равным 0,56:0,44, а травление кремния в окнах проводят на глубину, большую, чем их ширина.

Похожие патенты:

Способ изготовления масок // 784636

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технике получения микросхем, и может быть использовано при получении требуемой топологии резисторов, емкостей, токопроводящих элементов микросхем, выполняемых методами нанесения через маски пленок в вакууме, а также для получения диэлектрических профильных подложек для вакуумной микроэлектроники

Способ получения отверстий в пленочных композициях // 764557

Способ вскрытия локальных участков в окисленной поверхности полупроводниковой пластины // 668510

Способ изготовления рельефа на поверхности кремния // 149835

Способ защиты полиимидных материалов при травлении // 2447628

Изобретение относится к способам защиты полиимидных материалов при травлении, применяющихся при конструировании радиоэлектронной аппаратуры для самолето- и вертолетостроения, в частности к способу производства полупроводниковых систем, изготавливаемых на основе полиимида, например гибких печатных плат с открытыми выводами

Фотоактивированная композиция для травления пленок нитрида кремния // 2507219

Изобретение относится к области производства интегральных микросхем и других электронных устройств, использующих планарную технологию их изготовления, основанную на фотолитографических процессах. Фотоактивированная композиция включает полимерную основу и фоточувствительный компонент. В качестве полимерной основы композиция содержит полиметилметакрилат, в качестве фоточувствительного компонента фторид аммония. Дополнительно композиция содержит протофильный реагент - α-нафтиламин и растворители - ацетон и трифторуксусную кислоту. Соотношение компонентов следующее, мас.%: полиметилметакрилат - 11,8; фторид аммония - 4,7-7,1; α-нафтиламин - 18,3; ацетон - 8,3-10,7; трифторуксусная кислота - 54,5. Использование композиции позволяет упростить технологический процесс получения фотолитографического рисунка в слое кремния, при этом исключаются стадии проявления, задубливания и жидкостного химического травления. Упрощение технологического процесса при использовании предложенной композиции позволяет также существенно уменьшить дефекты получаемых изделий. 3 пр.

Способ химического травления полупроводников // 2524137

Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС). Сущность изобретения заключается в том, что химическое травление поверхности полупроводников проводят в травителе, состоящем из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO3) и уксусной (CH3COOH) кислот в соотношении 1:6:3. Технический результат: полное удаление образовавшегося оксида на поверхности полупроводников и сокращение времени обработки.

Способ изготовления полупроводниковых свч приборов // 2546856

Изобретение позволяет значительно упростить способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью, в частности ограничительного элемента на основе p-i-n диодов. Способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью на основе p-i-n структур заключается в равномерном утонении центральной части полупроводниковой пластины, создании на обеих сторонах центральной части пластины пар локальных углублений с плоским дном в местах расположения меза-структур, легировании выделенных областей на обеих сторонах пластины акцепторной и донорной примесями, формировании балочных выводов на противоположных сторонах пластины с областями взаимного перекрытия и получении парных меза-структур приборов. Техническим результатом является повышение процента выхода годных приборов за счет упрощения способа их производства. При этом электротехнические параметры приборов не ухудшаются, а идентичность их повышается. 2 ил.