Полупроводниковый диод

Авторы патента:

H01L29/06 - отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей

№ 150938

Класс 21g, 11„

«« CL(.0 „;д,„

СССР!

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа № 97

Ю. H. Тихонов и Ю. В. Сахаров

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД

Заявлено 3 февраля 1961 г. за № 695963/26 в Комитет ло делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 20 за 1962 г.

Известные полупроводниковые диоды, выполненные на базе монокристаллической пластины из полупроводникового материала, например германия, с электронно-дырочным переходом и омическим контактом, не обеспечивают получения большой мощности.

Для увеличения мощности в предлагаемом диоде применены профилированный электронно-дырочный переход и профилированный омический контакт без увеличения периметра полупровсдниковой пластины.

На чертеже изображена схема конструктивного .выполнения описываемого диода.

На гладкую поверхность монокристаллической пластины из полупроводникового материала, выполненной в виде диска или квадрата, наносят концентрические риски 1 или продольные риски 2, расположенные параллельно сторонам квадратной пластины. Для сохранения одинаковой толщины пластины по всему сечению с нижней ее стороны также наносят риски, сдвинутые относительно верхних рисок.

При нанесении рисок увеличивается общая площадь пластины полупроводника, а следовательно, и мощность, снимаемая с электроннодырочного перехода, причем периметр пластины при этом остается неизменным. Наибольший эффект дает нанесение на пластины канавок, имеющих прямоугольный профиль.

Описанная конструкция электронно-дырочного перехода может найти применение в производстве мощных полупроводниковых диодов. № 150938

Предмет изобретеция

Полупроводниковый диод, выполненный на базе монокристаллической пластины из полупроводникового материала с электронно-дырочным переходом и омическим контактом, отличающийся тем, что, с целью увеличения мощности диода, в нем применен профилированный электронно-дырочный переход и профилированный омический контакт оез увеличения периметра полупроводниковой пластины.

Корректор Ю. М. Федулова

Текред T. П. Курилко

Редактор Б. Гурчев

Объем О,!8 изд. л.

Цена 4 коп.

Формат бум. 70;с 108 /, Тираж 1150

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.

Поди. к пеи. 1 1 вЂ” 62 г

Зак. 3066/18

Типография, пр. Сапунова, 2.

Конструкция силового полупроводникового прибора // 2201016

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике

Запоминающее устройство, множество запоминающих устройств и способ изготовления запоминающего устройства // 2216821

Изобретение относится к запоминающим устройствам высокой степени интеграции и способу их изготовления

Полупроводниковое устройство и способ формирования полупроводникового устройства // 2276429

Транзистор и способ его изготовления // 2364008

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для изготовления сверхмощных и высокоточных транзисторов

Катушка индуктивности, перестраиваемая электрическим полем // 2384910

Изобретение относится к электротехнике, в частности к катушкам индуктивности, используемым при создании различных электронных схем

Способ формирования кремниевых эпитаксиальных структур // 2059326

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления эпитаксиальных структур для производства полупроводниковых приборов

Полупроводниковый ограничительный диод // 2003208

Изобретение относится к твердотельным приборам СВЧ и КВЧ диапазонов, предназначенным для защиты входных цепей чувствительных радиоэлектронных приемных устройств

Полевой транзистор шоттки // 2025831

Структура на арсениде галлия // 2025832