Способ изготовления аналогового элемента памяти

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (5п4 С 11 С 27 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3806130/24-24 (22) 18 ° 09.84 (46) 07.10.88. Бюл. И - 37 (71) Ереванский политехнический институт им. К.Маркса (72) Э.В.Казарян и М.Г.Маркосян (53) 681 ° 327.66 (088.8) (56) Балашов А.Н., Шорыгин А.П.

Электрохимические и ртутно-электролитические преобразователи. — Приборы и системы управления, 1970, В 12.

Авторское свидетельство СССР

N - 339962, кл. G 11 С 27/00, 1971. (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АНАЛОГОВОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ, заключающийся в формировании камеры и капилляров из термопластичного материала, соедине„„SU,„, 4 1 2 А1 нии камеры с капиллярамн, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения способа изготовления элемента памяти, камеру выполняют из двух частей, причем верхняя часть образует крьппку, в которой выполняют заливочное отверстие,и армируют электроды, а в нижней части выполняют углубление и капилляры, соединенные мелду собой, поверхности верхней и нижней частей камеры полируют, после чего совмещают и разогревают под давлением до температуры размягчения термопластичного материала.в течение

15-20 мин с последующим охлаждением до комнатной температуры, после чего . камеру заполняют электролитом и ртутью и герметизируют.

1429172

Составитель Л.Амусьева

Редактор О.Юрковецкая Техред Л.Сердюкова Корректор Л.Патай

Заказ 5132/48 Тираж 590 Подпис ное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул, Проектная, 4.

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и предназначено для изготовления аналоговых капиллярных ртутно-электролитических элементов памяти.

Целью изобретения является упрощение способа изготовления элемента памяти.

На чертеже представлен аналоговый элемент памяти, изготовленный по предлагаемому способу.

Аналоговый элемент памяти содержит верхнюю 1 и нижнюю 2 части камеры, заливочное отверстие 3, электроды 4, углубление 5 в нижней части камеры и капилляры б.

Элемент памяти изготавливают из, двух частей (верхней 1 и нижней 2), 20 которые представляют собой плоские подложки, полученные методом штамповки. Из одной части изготавливают камеру и капилляры, а в другой выполняют заливочное отверстие 3 и армируют электроды 4. После штамповки обеих частей их шлифуют и полируют до 8-10-го класса. Затем оое части,. верхнюю и нижнюю, совмещают и, доведя температуру обеих частей до границы размягчения (для стекла состава

23 эта температура составляет 710о

715 С), сваривают под давлением 0,1—

0 5 кг/см . Процесс сварки длится

15-20 мин, после чего охлаждают камеру до комнатной температуры, не вызывая внутренних напряжений в стекле.

Затем через заливочное отверстие 3 заполняют камеру ртутью и электролитом, после чего герметизируют. Благодаря тому, что герметизация элемента в целом производится лишь по одной плоскости сопряжения, то в результате существенно повышается надежность герметизации. Так как капилляры формируются в процессе штамповки, разброс геометрических параметров уменьшается на порядок, достигая 0,7-1,07 по длине капилляра.