Способ определения профиля распределения примесей в кремнии
Способ определения профиля распределения примесей в кремнии, основанный на измерении С-V-характеристик с использованием переменного тестового сигнала при послойном анодном растворении кремния и определении концентрации примеси по калибровочной зависимости минимальной емкости от концентрации после каждого этапа анодного растворения, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона определяемых концентраций примеси в сторону больших значений, измерение C-V-характеристик производят при частоте тестового сигнала в пределах 10 - 40 Гц.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения зависимости холловской подвижности носителей заряда проводящем канале от концентрации заполненных пограничных электронных состояний (ЭС), локализованных вблизи границы раздела полупроводник-диэлектрик
Изобретение относится к неразрушающим методам исследования физико химических свойств материалов, в частности полупроводников
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур
Устройство для измерения распределения диэлектрической проницаемости в полупроводниковых материалах // 1497654
Изобретение относится к измерительной СВЧ-технике, а именно к устройствам для измерения распределения диэлектрической проницаемости в полупроводниковых материалах
Устройство для бесконтактного измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов // 1497593
Изобретение относится к технике электроизмерений
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения параметров носителей заряда в полупроводниках
Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения кристаллографической неоднородности полупроводниковых кристаллов
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин
Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
