Электродный вывод кремниевого полупроводникового прибора

 

№ 151399 .Класс Н 011; 21g 11о;

СССР

f

f !

ОПИСАНИЕ ИЗОБ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (7одпигная грцтга Л% 97

В. Г. Мельник

ЭЛЕКТРОДНЫЙ ВЫВОД КРЕМНИЕВОГО

ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Заявлено 8 января 1962 г. за М 758642/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений»,% 21 за 1962 r.

Известны электродные выводы кремниевых полупроводниковых приборов, изготовленные в виде отрезков алюминиевой проволоки, торец которой вплавлен в пластину кремния в вакууме в кассете. Известные контакты со свободным концом алюминиевого электрода в виде столб»ка, применяемые при закреплении р — n перехода в корпусе, не обеспечивают надежного и механически прочного контакта.

Предлагаемый электродный вывод обеспечивает надежный и механически прочный контакт при монтаже. Это достигается тем, что второй торец отрезка алюминиевой проволоки соединен с торцом отрезка проволоки из серебра путем сплавления в вакууме.

В кассету 1 из графита (см. чертеж) закладывается серебряный столбик 2, а на него алюминиевый столбик 8. На столбик о накладывается кристалл 4 кремния с прокладкой 5 из золота.

Точный режим сплавления следующий. Кассета I загружается в кварцевую трубу. При вакууме около 10 4 л1,и рт. ст, на трубу надвигается трубчатая печь, нагретая до 900 ..Когда температура кассеты оудет 600 — 610, печь сдвигается. После охлаждения кассета 1 вынимается из трубы и разгружается, В данном случае контактное сплавление ведется в вакууме, поэтому спай алюминий — серебро не подвержен коррозии. Основное внимание уделяется получению хорошего сплавления алюминия с кремнием.

Предмет изобрстения

Электродный вывод кремниевого полупроводникового прибора. изготовленный в виде отрезка алюминиевой проволоки, торец которой вплавлен в пластину кремния в вакууме в кассете, отличающийся тем, что, с целью создания надежного и механически прочного контакта

¹ 151399

Составитель В, Корзун

Техред T. П. Курилко Корректор В. П. Фомина

Редактор Н. С. Кутафина

Поди, к печ. 24.Х-62 r. Формат бум. 70Х 108 /i6 Объем 0,18 изд. л.

Зак, 10492 Тираж 1150 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.

Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14. электродного вывода при монтаже, второй торец указанного отрезка алюминиевой проволоки соединен с торцом отрезка проволоки из серебра путем сплавления в вакууме.

Электродный вывод кремниевого полупроводникового прибора Электродный вывод кремниевого полупроводникового прибора 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и их конструкции и может быть использовано для изготовления высокомощных транзисторов, тиристоров, диодов и других полупроводниковых структур

Изобретение относится к системам ультравысокого вакуума для обработки полупроводникового изделия, к геттерным насосам, используемым в них, и к способу обработки полупроводникового изделия

Изобретение относится к элементной базе микроэлектронной аппаратуры, а конкретно к однокристальному модулю ИС, и может широко использоваться при проектировании и производстве электронной аппаратуры различного назначения

Изобретение относится к разработке и производству аппаратуры на основе изделий микроэлектроники и полупроводниковых приборов и может быть широко использовано для контроля и отбраковки кристаллов ИС перед их монтажом в корпуса или многокристальные модули, а также для сборки кристаллов в корпусах или в составе многокристальных модулей

Изобретение относится к технологии плазмохимической обработки подложек, в частности пластин полупроводникового производства от микроэлектроники до силовой электроники

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводников

Изобретение относится к способам изготовления интегральных схем и к способам изготовления конденсаторов интегральных схем и к конденсаторам, изготавливаемым этими способами

Изобретение относится к электронному модулю, предназначенному, в частности, для установки в электронное устройство типа чип-карты
Наверх