Способ изготовления микросхем

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении СВЧ-схем. Цель изобретения - повьшение стабильности электрических характеристик. Способ изготовления микросхем на диэлектрической подложке включает формирование токнопленочных резисторов, нанесение структуры х ром-медь, формирование фоторезистивной маски в виде негативного изображения проводников и контактных площадок, обрамленного прямоугольной замкнутой рамкой, выполняющей функцию маски для формирования технологических проводников, электрохимическое наращивание меди и никеля, удаление фоторезистивной маски, травление меди, наращивание антикоррозионного слоя золота при использовании в качестве технологических проводников прямоугольной замкнутой медной рамки,сформировавшейся по пе-- риметру подложки на сплошном слое хрома, и последующее травление хрома . Способ обеспечивает повышение стабильности электрических характеристик . 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

PECflVEiËÈH

ÄÄSUÄÄ ) 455399 (5!)4 Н 05 К 3/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ОРИ ГКНТ СССР (21) 3864946/24-63 (22) 11.03.85 (46) 30.01 89. Бюл. У 4 (72) Т.В.Катина, Л.И.Северюхина и Б.Г.Яремчук (53) 621.396.6,049.75 (088.8) (56) Бадулин С.С ° и др. Основы проектирования микроэлектронной аппаратуры. M.: Советское радио, 1977, с. 50-52. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ (57) Изобретение относится к электронной технике и .может быть использовано при изготовлении СВЧ-схем.

Цель изобретения — повышение стабильности электрических характеристик.

Способ изготовления микросхем на диэлектрической подложке включает формирование токнопленочных резисторов, 1

Изобретение относится к электронной технике, а именно к тонкопленочной технологии изготовления микросхем, и может быть использовано при изготовлении СВЧ-микросхем. 5

Цель изобретения — повышение стабильности электрических характеристик путем повышения стойкости антикоррозионного покрытия.

На чертеже показана последова- 10 тельность операций предлагаемого способа.

Способ изготовления микросхем на диэлектрической подложке включает формирование тонкопленочных резисто- 15 ров, напыление сплошного слоя меди с адгезионяым подслоем хрома, формирование негативной фоторезистивной нанесение структуры хром-медь, формирование фоторезистивной маски в виде негативного изображения проводников и контактных площадок, обрамленного прямоугольной замкнутой рамкой, выполняющей функцию маски для формирования технологических проводников, электрохимическое наращивание меди и никеля, удаление фоторезистивной маски, травление меди, наращивание антикоррозионного слоя золота при использовании вкачестве технологических проводников прямоугольной замкнутой медной рамки,сформировавшейся по пе-риметру подложки на сплошном слое хрома, и последующее травление хрома. Способ обеспечивает повышение стабильности электрических характеристик. 1 ил. маски с последующим гальваническим наращиванием меди и антикоррозионного покрытия никеля, удаление фоторезистивной маски и напыленного слоя меди, наращивание антикоррозионного слоя золота и последующее травление хрома.

Пример. Поликоровую подложку (д) очищают в хромпике, промывают в проточной деионизованной воде и деионизованной воде с ультразвуком, сушат на центрифуге азотом, подогретым до 40-60 С. Затем на подложке формируют с помощью фотолитографии тонкопленочные резисторы из тантала (6). Далее подложку снова очищают в хромпике с последующей отмывкой деионизованной водой, наносят вакуум1455399

Хромовый ангидрид, г/л

Серная кислота, мп/л

450

50 наращивают антикоррозионный слой золота (>) из фосфатного электролита, имеющего состав, г/л:

Дицианоаурат .калия 10

Аммоний фосфорнокислый однозамещенный 40

Аммоний фосфорнокислый двухзамещенный

Нитрат таллия ,при температуре 70 С и плотности то ка 2-3 мА/см толщиной 3 мкм, а затем травят хром в травителе следую, щего состава, г/л:

Желеэосинеродистый калий- 250

Гидрат окиси калия 28

0,01 ным напылением структуру хром-медь

Ом с у,щ 100 — + 15K и толщиной меди

0,9 0,2 мкм (s), создают фоторезистивную маску (z) в виде негативного

:изображения проводников и контактных площадок, ограниченного прямоуголь:ной замкнутой рамкой по периметру подложки, проводят электрохимическое .,наращивание меди в сернокислом элект ролите, нагретом до 40РC при плотности прямого тока 5 мА/см, до заанной толщины, затем - антикоррозионного слоя никеля (q) из борного электролита при комнатной температу е и плотности тока 3 мА/см толщи,ной 0,3+О, 1 мкм, удаляют фоторезисивную маску (е) в органических растворителях, травят медь () в травите е, именицем состав:

Негативная фоторезистивная маска позволяет в процессе наращивания меди и антикоррозионного слоя никеля

5 и последующего травления меди получить медную замкнутую прямоугольную рамку на сплошном слое хрома, которая обеспечивает воэможность наращивания антикоррозионного слоя золота

10 без применения вспомогательных технологических проводников, а также обеспечивает полную защиту краев проводников и контактных площадок антикоррозионным покрытием, что npu1r„, водит к повышению стабильности электрических характеристик, Исключа ние из технологического процесса операций защиты и удаления вспомогательных технологических проводников позволяет уменьшить его трудоемкость

Формула и з о б р е т е н и я

Способ изготовления микросхем на диэлектрической подложке, включающий формирование тонкопленочных резисто

2б ров, напыление сплошного слоя меди с адгеэионным подслоем хрома, формирование негативной фоторезистивной маски с последующим гальваническим наращиванием меди и антикорроэионного покрытия никеля и золота и удалением фоторезистивной маски и напыленного слоя меди и хрома, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью повышения стабильности электрических характеристик путем повышения стойкости антикоррозионного покрытия, слой золота наращивают после удаления фоторезистивной маски и травления напыленного слоя меди, причем в

40 процессе изготовления микросхем одновременно формируют по краю подлОжки замкнутую технологическую рамку, структура которой повторяет структуру проводников.

1455399

UNi

Си

Сг

Составитель М. Кузнецова

Техред:М.Ходанич Корр ек тор М. С амб орская

Редактор М.Петрова

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 7459/57 Тираж 770 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5