Сверхпроводниковый регистр сдвига

 

Сверхпроводниковый регистр сдвига, содержащий подложку, на поверхности которой расположены основные сверхпроводящие электроды, соединенные друг с другом посредством основных двухконтактных интерферометров, образующих основную периодическую структуру ячеек, и основную шину управления, индуктивно связанную с указанными ячейками, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей регистра сдвига за счет обеспечения возможности обработки информации при ее передвижении, он содержит дополнительные сверхпроводящие электроды, соединенные дополнительными двухконтактными интерферометрами, образующими дополнительную периодическую структуру ячеек, дополнительную шину управления, индуктивно связанную с ячейками дополнительной структуры, и дополнительные двухконтактные интерферометры считывания, каждый из которых индуктивно связан с одной ячейкой основной структуры и одной ячейкой дополнительной структуры.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к изготовлению сверхпроводяпр х материалов Целью изобретения является расплтрение технических возможностей за счет увеличения твердости и прочности на сжатие сверхпроводящего материала

Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике и измерительной технике

Изобретение относится к ускори-

Изобретение относится к криоэлектронным устройствам, позволяет повысить чувствительность и упростить изготовление измерительного устройства путем введения второго генератора накачки и промежуточного LC-контура, имеющего резонансную частоту, равную разности частот генераторов накачки

Изобретение относится к материаловедению

Изобретение относится к области твердотельных электронных приборов на основе квантовых эффектов

Изобретение относится к переключаемому планарному высокочастотному резонатору и к планарному высокочастотному фильтру на его основе

Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных ПТ-СКВИДов

Изобретение относится к способам создания слабых связей, используемых в высокочувствительных системах на пленочных YBaCuO ВТСП-сквидах

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике, а именно к способу изготовления устройства на основе эффекта Джозефсона

Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым эпитаксиальным наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано при реализации полупроводниковых приборов, работа которых основана на эффекте сверхпроводимости

Изобретение относится к способам создания слабых связей в виде двумерных периодических микроструктур с джозефсоновскими свойствами, используемых в высокочувствительных системах пленочных ВТСП сквид-магнитометрах, в частности, при создании высокочувствительных датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля, применяемых в устройствах для регистрации магнитокардиограмм в медицине, геофизике, экологии, контроля парамагнитных примесей в нефтепродуктах и т.п

Изобретение относится к криогенной радиотехнике и может быть использовано для усиления электрических сигналов в гигагерцовом диапазоне частот
Наверх