Шахтная печь для выращивания кристаллов методом киропулоса

 

№ 151673

Класс В 01d; 12с, 2

СССР

J !

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная гриппа Ë«89

А. Б. Лыскович, В. И. Вайданич, Б. А. Беликович, И. М. Спитковский и Л. Н. Кулик

ШАХТНАЯ ПЕЧЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

МЕТОДОМ КИРОПУЛОСА

Заявлено 11 декабря 1961 г. за № 755519/23-4 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Минисгров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 22 за 1962 г.

Известна шахтная печь для выращивания кристаллов методом

Киропулоса, снабженная донным и боковым нагревателями. Выращенные кристаллы диаметром 120 — 130 мм и высотой 15 — 20 мм имеют местами оптически непрозрачные участки. Это ухудшает качество люминофораа.

Предлагаемая шахтная печь имеет керамическую диафрагму с центральным отверстием диаметром 40 — 50 мл1. Толщина диафрагмы увеличивается от центра (2 — 3 им) к периферии (12 — 15 мм). Диафрагма расположена на донном нагревателе. Благодаря этим отличиям повышается качество выращиваемых кристаллов.

Предлагаемая шахтная печь предназначена для выращивания кристаллов люминофоров NaITe u CsI (Те) диаметром 120 — 130 мм методом Киропулоса. Подобно известной, она снабжена боковым и донным нагревателями. Донный нагреватель имеет керамическую диафрагму, толщина которой в центре соста вляет 2 — 3 мм и к периферии повышается до 12 — 15 им. Диафрагма имеет центральное отверстие диаметром 40 — 50 мм. Применение диафрагмы позволяет обеспечить раьномерную скорость роста кристаллов, что дает возможность получить оптически прозрачные кристаллы диаметром 130 и высотой

60 мм с хорошими сцинтилляционными характеристиками. № 151673

Предмет изобретен ия

Шахтная печь для выращивания кристаллов методом Киропулоса,. снабженная боковым и донным нагревателями, о т л,и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения качества выращиваемых кристаллов, она имеет керамическую диафрагму с центральным отверстием диаметром 40—

50 мм и толщиной, увеличивающейся от центра (2 — 3 мм) к периферии (12 — 15 мм), расположенную на донном нагревателе.

Соста в итель М. Хухл ин

Редактор М. И. Бородина Техред А. А. Камышникова Корректор И. Клевцова.

Поди. к печ. 20/V — 63 г. Формат бум. 70+1086 Объем 0,18 изд, л.

Зак. 1330/1 Тираж 700 Цена 4 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, проезд Серова, дом 4.

Типография, пр. Сапунова 2,

Шахтная печь для выращивания кристаллов методом киропулоса Шахтная печь для выращивания кристаллов методом киропулоса 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к шахтным печам известняка и может быть использовано в черной и цветной металлургии в химической, пищевой и строительной отраслях промышленности

Изобретение относится к шахтной печи для обжига минерального материала, в частности мелкокускового известняка, прямоточно-регенеративным методом

Изобретение относится к области металлургии, точнее к способам плавки чугуна в вагранках

Изобретение относится к конструкциям вагранок для плавки и перегрева расплава, в частности для получения расплава из минерального сырья, в производстве теплоизоляционных минераловатных изделий

Изобретение относится к металлургической промышленности и может быть использовано при загрузке термических емкостей, например чугуновозных ковшей
Изобретение относится к области металлургии, конкретно к способам ведения плавки в вагранках, и может быть реализовано на машиностроительных и металлургических предприятиях

Изобретение относится к конструкции футеровки (Ф) шахтных печей, применяемых для производства извести в промышленности строительных материалов, металлургии, пищевой и химической промышленности

Изобретение относится к устройствам для загрузки термических емкостей и может быть использовано в металлургической и других промышленностях
Наверх