Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала

 

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта материала сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки CASNO<SB POS="POST">3</SB>, CEO<SB POS="POST">2</SB> и ZRO<SB POS="POST">2</SB> при следующем соотношении компонентов, мас. %: BATIO<SB POS="POST">3</SB> 86,37-88,65, CAZRO<SB POS="POST">3</SB> 8-5,9,0, MNCO<SB POS="POST">3</SB> 0,08-0,10, NB<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">5</SB> 0,70-0,98, ZNO 0,45-0,70, CASNO<SB POS="POST">3</SB> 1,50-2,50, CEO<SB POS="POST">2</SB> 0,02-0,15 и ZRO<SB POS="POST">2</SB> 0,10-0,20. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют следующие характеристики: ε 15500-17000, TG δ 1,15-2,25X 10<SP POS="POST">-</SP>2, ρ V при 100°С 6,0-9,6 ГОм.м, Е пр 7,0-8,4 МВ /м, Тк 10-20°с, температура спекания материала 1260-1280°с. 2 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ВТТК УУ

ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

""! Д

" D J V l l б 3 1 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21 ) 41 73943/29-33 (22) 04.01.87 (46) 23.04.89. Бюл. № 15 (72) Э .И.Мамчиц, И.Г.Бертош, В.В.Самойлов, Л.И.Егоров, З.И.Давыдова, Л.Д.Подласенко и В.Ф.Ларичева (53) 666.638 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹ 1 258825, кл. С 04 В 35/46, 1986.

Авторское свидетельство СССР № 810643, кл. С 04 В 35/46, 1981 ° (54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА (57) Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изгоИзобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов.

Цель изобретения — повышение диэлектрической проницаемости материала.

Шихту получают следующим образом.

Предварительно известным в керамической технологии способом получают спеки титаната бария, цирконата кальция и станната кальция, которые синтезируют при 1220-1300 С, затем измельчают до удельной поверхности

4000 — 5000 см /r. Измельченные спе2

„„SU„„1.474150 А 1

gg 4 С 04 В 35/46 Н 01 G 4 12 товления низкочастотных керамических конденсаторов. Дпя повышения диэлектрической проницаемости шихта материала сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки

CaSnO, СеО и ZrOz при следующем соотношении компонентов, мас,_#_:

BaTiO> 86,37-88,65,CaZrO> 8,5-9,0, МпСОз 0,08-0,10, Nb О - 0,70-0,98, ZnO 0,45-0,70, CaSnO 1,50-2,50, СеО 0,02-0, 15 и ZrOz 0,1 0-0,20.

Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют следующие характеристики. 15500-17000, tp;К (1,15-2,25) 10, J при 100 С 6,0—

9,6 ГОм,м, Ед 7,0-8,4 МВ/м, Т„

10-20 С, температура спекания материала 1260-1280 С. 2 табл.

Ф ки, взятые в заданном соотношении, смешивают с требуемым количеством углекислого марганца и оксидов цинка, ниобия, церия и циркония.

Полученную смесь измельчают до удельной поверхности 5000-7000 см /г и используют для получения диэлектрика конденсаторов по принятой в керамическом конденсаторостроении технологии

-Составы шихты приведены в табл.l; характеристики полученных иэ шихты материалов — в табл.2.

Формула изобретения

Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конден1

1474150

Таблица1

Содержание компонентов, мас,X

Состав

BaTiO CaZrO МпСО Nb O

ZnO CaSnO> СеО ZrO>

1 86,37 9,0 0,10 0,98

2 87,51 8,75 0,09 0,84

3 88,65 . 8,50 0,08 0,70

0,70 2,5 0 15 0,20

0 58 2 0 0 08 0 15

0 45 1 5 0 02 О 10

Таблица 2 б о кь С дГх10

AC/С -100% (в интервале 40—

20 С) 3y s прв

ГОм.м, МВ/м при

100 С

Соста

10 89 1? 60

10 85,6 1280

20 86 1280

17000+200 1,1 5+0,1 5

16000т400 2,1+0,2

1 5500+400 2, 25+0, 2.

6,0 7

9,6 8

8,3 8,4

9-10 5,9 10-25

1320-1370

10500-14000 0,75

Составитель Л.Косяченко

Техред М.Дидык, Корректор С.Шекмар

Редактор Н.Гунько

Заказ 1838/22 Тираж 589 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óìãîðîä, ул. Гагарина,101 саторного материала, включающая

ВаТхО, CaZrO» МпСОЗ, Nb 0, ZnO и добавку, отличающаяся тем, что, с целью повьппения диэлектрической проницаемости материала, она содержит в качестве добавки CaSnO >

СеО -и ЕгО при следующем соотношении компонентов, мас.l;

2

Изве-. . стный

ВаТ Оз

C+ZrO3

МпСО

Nb205.

ZnO

СаЯпОз

СеОе

ZrO

86,37

8,5

0,08

0,70

0,45

1,50

0,02

0,10

88,65

9,0

0,10

0,98

0,70

2,50 — 0,15 — 0,20