Способ обработки р-п переходов полупроводниковых приборов
Класс 803l» 21g 11рр № 152034
СССР б 1Ч
ОПИСАНИЕ ИЗОБ»ЕТЕЯИ»» .
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Подписная группа № 97
В. В. Русаков, А. Ф. Волков и В. В. Батавин
СПОСОБ ОБРАБОТКИ р-и ПЕРЕХОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ!Х
ПРИБОРОВ
Заявлено 16 марта 1962 г. за № 769224/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 23 за 1962 г.
В известных способах обработки р-и переходов полупроводниковых приборов защитную окисную пленку на их поверхности создают путем анодного оксидирования при использовании в качестве электролита дистиллированной воды.
В описываемом. способе придание защитной окисной пленке гидрофобных свойств и повышение надежности защиты поверхности р-и переходов достигается тем, что после создания окисной пленки ее подвергают термической обработке в атмосфере инертного газа или вакууме при температуре 600 †8 в течение 10 — 20 мин.
Для осуществления предлагаемого способа после травления полупроводникового прибора в травителе СР-8 или в смеси плавиковой и азотной кислот производится промывка в циркулирующем потоке деионизированной воды с удельным сопротивлением о=12 лгол и анодное оксидирование обычным порядком. Затем производится сушка в вакууме (10 мм рт. ст.) при температуре 120 в течение одного часа н кратковременная термообработка в инертном газе или вакууме при температуре 600 †8 в течение 10 — 20 мин. № 152034
Предмет изобретения
Редактор Е. Г. Манежева Техред Т. П. Курилко Корректор Г. Кудрявцева
Объем 0,18 пад. л.
Цена 4 коп.
Формат бум. 70 Q 108 /и
Тираж 1150
ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, М. Черкасский пер., д, 2/6.
Поди. к печ. 15/XII — 62 r
3ак. 3652/9
Типография, пр. Сапунова, 2.
Способ обработки р-и переходов полупроводниковых приборов путем создания защитной окисной пленки на их поверхности в результате анодного оксидирования, отличающийся тем, что, с целью придания защитной окисной пленке гидрофобных свойств для повышения надежности защиты поверхности р-п переходов, пленку подвергают термической обработке в атмосфере инертного газа или вакууме при температуре 600 — 800 в течение 10 — 20 мин.
