Способ получения сверхтонких пленок ниобия

Авторы патента:

H01L39/24 - способы и устройства для изготовления или обработки предусмотренных в H01L 39/00 приборов или их частей (не предназначенные специально для этой цели H01L 21/00; магнитное разделение сверхпроводящих материалов от других материалов, например с использованием эффекта Мейснера, B03C 1/00)[2]

Способ получения сверхтонких пленок ниобия, включающий напыление и анодное окисление, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности пленок, анодное окисление первоначально проводят при плотности тока, не превышающей 0,3 мА/см², до достижения заданной толщины пленки, а затем в режиме постоянного напряжения в течение 30 - 40 мин.

Изобретение относится к области исследования материалов, а именно к технике спектроскопии квазичастичных возбуждений в твердых телах

Способ изготовления сверхпроводящих свч-устройств // 1442019

Изобретение относится к области изготовления сверхпроводящих СВЧ- устройств

Способ получения сверхпроводящего материала // 1414251

Изобретение относится к изготовлению сверхпроводяпр х материалов Целью изобретения является расплтрение технических возможностей за счет увеличения твердости и прочности на сжатие сверхпроводящего материала

Способ обработки сверхпроводящего резонатора // 1410790

Изобретение относится к СВЧ- технике

Способ контроля эмиссионных свойств рабочей поверхности сверхпроводящего резонатора // 1373254

Способ магнитного подвешивания сверхпроводникового витка // 1340519

Изобретение относится к области науки и техники , где используется магнитное подвешивание тел (магнитная левитация)

Способ получения сверхпроводящего композиционного материала // 1338729

Электролит для удаления примеси с рабочей поверхности сверхпроводящего резонатора // 1276201

Изобретение относится к электрохимической обработке сверхпроводящих (СП) резонаторов, изготовленных из СП материала с большим содержанием примесей переходных металлов (Та, W, Мо)

Сверхпроводник с охлаждением внутреннего типа // 1199208

Способ получения сверхпроводящего материала на основе n @ а @ // 1095863

Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона // 2105390

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электронных приборов и устройств, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 K

Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона // 2107358

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано для изготовления электронных приборов и устройств, работающих в сверхвысокочастотном диапазоне частот, с уровнем собственных шумов, приближающимся к квантовому порогу, работа которых основана на явлении высокотемпературной сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 К

Способ формирования многослойных структур с разными электрофизическими свойствами // 2107973

Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления // 2133525

Способ получения структуры металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник // 2156016

Способ бесконтактного определения эффективности центров пиннинга в сверхпроводниках // 2160485

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга

Способ повышения критического тока сверхпроводника // 2172043

Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе

Способ изготовления интегральных схем со сверхпроводящими компонентами // 2181222

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем и гибридных интегральных схемах для изготовления сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов и других высокотемпературных сверхпроводящих толстопленочных элементов

Способ получения высокотемпературных сверхпроводниковых соединений // 2182194

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники

Способ формирования многослойных структур из материала yвaсuо с двух сторон подложки // 2189090

Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS