Способ ориентирования монокристаллов

Авторы патента:

C30B33 - Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B 31/00 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D 5/00)

Изобретение относится к исследованию монокристаллов и может быть использовано для кристаллографического ориентирования монокристаллов. Целью изобретения является ориентирование монокристаллов фосфида Мир,

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5g 4 С 30 В 3300

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H Д BTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3548902/23-26 (22) 21.01.83 (46) 23.07.88. Бюл. № 27 (71) Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола (72) Л. А. Битюцкая, Е. Н. Бормонтов, В. А. Минасянц и В. Ф. Сыноров (53) 548.735 (088.8) (56) Травление полупроводников. вЂ” М.:

Мир, 1965, с. 175 вЂ” 177. (54) СПОСОБ ОРИЕНТИРОВАНИЯ М0НОКРИСТАЛЛОВ (57) Изобретение относится к исследованию монокристаллов и может быть использовано для кристаллографического ориентирования монокристаллов. Целью изобретения является ориентирование монокристаллов фосфида

„„SU„„1411357 А 1 цинка моноклинной сингонии. Для этого исходный монокристалл фосфида цинка раскалывают по плоскости спайности, изготавливают шлиф в виде полированной площадки перпендикулярно направлению ступеней. образовавшихся на поверхности скола, после чего ведут обработку шлифа травителем, состоящим из смеси 3 вЂ” 90 об.% азотной кислоты и 97 вЂ” 10 об.о о фтористоводородной кислоты. При этом ось (001) определяют по направлению ступеней на поверхности скола, а ось (010) вЂ” по большим осям ямок эллиптической формы и линиям выхода плоскостей скольжения на картине травления.

При осуществлении способа достигается ускорение процесса и упрощение используемого оборудования. 2 ил.

Формула изобретения

Фиг /

Составитель В. Забелин

Редактор Н. Яцола Техред И. Верес Корректор М. лароши

3 а к аз 3623/25 Тираж 365 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, УК вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

141 (Изобретение относится к области исследования монокристаллов и может быть использовано для кристаллографического ориентирования монокристаллов.

Цель изобретения вЂ” ориентирование мо нокристаллов фосфида цинка (ZnP ) моно линной сингонии., Монокристаллы фосфида цинка, полуенные методом направленной кристаллиза ии из расплава, диаметром 1 см и длиной см раскалывают на несколько частей по лоскостям спайности. Каждый из полученых образцов имеет от одной до трех непааллельных плоскостей скола, на каждой из оторых имеются риски. На отколотых часях монокристаллов сошлифовывают и отолировывают две площадки, перпендикуярные рискам на сколе. Окончательную поировку шлифов осуществляют пастой AN ,5/О. Размеры шлифов Зх5 мм. Затем осуествляют травление шлифов травителем, одержащим 10 мл 69,8%-ной азотной кисоты и 50 мл 45%-ной фтористоводородной ислоты (картина травления изображена на иг. 1) и травителем, содержащим 40 мл

9,8%-ной азотной кислоты и 10 мл 45%-ной тористоводородной кислоты (картина травения изображена на фиг. 2) . Травление

I оверхностей шлифов осуществляют в течеие 1 мин при комнатной температуре. Ориенацию монокристаллов определяют по рисам на сколе, задающим направление (001) 1357 и по линиям выхода плоскостей скольжения на поверхности шлифа или по большим осям эллипсоидальных ямок травления, задающим направление (010).

При осуществлении пре -аемого способа достигается ускорени ч1.,есса ориентации монокристалла (2 мьн), а также упрощение используемого оборудования (требуется в основном микроскоп и кислоты).

Способ ориентирования монокристаллов, включающий изготовление на них плоского шлифа, обработку шлифа селективным травителем и определение направления кристаллографических осей по фигурам на картине травления, отличающийся тем, что, с целью ориентирования монокристаллов фосфида цинка моноклинной сингонии, для изготов20 ления шлифа монокристалл раскалывают по плоскости спайности, шлиф изготавливают в виде полированной площадки перпендикулярно направлению ступеней, образовавшихся на поверхности скола, и обработку шлифа ведут смесью 3 вЂ” 90%-ной азотной кислоты и

97 вЂ” 10%-ной фт ори стоводор одной кислоты, причем ось (001) определяют по направлению ступеней на поверхности скола, а ось (010) вЂ” по большим осям ямок эллиптической формы и линиям выхода плоскостей

30 скольжения на картине травления.

Изобретение относится к приборостроению, электронике и радиоэлектронике, может быть использовано в технологических процессах локального травления и позволяет обеспечить анизотропность травления

Способ обработки монокристаллов кубической симметрии // 1365756

Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дидейтерофосфата калия // 1345688

Изобретение относится к отособу термообработки радиационно - поврежденных монокристаллов дидейтерофосфата калия и позволяет улучшить структуру и оптические харааериаики кристаппов , Радиационно - поврежденные кристаллы нагревают со скоростью не более 2 с/ч до температуры на 3 - 5 с ниже температуры фазового перехода (Т )

Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита // 1345685

Монокристаллический лазерный стержень и способ его получения // 1345684

Изобретение относится к квантовой электронике

Способ получения монокристаллов фтористого натрия // 1319645

Способ получения активной среды из кристаллов фторида лития // 1316323

Способ переработки отходов,возникающих при производстве полупроводниковых приборов // 1308653

Изобретение относится к способу переработки отходов, возникающих при производстве полупроводниковых приборов, и обеспечивает превращение осажденных твердых веществ в продукты , пригодные к длительному хранению без загрязнения окружакмцей среды

Способ создания лазерноактивных центров окраски tl°va*99+ в кристаллах kcl-tl // 1271155

Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам создания лазерноактивных центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах, и может быть использовано при изготовлении оптических элементов лазеров

Способ травления кристаллов висмута // 1175977

Абразивная суспензия // 2102543

Способ облучения минералов // 2104770

Изобретение относится к радиационным методам обработки минералов с целью повышения их ювелирной ценности

Способ обработки поделочных камней группы халцедона // 2119977

Способ термообработки монокристаллов лантангаллиевого силиката // 2126853

Способ сращивания и полировки оптических кристаллов // 2135649

Материал термоэмиттера для поверхностной ионизации органических соединений на воздухе и способ его активации // 2138877

Изобретение относится к сплавам для электронной техники и приборостроения, в частности для термоэмиттеров поверхностно-ионизационных детекторов аминов, гидразинов и их производных

Способ снижения дефектности кристаллов // 2140468

Способ термобарического отжига комплексных радиационных дефектов в ядерно-легированных полупроводниковых кристаллических веществах // 2141544

Способ облагораживания алмазов // 2145365

Изобретение относится к области обработки драгоценных камней, в частности обработке алмазов, и может найти применение в ювелирной промышленности и различных отраслях техники

Способ ионно, ионизационно, термодинамического твердофазного объемного сращивания и облагораживания кристаллов диффузионной сваркой // 2145366

Изобретение относится к диффузионной сварке кристаллов и может быть применено при сращивании и облагораживании различных кристаллов для радиоэлектронной промышленности, в ювелирном деле, в оптике и других отраслях