Способ изготовления источника магнитного поля смещения в запоминающем модуле на цилиндрических магнитных доменах

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является упрощение способа и повышение надежности изготовления источника магнитного поля смещения. В соответствии с предложенным способом изготовление источника магнитного поля смещения в запоминающем модуле на ЦМД осуществляют следующим образом . На плоскопараллельную пластину 1, определяющую параллельность полюсных наконечников после сборки, ус ганавливают и фиксируют постоянные магниты с полюсными наконечниками 2, после чего их промазьшают клеем и на них устанавливают корпус из двух Г-образнык пластин 3, которые сваривают на концах. После этого клей полимеризуется и удаляется пластина 1. За счет изготовления корпуса из двух частей выбираются допуски, получаемые при гибка, а базировка магнитов с наконечниками по плоскопараллельной пластине позволяет получить высокую параллельность поверхностей наконечников . Снижается также трудоемкость изготовления Г-образных пластин по сравненгао с корпусом типа пенал. (Л ил.

СОЮЗ СО8ЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (Ю 4 G 11 С 11/)4

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4105016/24-24 (22) 25.05,86 (46) 15.07.88. Бюл. К* 26 (72) В.Б.Соловьев, И.В.Дударенко и Н.Н.Канатчиков (53) 681.327.66(088.8) (56) Патент США В 3996574, кл. 366-2, опублик. 1974.

Заявка Японии 5856 187 кл. G 11 С 11/14, опублик, 1983. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКА

МАГНИТНОГО ПОЛЯ СМЕЩЕНИЯ В ЗАПОМИНАЮЩЕМ МОДУЛЕ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (Ц1Я). Целью изобретения является упрощение способа и, повышение надежности изготовления источника магнитного поля смещения. В соответствии с предложенным способом

„„SU„„1410099 А 1 изготовление источника магнитного поля смещения в запоминающем модуле на 1ЩЦ осуществляют следующим образом. На плоскопараллельную пластину

1, определяющую параллельность полюсных наконечников после сборки, ус ганавливают и фиксируют постоянные магниты с полюсными наконечниками 2, после чего их промазывают клеем и на них устанавливают корпус из двух

Г-образных пластин 3, которые сваривают на концах. После этого клей полимеризуется и удаляется пластина 1.

За счет изготовления корпуса иэ двух частей выбираются допуски, получаемые при гибке, а базировка магнитов с наконечниками по плоскопараллельной пластине позволяет получить высокую параллельность поверхностей наконечников. Снижается также трудоемкость изготовления Г-образных пластин по сравненню с корпусом типа "пенал".

1 ил.

1410099 раллельной пластине позволяет получить высокую параллельность поверхностей наконечников. Трудоемкость изготовления Г-образных пластин по сравнению с корпусом типа "пенал" снижается.

Формула изобретения

Составитель N.Ðoýåíòàëü

Редактор А,Лежнина Техред М.Ходанич Корректор Г,Решетник

Заказ 3485/48 Тираж 590 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Нрогкт. ая, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных 5 доменах (ЦИД).

Целью изобретения является упро .щение способа и повышение надежности изготовления источника магнитного поля смещения.

На чертеже показана схема осуществления предлагаемого способа.

Изготовление источника магнитного поля смещения в запоминающем модуле на ЦМД осуществляют следующим обра- 15 зом.

На плоскопараллельную пластину 1, определяющую параллельность полюсных наконечников после сборки, устанавли- 20 вают и фиксируют постоянные магниты с полюсными наконечниками 2, после чего их промазывают клеем и на них устанавливают корпус из двух Г-образных пластин 3, которые сваривают на 25 концах. После полимеризации клея пластину 1 удаляют. .За счет изготовления корпуса из ! двух частей выбираются допуски по,лучаемые при гибке, а базировка маг" 30 нитов с наконечниками по плоскопаСпособ изготовления источника магнитного поля смещения в запоминающем модуле на цилиндрических магнитных доменах, основанный на закреплении постоянных магнитов с полюсными наконечниками в корпусе из двух Г-образных пластин, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощения способа и повышения надежности изготовления источника магнитного поля смещения, постоянные магниты с полюсными наконечниками фиксируют на плоскопараллельной пластине, закрепление постоянных магнитов с полюсными наконечниками в корпусе осуществляют путем установки Г-образных пластин на постоянные магниты и их последующего приклеивания, сваривают между собой

Г-образные пластины и после полимеризации клея удаляют плоскопараллельнув пластину.

Способ изготовления источника магнитного поля смещения в запоминающем модуле на цилиндрических магнитных доменах Способ изготовления источника магнитного поля смещения в запоминающем модуле на цилиндрических магнитных доменах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании носителей информации на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вьтислительной технике и может быть использовано для управления переключателемрепликатором в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычисли тельной технике и может быть использовано для построения запоминающих устройств

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих, устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминаю1чим устройствам на цилиндрических магнитных доменах со средствами коррекции ошибочной информации

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в системах автоматизированного контроля магнитных интегральных микросхем памяти на цилиндрических магнитных доменах (ПМД) с параллельно-последовательной организацией

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на плоских магнитных доменах (ПМД)

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх