Способ прошивки двухслойной запоминающей матрицы на биаксах

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении двухслойных запоминагацих матриц на биаксах. Целью изобретения является повышение надежности матрицы. Предложенный способ позволяет производить компенсацию длины провода при взаимном смещении столбцов относительно друг друга, при этом участки перекрещиваемых проводов между смежными двухслойными столбцами получаются одинаковой длинь1 и с заданным натяжением. 9 ил.

СО1ОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51)4 С 11 С 5 12

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К Д BTQPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТНЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4238053/24-24 (22) 04.05.87 (46) 07.12.88. Бюл. Р 45 (72) А.А. Яблонский и В,П.Сверлов (53) 681.327.66(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N - 822285, кл. G 11 С 5/02, 1981.

Авторское свидетельство СССР

У 1251171, кл. G 11 С 5/12, 1984. (54) СПОСОБ ПРОШИВКИ ДВУХСЛОЙНОЙ

ЗАПОМИНАЮЩЕЙ МАТРИЦЫ НА БИАКСАХ (57) Изобретение относится к вычисли„„SU„„1443028 А 1 тельной технике и может быть использовано при изготовлении двухслойных запоминающих матриц на биаксах. Целью изобретения является повьппение надежности матрицы. Предложенный способ позволяет производить компенсацию длины провода при взаимном смещении столбцов относительно друг друга, при этом участки перекрещиваеиах проводов между смежными двухслойными столбцами получаются одинаковой длины и с заданным натяжением. 9 ил.

1443028

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологическом процессе изготовления двухслойных запоминающих матриц на биаксах.

Целью изобретения является повышение надежности двухслойной запоминающей матрицы на биаксах, Предложенный способ позволяет про- 10 изводить компенсацию длины провода при взаимном смещении столбцов относительно друг друга, при этом участки перекрещиваемых проводов между смежными двухслойными столбцами по- 15 лучаются одинаковой длины и с заданным натяжением. Это происходит эа счет того, что после прошивки биаксов проводом считывания в прямом направлении производят поочередное сме- 20 щение четных столбцов, при этом обеспечивается прямолинейный участок прошитого провода, позволяющий при задании натяжения компенсировать длину провода, а также и за счет того, 25 что после прошивки биаксов проводом считывания в обратном направлении двухслойные столбцы смещают и разводят последовательно, при этом также обеспечивается прямолинейный участок 30 провода, позволяющий при задании натяжения компенсировать длину провода в обратном направлении, На фиг,1 показана схема прошивки соосно расположенных отверстий прово- 35 дом считывания в прямом направлении; на фиг,2 и 3 — последовательное смещение четных столбцов; на фиг.4— схема прошивки соосных отверстий биаксов проводом в обратном направле- 40 нии; на фиг.5 — 8 — последовательное смещение и разводка столбцов до соосного расположения отверстий биаксов; на фиг.9 — конструкция двухслойной запоминающей матрицы на биаксах. 45

Биаксы 1 размещают и фиксируют в по следов ат ел ьный ряд двухслойных столбцов 2. Затем смещают четные 3 столбцы относительно нечетных 4 до соосного расположения отверстий 5 биаксов нижних слоев 6 нечетных столбцов и верхних слоев 7 четных столбцов. Прошивают соосно расположенные отверстия 5 проводом 8 считывания в прямом направлении, обеспечивая запас провода 9 для прошивки биаксов в обратном направлении, Далее с одного конца ряда провод фиксируют на валике 10 в месте выхода его из отверстия биакса, а с другого конца провода обеспечивают натяжение в осевом направлении, например, с помощью противовеса 11, перекинутого через блок 12 (фиг.1). Затем производят поочередное смещение четных столбцов 3 со стороны зафиксированного конца провода до соосного расположения оставшихся не прошитыми отверстий биаксов (фиг ° 2 и 3). После этого провод огибают вокруг валика

10 и прошивают соосные отверстия биаксов проводом в обратном направлении (фиг.4), Затем обеспечивают натяжение обратного провода, например, с помощью противовеса 13, перекинутого через блок 14. После чего первый двухслойный столбец 15 со стороны валика 10 смещают и разводят относительно второго столбца 16 до соосного расположения отверстий биаксов в каждом слое (фиг.4 и 5), Далее первый и второй столбцы смещают и разводят относительно третьего 17 до сооснога расположения отверстий в каждом слое (фиг.5 и 6). Затем первый, второй н третий столбцы смещают и развоцят относительно четвертого столбца 18 и т.д. до соосного расположения всех отверстий биаксов в каждом слое (фнг.7 и 8), Биаксы также прошнваются проводами 19 записи, которые имеют прямые и обратные, ветви, на одном конце свитые между собой.

Изобретение позволяет обеспечить лучшую сохранность лаковой изоляции проводов и устранить обрывы, что повышает.качество запоминающей матрицы

Формула иэ обретения

Способ прошивки двухслойной запоминающей матрицы на биаксах, включающий фиксацию и размещение биаксов в последовательный ряд двухслойных столбцов, смещение последних относительно друг друга до соосного расположения отверстий биаксов первой группы первых слоев нечетных и вторых четных столбцов, прошивку соосно расположенных отверстий биаксов первой группы проводами считывания в прямом направлении, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повьппения надежности матрицы, после прошивки отверстий биаксов первой группы проводом в прямом направлении с одного конца ряда провод фиксируют в мес"

I 44302 те выхода его из отверстия биакса, а с другого конца производят его натяжение, после чего поочередно смещают четные столбцы со стороны эафик5 сированного конца провода, производят прошивку в обратном направлении отверстий биаксов второй группы, смещенных до соосного расположения, про8

4 изводят натяжение второго конца провода, после чего последовательно смещают и разводят смежные столбцы до образования между ними участков натянутых перекрещиваеьых проводов одинаковой длины, смещение и разводку начинают с места образования петли между прямым и обратным проводом.

1443028

1443028

14430?8

Составитель Л.Амусьев

Корректор С.черни

Редактор А.Шандор Техред A,Êðàâ÷óê

Заказ 6387/47

Тираж 590 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СС, СССР и о делам изобретений и открытий

6 . 4/"

113035 Москва, Ж-35, Раушская наб., д. з

Г л 1! 1 )Ргти1я

Производственно-полиграфическое р д р и е п иятие, г, Ужгnpnq, л. lip гти: .,

Способ прошивки двухслойной запоминающей матрицы на биаксах Способ прошивки двухслойной запоминающей матрицы на биаксах Способ прошивки двухслойной запоминающей матрицы на биаксах Способ прошивки двухслойной запоминающей матрицы на биаксах Способ прошивки двухслойной запоминающей матрицы на биаксах Способ прошивки двухслойной запоминающей матрицы на биаксах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике , вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении элементов оперативной памяти в виде ферритовьк запоминающих матриц

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, в частности к устройствам для изготовления ферритовых матриц; постоянных запоминающих устройств

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, в частности к технологическому оборудованию для изготовления оперативной памяти в виде ферритовых матриц

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологическому оборудованию для изготовления блоков памяти

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть иснользовано для обвязки кодовых жгутов ПЗУ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающи.х устройства.х системы ЗД

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и может быть использовано в цифровых вычислительных машинах и устройствах автоматики

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологическом процессе изготовления матриц памяти на ферритовых сердечниках

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для стирания данных в микросхемах перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств (ПИЗУ)

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, в частности к полуавтоматическим усттройствам с программным управлением для монтажа радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к ПЗУ Х-конфигурации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти

Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well)

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти

Изобретение относится к игровым системам и, в частности, к способам и средствам, позволяющим определять местоположение игрового устройства в казино
Наверх