Установка для формирования диэлектрического покрытия на металлической заготовке

 

Изобретение относится к электрохимии и может быть использовано для изготовления металлодиэлектрических (эмалированных) подложек (МД - подложек) методом электрофоретического осаждения диэлектрического покрытия. Цель изобретения - повышение качества диэлектрического покрытия на поверхности и торцах металлической заготовки больших размеров (более 60х48 мм), а также на стенках отверстий диаметром менее 1,5 мм. Для этого установка, содержащая ванну 1 с электродами 2, источник 3 электропитания, вольтметр 9, самопишущий прибор (миллиамперметр 8), подъемный механизм 6, датчик 5 веса покрытия, оснащается устройством 10 инфракрасного излучения, состоящим из двух частей, создающих встречные потоки. Устройство 10 инфракрасного излучения располагается так, что, сразу после окончания процесса осаждения покрытия заготовка 4 с помощью подъемного механизма 6, извлекающего ее из ванны 1 в вертикальном направлении, и за счет перемещения устройства 10 по горизонтальным направляющим размещается в зоне инфракрасного излучения. Температура 80-120ºС, обеспечиваемая в зоне сушки, позволяет произвести просушку всей толщины покрытия за 20-30 с, что предотвращает сползание покрытия, утолщение слоя покрытия в нижней части подложки, исключает дефекты на стенках отверстий, возникающие при относительно длительном нахождении влажного покрытия в комнатных атмосферных условиях. Обеспечиваемый инфракрасным излучением режим сушки предотвращает создание кратеров на поверхности покрытия заготовки за счет слишком интенсивной поверхностной сушки. 2 ил.

Изобретение относится к электрохимии и может быть использовано для изготовления металлодиэлектрических (эмалированных) подложек (МД-подложек) методом электрофоретического осаждения диэлектрического покрытия. Целью изобретения является повышение качества диэлектрического покрытия на поверхности и торцах металлической заготовки больших размеров (более 60х48 мм), а также на стенках отверстий диаметром менее 1,5 мм. На фиг.1 представлена принципиальная схема установки; на фиг.2 взаимное расположение частей установки на этапах осаждения и сушки покрытия. Ванна 1 из диэлектрического, химически нейтрального материала заполнена суспензией на основе одного из высших спиртов, содержащей мелкодисперсные частицы специального стекла. Электроды 2 соединены с источником 3 питания. Соединение заготовки 4 с датчиком 5 веса покрытия и подъемным механизмом 6 осуществляется через электроизоляционную вставку 7. Миллиамперметр 8 и вольтметр 9 включены в цепь: электроды источник питания суспензия - заготовка таким образом, чтобы регистрировать силу тока и напряжение между электродами и заготовкой в процессе нанесения покрытия. Устройство 10 инфракрасного излучения расположено над ванной 1 таким образом, чтобы извлекаемая из ванны заготовка с покрытием попадала в зону "а" инфракрасной сушки при минимально возможном времени пребывания в комнатных атмосферных условиях. Под действием электрического поля между заготовкой 4 и электродами 2 в ванне 1 мелкодисперсные частицы стекла осаждаются на заготовку, образуя электрофоретический осадок. Контроль за процессом, осаждения осуществляется, по показаниям приборов датчика 5 веса, миллиамперметра 8 и вольтметра 9. После завершения процесса осаждения покрытия заданной толщины отключается источник 3 питания и включается подъемный механизм 6. Покрытая заготовка 4 поднимается в зону "а" инфракрасной сушки, температурный режим в которой создается заблаговременно включенным устройством 10 инфракрасного излучения. На фиг. 2 показано взаимное расположение ванны 1 и устройства 10 инфракрасного излучения на этапах электрофоретического осаждения покрытия на заготовку (этап А) и сушку покрытия (этап В) На этапе А заготовка 4 находится в ванне 1 под действием электрического поля, создаваемого между заготовкой 4 и электродами 2, происходит электрофоретическое осаждение частиц стекла из суспензии на заготовку 4. Устройство 10 инфракрасного излучения размещается на укрепленных над ванной 1 горизонтальных направляющих 11, заслонка 12 открыта, вытяжка через отвод 13 не производится. На этапе В заготовка 4 поднимается над ванной 1, одновременно заслонка 12 закрывает ванну устройства 10 инфракрасного излучения, перемещается по направляющим 11 таким образом, что заготовка 4 попадает в зону "а" сушки (фиг.1), расположенную между двумя частями устройства 10 инфракрасного излучения, где созданы встречные потоки. Удаление паров осуществляется через отвод 13. После инфракрасной сушки покрытия в течение 20-30 с при 80-120^oС подложка передается на следующую технологическую операцию - высокотемпературную термообработку. Технико-экономическая эффективность предлагаемой установки заключается в обеспечении возможности формирования бездефектного диэлектрического покрытия на большеразмерных металлических заготовках (более 60 х 48 мм) и металлических заготовках, имеющих отверстия диаметром менее 1,5 мм. Такие подложки имеют ряд преимуществ перед стеклотекстолитовыми платами печатного монтажа и керамическими подложками при использовании для изготовления коммутационных плат.

Формула изобретения

Установка для формирования диэлектрического покрытия на металлической заготовке, содержащая ванну с электродами, источник электропитания, вольтметр, самопишущий прибор (миллиамперметр), подъемный механизм и датчик веса покрытия, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества диэлектрического покрытия на поверхности и торцах металлической заготовки больших размеров (более 60 х 48 мм), а также на стенках отверстий диаметром менее 1,5 мм, она снабжена устройством инфракрасного излучения, состоящим из двух частей для создания встречных потоков, и направляющими, установленными над ванной, причем ванна выполнена с заслонкой, установленной с возможностью горизонтального перемещения под направляющими, на которых с возможностью перемещения расположено устройство инфракрасного излучения.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000

Извещение опубликовано: 20.03.2000        

---